Gan-based robust low-noise amplifier
Gan tabanlı dayanıklı alçak gürültülü yükselteç
- Tez No: 517897
- Danışmanlar: PROF. DR. HATİCE ÖZLEM AYDIN ÇİVİ, DR. FATİH KOÇER
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Düşük gürültülü yükselteç, MMIC, Low noise amplifier, MMIC
- Yıl: 2018
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Orta Doğu Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Bu tezde düşük gürültülü yükselteçlerin teori, tasarım ve değerlendirilmesi açıklanmıştır. X-bandında (8-12 GHz) çalışan ve yüksek giriş gücüne dayanıklı iki düşük gürültülü yükselteç bir GaN/SiC tabanda tasarlanmış ve bu tasarımlar üretime gönderilmiştir. Tasarımlar üretimden geldikten sonra bunların ölçümleri yapılmış ve çıkan ölçüm sonuçları değerlendirilmiştir. Ölçüm sonuçlarına göre iki tasarım da 20 dB'den fazla kazanca sahiptir. Tasarımlardan ilkinin gürültü figürü 2 dB'den az ve ikincinin gürültü figürü 2,5 dB'den az olarak ölçülmüştür. Tasarımda, üç katlı topoloji kullanarak yüksek doğrusallık sağlanmıştır. Bu sayede, tasarlanan düşük gürültülü yükselteçlerden ilkinin güç tüketimi 0,6 W ve OIP3'ü 29 dBm'dir. Diğer düşük gürültülü yükseltecin güç tüketimi 0,36 W ve OIP3'ü 28,3 dBm'dir. Dayanırlık testleri iki tasarımın da 2,5 W'lık (34 dBm) girdi gücüne dayanabildiğini göstermiştir. Bu dayanırlık değerleri sunulan bu yükselteçlerin herhangi bir sınırlandırıcıya ihtiyaç duyulmadan elektronik savaş sistemlerinde kullanılabileceğini göstermektedir. 2.8 × 1.3 mm2 (3.6 mm2) boyutuyla tasarımlar günümüz literatürdeki tasarımlara göre küçüktür. Tasarımlar yapılırken WIN Semiconductor'un 0,25 μm Power GaN/SiC HEMT teknolojisi kullanılmıştır.
Özet (Çeviri)
This thesis presents the theory, design and evaluation of low-noise amplifiers (LNAs) with high input power immunity, built on GaN/SiC substrate. Two separate X-band (8-12 GHz) LNAs are designed and sent out for production. After the manufactured samples are received, they are measured and evaluated. Measurement results show that both LNAs have a gain of more than 20 dB. One LNA achieves a noise figure of less than 2 dB, while the second one has a noise figure of less than 2.5 dB. Using three-stage topology, high linearity is achieved with an OIP3 of 29 dBm at 0.6 W power dissipation for one of the LNAs, and an OIP3 of 28.3 dBm is achieved at 0.36 W power dissipation for the other LNA. The robustness tests show that the circuits survive 2.5 W (34 dBm) input power. This survivability performance enables the use of presented LNAs in electronic warfare systems without a need of a diode limiter. With a size of just 2.8 × 1.3 mm2 (3.6 mm2) the presented LNAs are compact when compared to the state of the art. The circuits are realized using the 0.25 μm Power GaN/SiC HEMT process by WIN Semiconductor.
Benzer Tezler
- Design of an inverter-based variable gain amplifier for PAM-4 optical receivers
PAM-4 optik alıcılar için evirici tabanlı kazancı ayarlanabilen kuvvetlendirici tasarımı
HALİL KIRĞIL
Yüksek Lisans
İngilizce
2025
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiElektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MUSTAFA BERKE YELTEN
- Anahtarlamalı güç kaynaklarında oluşan harmoniklerin elektromanyetik uyumluluk üzerine etkileri ve filtre tasarım yaklaşımları
Effects of noise caused by harmonics generated in switched mode power supply on EMI/EMC and filtering studies
YUNUS FURKAN DİLMEN
Yüksek Lisans
Türkçe
2026
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiSakarya ÜniversitesiElektrik ve Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ŞUAYB ÇAĞRI YENER
- Samsun ve çevresinde tarla sarmaşığı (conuolvulus arvensis L.)'na karşı biyolojik savaşa esas olacak fauna tespiti
Investigations on the insect fauna of the field binweed (Conuolvulus arvensis L.) related to its biological control in Samsun Province
YASEMİN UFUK GERMAN
- İki katlı pamuk ipliklerinden dokunan kumaşlarda örgüye bağlı olarak maksimum atkı sıklığının değişimi üzerinde bir araştırma
Başlık çevirisi yok
MELTEM ASLI NARTER
Yüksek Lisans
Türkçe
1985
Tekstil ve Tekstil MühendisliğiEge ÜniversitesiTekstil Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. GÜNGÖR BAŞER