Güç kuvvetlendirici performansı üzerine yorulmuş MOSFET etkisinin incelenmesi
Investigation of degraded MOSFET effect on power amplifier performance
- Tez No: 507866
- Danışmanlar: DOÇ. DR. YASİN ÖZÇELEP
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2018
- Dil: Türkçe
- Üniversite: İstanbul Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Elektrik Elektronik Mühendisliği Bilim Dalı
- Sayfa Sayısı: 100
Özet
Günümüz elektronik endüstrisinde en çok kullanılan yarıiletken elemanlardan olan güç MOSFET'lerinin çalışma süreleri boyunca maruz kaldıkları farklı bozulma mekanizmaları bulunmaktadır. Bu bozulma mekanizmaları güç MOSFET'lerinin çalışma değerlerini etkileyerek beklenen çalışma performanslarının alınamamasına sebep olmaktadırlar. Bu etkiler, güç MOSFET'lerinin çoğunlukla içinde yer aldığı elektronik uygulamaların da davranış biçimlerini doğrudan belirlemektedirler. Bu etkilerin doğru şekilde yorumlanabilmesi için çalışma ömrü boyunca oluşan değişimler incelenmekle birlikte, hızlandırılmış testlerin yardımıyla bozulma etkilerinin değişiminin incelenmesi de önemli bir yer tutmaktadır. Bu çalışmada güç kuvvetlendiricilerinin, güç MOSFET'lerinin yorulma etkisiyle beraber, gösterdikleri değişim incelenmiştir. Farklı güç kuvvetlendirici topolojileri için, güç MOSFET'lerine yüksek gerilim yorma metodu ile hızlandırılmış testler uygulanıp, sonuçlar araştırılmıştır. Yapılan ölçümler ve elde edilen sonuçlar sayesinde, farklı güç kuvvetlendirici sınıfları için erken bozulma etkilerinin göz önünde bulundurulmasıyla daha güvenilir elektronik uygulamaların ortaya çıkmasına katkı sağlanacaktır.
Özet (Çeviri)
Power MOSFETs which are widely used semiconductors in today electronics industry have been exposed to different failure mechanisms during their life cycle. These failure mechanisms are causing not able to obtain expected operation performances by affecting power MOSFET operation parameters. These effects directly determine behaviour of power MOSFETs, which are commonly used in electronic applications. Along with the changes occurred during the life cycle are investigated to understand these effects, investigation of failure mechanisms with the help of accelerated tests also take important place. In this work, performance changes of power amplifiers which contains degraded power MOSFET effect have been investigated. Accelerated tests with high voltage stress method are applied to power MOSFETs for different power amplifier topologies and outputs have been analysed. Thanks to the measurements made and the results obtained, it will be contributed to the development of more reliable electronic applications by considering the early wear-out effects for different power amplifier classes.
Benzer Tezler
- First order noise shaping sar adc with a novel sc filter
Özgün anahtarlamalı kondansatör filtreli birinci derece gürültü şekillendiren ardışıl yaklaşımlı analogdan sayısala dönüştürücü
HÜSEYİN OZAN GÜLEÇ
Yüksek Lisans
İngilizce
2020
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiElektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ İSMAİL ÇEVİK
- Low-voltage low-power design and implementation of current-mode circuits
Düşük besleme gerilimli düşük güç tüketen akım-modlu devrelerin tasarımı ve gerçeklenmesi
CEM ÇAKIR
Doktora
İngilizce
2010
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiBoğaziçi ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. OĞUZHAN ÇİÇEKOĞLU
- A 14-bit 100-kHz continuous-time delta-sigma analog-to-digital converter for Hall effect based current sensor application
Hall etkisi bazlı akım sensörü uygulaması için 14-bit 100-kHz sürekli zamanlı delta-sigma analog dijital çevirici
ALPER GİRGİN
Yüksek Lisans
İngilizce
2017
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiElektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. TUFAN COŞKUN KARALAR
- Performance assessment of nonlinear active devices to design broadband microwave power amplifiers via virtual gain optimization
Doğrusal olmayan aktif elemanların performans analizi ve sanal kazanç optimizasyonuyla genişbandlı mikrodalga güç kuvvetlendiricisi tasarımı
SEDAT KILINÇ
Doktora
İngilizce
2023
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiElektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. İSMAİL SERDAR ÖZOĞUZ
PROF. DR. BEKİR SIDDIK BİNBOĞA YARMAN
- Quadrature signal generation in 5-6GHz range using SiGe BICMOS process
5-6GHz aralığında SiGe BICMOS proses kullanılarak 90 derece faz farklı işaret üretimi
PINAR TAŞCI
Yüksek Lisans
İngilizce
2002
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiElektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ALİ TOKER