Gan-based robust low-noise amplifier
Gan tabanlı dayanıklı alçak gürültülü yükselteç
- Tez No: 517897
- Danışmanlar: PROF. DR. HATİCE ÖZLEM AYDIN ÇİVİ, DR. FATİH KOÇER
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2018
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Orta Doğu Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 110
Özet
Bu tezde düşük gürültülü yükselteçlerin teori, tasarım ve değerlendirilmesi açıklanmıştır. X-bandında (8-12 GHz) çalışan ve yüksek giriş gücüne dayanıklı iki düşük gürültülü yükselteç bir GaN/SiC tabanda tasarlanmış ve bu tasarımlar üretime gönderilmiştir. Tasarımlar üretimden geldikten sonra bunların ölçümleri yapılmış ve çıkan ölçüm sonuçları değerlendirilmiştir. Ölçüm sonuçlarına göre iki tasarım da 20 dB'den fazla kazanca sahiptir. Tasarımlardan ilkinin gürültü figürü 2 dB'den az ve ikincinin gürültü figürü 2,5 dB'den az olarak ölçülmüştür. Tasarımda, üç katlı topoloji kullanarak yüksek doğrusallık sağlanmıştır. Bu sayede, tasarlanan düşük gürültülü yükselteçlerden ilkinin güç tüketimi 0,6 W ve OIP3'ü 29 dBm'dir. Diğer düşük gürültülü yükseltecin güç tüketimi 0,36 W ve OIP3'ü 28,3 dBm'dir. Dayanırlık testleri iki tasarımın da 2,5 W'lık (34 dBm) girdi gücüne dayanabildiğini göstermiştir. Bu dayanırlık değerleri sunulan bu yükselteçlerin herhangi bir sınırlandırıcıya ihtiyaç duyulmadan elektronik savaş sistemlerinde kullanılabileceğini göstermektedir. 2.8 × 1.3 mm2 (3.6 mm2) boyutuyla tasarımlar günümüz literatürdeki tasarımlara göre küçüktür. Tasarımlar yapılırken WIN Semiconductor'un 0,25 μm Power GaN/SiC HEMT teknolojisi kullanılmıştır.
Özet (Çeviri)
This thesis presents the theory, design and evaluation of low-noise amplifiers (LNAs) with high input power immunity, built on GaN/SiC substrate. Two separate X-band (8-12 GHz) LNAs are designed and sent out for production. After the manufactured samples are received, they are measured and evaluated. Measurement results show that both LNAs have a gain of more than 20 dB. One LNA achieves a noise figure of less than 2 dB, while the second one has a noise figure of less than 2.5 dB. Using three-stage topology, high linearity is achieved with an OIP3 of 29 dBm at 0.6 W power dissipation for one of the LNAs, and an OIP3 of 28.3 dBm is achieved at 0.36 W power dissipation for the other LNA. The robustness tests show that the circuits survive 2.5 W (34 dBm) input power. This survivability performance enables the use of presented LNAs in electronic warfare systems without a need of a diode limiter. With a size of just 2.8 × 1.3 mm2 (3.6 mm2) the presented LNAs are compact when compared to the state of the art. The circuits are realized using the 0.25 μm Power GaN/SiC HEMT process by WIN Semiconductor.
Benzer Tezler
- Dinamik olmayan stokastik rezonans yöntemi kullanılarak su altı görüntülerinin iyileştirilmesi
Underwater image enhancement using non-dynamic stochastic resonance
RUSTAM SALIMOV
Doktora
Türkçe
2024
Fizik ve Fizik MühendisliğiSakarya ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ HACI AHMET YILDIRIM
- Deep learning analysis in dermoscopy images
Dermoskopi görüntülerinde derin öğrenme analizi
FATİH ERGİN
Yüksek Lisans
İngilizce
2020
Bilgisayar Mühendisliği Bilimleri-Bilgisayar ve KontrolGalatasaray ÜniversitesiBilgisayar Bilimleri ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ İSMAİL BURAK PARLAK
- Çamaşır makinası uygulamasında gan yarı iletkenanahtarlar ile yüksek güç yoğunluklu ve verimlievirici tasarımı
Design of high efficiency and high power densityinverter using gan semiconductors for washing machine
TANER YAZICI
Yüksek Lisans
Türkçe
2019
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiElektrik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ MURAT YILMAZ
- Nano-scale chemically modified thin film characterization for chemical mechanical planarization applications
Nano-boyutta kimyasal modifiye edilmiş ince filmlerin kimyasal-mekanik düzleştirme uygulamaları için karakterizasyonu
AYŞE KARAGÖZ
Doktora
İngilizce
2015
Mühendislik BilimleriÖzyeğin ÜniversitesiMakine Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. GÜL BAHAR BAŞIM DOĞAN
- Design and simulation of readout circuit for superconductor nanowire single photon detectors in cryogenic environments
Kriyogenik ortamlarda süperiletken nanotel tek foton dedektörleri için okuma devresinin tasarımı ve simülasyonu
BUĞRA TUFAN
Yüksek Lisans
İngilizce
2024
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiKoç ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MEHMET CENGİZ ONBAŞLI