Optoelektronik uygulamalar için fotolüminesans kadmiyum oksit filmlerin üretilmesi
Manufacturing photoluminescence, cadmium oxide films for optoelectronic applications
- Tez No: 509362
- Danışmanlar: DOÇ. DR. ZAFER ŞERBETÇİ
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Kimya, Chemistry
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2018
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Bingöl Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Kimya Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 42
Özet
Bu çalışmada sol-jel spin kaplama metoduyla CdO in tulyum katkılı 430 oC filmleri üretilmiştir. Sentezlenmiş ince filmlerin yapısal, morfolojik ve optik özellikleri atomik kuvvet mikroskopisi, X-ışını kırınımı ve UV-vis spektrofotometresi ile araştırılmıştır. %5 Tm katkılı CdO ince filminde en düşük tane boyutunun değeri 50 nm olarak bulunmuştur. Tm katkısıyla CdO filmlerinde 800-2000 nm arasında nanopartiküler kümeler oluşmuştur. XRD ile yapılan incelemede kadmiyum oksidin kübik poli kristal yapısında olduğunu ve katkılamayla (200) yöneliminde tüm ince filmlerin pik şiddetinde artış göstermiştir. CdO ince filminin optik geçirgenliği, kırılma indisi değerleri ve dielektrik sabiti değerleri tulyum katkılanmasıyla değişmiştir. Filmlerin absorsiyona bağlı, doğrudan optik bant ve fotolüminesans ile ölçülen bant aralığı değerleri hesaplanmıştır.
Özet (Çeviri)
In this study, Tm-doped CdO nanocomposites were synthesized at 430 oC by sol-gel spin coating method. Structural, morphological and optical properties of the synthesized thin films were investigated by atomic force microscopy, X-ray diffraction and UV-vis spectrophotometer. The lowest value of the grain size was found forby tm doped CdO film 50 nm in the 5% Tm-added CdO thin film. By addition of Tm, nanoparticulate clusters of 800-2000 nm are formed in CdO films. XRD showed that the cadmium oxide was in the polycrystalline structure of the cubic rock salt and the peak intensity of all thin films increased in the direction of doping (200). The optical permeability, refractive index values and dielectric constant values of CdO thin filminin were changed by Tm addition. The band gap values measured by optical band and photoluminescence of the films depend on the absorption, calculated.
Benzer Tezler
- Synthesis and characterization of semiconductor colloidal quantum dots and quantum wells for optoelectronic devices
Optoelektronik aygıtlar için yarıiletken kolloidal kuantum noktaları ve kuantum kuyularının sentezi ve karakterizasyonu
YEMLİHA ALTINTAS
Doktora
İngilizce
2018
EnerjiAbdullah Gül ÜniversitesiMalzeme Bilimi ve Makine Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. EVREN MUTLUGÜN
- Optoelektronik uygulamalar için kararlı nanokristal filmlerin üretilmesi
Fabrication of stable nanocrystal films for optoelectronic applications
SEMA KARABEL ÖCAL
Doktora
Türkçe
2023
Mühendislik BilimleriErciyes ÜniversitesiMalzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MUSTAFA SERDAR ÖNSES
PROF. DR. EVREN MUTLUGÜN
- 2D materials and their hetero bilayer systems for optoelectronic applications
Optoelektronik uygulamalar için 2B malzemeler ve bunların hetero 2-katmanlı systemleri
YAHAYA SHEHU
Yüksek Lisans
İngilizce
2019
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiEskişehir Teknik ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. NİHAN KOSKU PERKGÖZ
- Beyaz ışık oled uygulamarı için tiyenotiyofen ve tetrafeniletilen içeren moleküllerin sentezi
Synthesis of thienotiophene and tetrafenyethylene for white light oled applications
FATMA ELİF ALACACI
Yüksek Lisans
Türkçe
2021
Kimyaİstanbul Teknik ÜniversitesiKimya Ana Bilim Dalı
PROF. DR. TURAN ÖZTÜRK
DR. ERMAN KARAKUŞ
- Gözenekli silikon taşıyıcılar üzerinde ZnO nanoyapıların büyütülmesi ve karakterizasyonu
Growth and characterization of ZnO nanostructures on porous si̇li̇con substrate
GÜLŞAH AYDEMİR
Yüksek Lisans
Türkçe
2020
Fizik ve Fizik MühendisliğiEge ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ GÖKHAN UTLU