Au/n-GaP/Al ve Au/Klorofil-a/n-GaP/Al yapılarının karakteristik parametrelerinin akım-gerilim, kapasite-gerilim ve fotovoltaik ölçümlerden hesaplanması
Calculation of characteristics parameters of Au/n-GaP/Al and Au/Klorofil-a/n-GaP/Al structures from the current-voltage capacitance-voltage and photovoltaic measurements
- Tez No: 530204
- Danışmanlar: PROF. DR. SONGÜL DUMAN
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2018
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Atatürk Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Katıhal Fiziği Bilim Dalı
- Sayfa Sayısı: 113
Özet
Bu tezde [100] doğrultusunda büyütülmüş, özdirenci 1,95 Ω.cm olan n-tipi GaP yarıiletkeni kullanılarak Au/n-GaP/Al ve Au/Klorofil-a/n-GaP/Al yapıları üretilmiştir. Klorofil-a çözeltisi kullanılarak spin kaplama yöntemiyle GaP yarıiletkeninin parlak yüzeyi üzerinde ince bir film tabakası oluşturulmuştur. Oluşturulan tabakanın optik soğurma ölçümü ve taramalı elektron mikroskobu (SEM) görüntüsü alınmıştır. Au/n-GaP/Al ve Au/Klorofil-a/n-GaP/Al yapılarının oda sıcaklığında akım-gerilim (I−V), kapasite-gerilim (C−V) ve fotovoltaik ölçümleri alınmıştır. Bu yapılara ait karakteristik parametreler (idealite faktörü, engel yüksekliği ve seri direnç değerleri) hesaplanmıştır. Oda sıcaklığında Au/n-GaP/Al yapısı için idealite faktörü 1,14 ve engel yüksekliği değeri 0,858 eV; Au/Klorofil-a/n-GaP/Al yapısı için idealite faktörü 1,16, engel yüksekliği değeri ise 0,810 eV olarak hesaplanmıştır. Norde fonksiyonları kullanılarak yapılara ait çeşitli parametreler hesaplanmıştır. Norde fonksiyonundan hesaplanan idealite faktörü ve engel yüksekliği değerleri termoiyonik emisyon teorisinden hesaplanan değerler ile uyumlu olduğu görülmüştür. Aynı şekilde her iki yapı için C–V ölçümleri kullanılarak engel yüksekliği, yarıiletkendeki taşıyıcı konsantrasyonu, difüzyon potansiyeli ve Fermi enerji seviyesi değerleri hesaplanmıştır. Işık şiddetine bağlı olarak I−V ölçümleri alınarak, bu ölçümlerden fotovoltaik parametreler hesaplanmıştır. Klorofil-a yapısının fotovoltaik parametreler üzerine iyileştirici bir etkisi olmuştur.
Özet (Çeviri)
In this thesis, Au / n-GaP / Al and Au / Chlorophyll-a / n-GaP / Al structures were produced using n-type GaP semiconductor with a resistivity of 1.95 Ω.cm and [100] orientation. A thin film layer was formed on the bright surface of the GaP semiconductor by spin coating method using Chlorophyll-a solution. Image of the formed layer were taken by optical absorbance measurement and scanning electron microscope (SEM). The current voltage (I−V), capacitance-voltage (C−V) and photovoltaic measurements were taken at room temperature of Au / n-GaP / Al and Au / Chlorophyll-a / n-GaP / Al structures. Characteristic parameters (ideality factor, barrier height and series resistance values) of these structures were calculated. The ideality factor for the Au / n-GaP / Al structure at room temperature was 1,14, the barrier height was 0,858 eV and the Au / Chlorophyll-a / n-GaP / Al structure was calculated as 1,16 and the barrier height was calculated as 0,810 eV. Various parameters of structures were calculated by using Norde functions. The ideality factor and barrier height values calculated from the Norde function were found to be consistent with the values calculated from the thermoionic emission theory. Similarly, for both structures, the height of the obstacle, the carrier concentration in the semiconductor, the diffusion potential and the Fermi energy level were calculated using C−V measurements. Photovoltaic parameters were calculated from these measurements by taking I−V measurements based on light intensity. Chlorophyll-a structure has a healing effect on photovoltaic parameters.
Benzer Tezler
- Bazı nadir toprak elementi katkılı ZnO filmlerinin eldeedilmesi, karakterizasyonu ve heteroeklem uygulamaları
Preparation, characterization and heterojunction applications of ZnO films doped with some rare earth elements
GONCA İLGÜ BÜYÜK
Doktora
Türkçe
2019
Fizik ve Fizik MühendisliğiEskişehir Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SALİHA ILICAN
- Metal (Au, Ni, Cr)/GO-Fe3O4 (NP)/ n-Si /Al heteroyapıların üretimi ve elektriksel özelliklerinin sıcaklığa bağlı olarak incelenmesi
Fabrication and investigation of electrical properties of Metal/GO-Fe3O4(NP)/n-Si/Al heterojunctions dependent on temperature
İLKNUR GÜMÜŞ
Doktora
Türkçe
2022
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ŞAKİR AYDOĞAN
- Flor(F) katkılı ZnO ince filmlerin büyütülmesi, karakterizasyonu ve güneş pili potansiyeli
Growth and charachterization of F doped ZnO thin films and their solar cell potential
AHMET ÖZMEN
Yüksek Lisans
Türkçe
2018
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiNanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MEHMET YILMAZ
- Au/Fe2-xSnxO3/n-Si/Al heteroeklem yapıların üretimi ve güneş pili potansiyelinin değerlendirilmesi
Fabrication of Au/Fe2-xSnxO3/n-Si/Al heterojunction structures andevaluation of their solar cell potential
HALIT TERMAN
Yüksek Lisans
Türkçe
2023
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MUHAMMET YILDIRIM
- Metal/organik/inorganik yarıiletken yapıların sıcaklığa bağlı olarak elektriksel ve optik parametrelerinin belirlenmesi
Determination of temperature dependent electrical and optical parameters of metal/organic/inorganic semiconductor structures
ENİSE ÖZERDEN
Doktora
Türkçe
2014
Fizik ve Fizik MühendisliğiDicle ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. TAHSİN KILIÇOĞLU