Geri Dön

Modelling of novel bismide alloys for optoelectronic devices

Optoelektronik cihazlar için bizmut alaşımlarının modellenmesi

  1. Tez No: 536603
  2. Yazar: NURETTİN GÖKDENİZ
  3. Danışmanlar: PROF. DR. BEŞİRE GÖNÜL, DR. ÖĞR. ÜYESİ ÖMER LÜTFİ ÜNSAL
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2019
  8. Dil: İngilizce
  9. Üniversite: Gaziantep Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 68

Özet

Bu tez çalışmasının amacı, InAsBi/InAs, InPBi/InP, InSbBi/InSb ve GaAsBiN/GaAs III-V malzemelerinin elektronik bant yapılarını model hesaplamaları kullanarak incelemektir. Bizmut ve nitrojen atomları bir III-V ikili yarı iletkenine eklendiğinde, katkı atomları bizmut ve nitrojen atomları iletkenlik bandı ve değerlik bandına yakın yerlerde bulunan enerji seviyelerini işgal eder. Bu lokalize katkı atomları iletkenlik bandı ve değerlik bandı ile etkileşime girer. Bu etkileşim sonucu değerlik bandı ve iletkenlik bandı pozitif ve negatif enerji seviyelerine ayrılır, değerlik bandı hafif boşluk, ağır boşluk, spin-off ve iletkenlik bandı ise alt bantlarına ayrılır. Seyreltik bismutların ve nitritlerin ikili ev sahibi maddelere eklenmesi sonucu, bizmut ve nitrojen konsantrasyonunun artması, bant boşluğu enerjisinde bir azalmaya neden olur. Ayrıca bizmut konsantrasyonunun artmasıyla birlikte spin yörünge etkileşim enerjisinde bir artış olur. Bant yapısındaki bu büyük değişiklikler, Auger rekombinasyonu ve Intervalence bant absorpsiyonu gibi optik kayıp mekanizmalarını ortadan kaldırmaya veya bastırmaya eğilimlidir. Teorik analizimiz, değerlik ve iletkenlik bantlarının yeniden yapılanmasını modellemek için seyreltik nitritlerin katılmasından dolayı iletkenlik anti bant geçiş modeli, C-BAC ve seyreltik bismutların katılmasından dolayı da değerlik anti bant geçiş modeli, V-BAC kullanılmıştır.

Özet (Çeviri)

The purpose of this thesis work is to investigate the electronic band structures of InAsBi/InAs, InPBi/InP, InSbBi/InSb and GaAsBiN/GaAs III-V materials by means of using model calculations. When bismuth and nitrogen atoms are incorporated into a III-V binary host semiconductor, bismuth and nitrogen impurity atoms occupy at localized energy levels which lies inside or close to the valence and conduction band, respectively. These localized impurity states interact with the extended valence and conduction band states of host alloy. This interaction causes a splitting in each of these band states of the light hole, heavy-hole, split-off band and conduction subbands into subbands of E+ and E- energy levels. The incorporation of dilute bismides and nitrides into host materials cause a reduction in band gap with increasing bismuth and nitrogen concentration, an increase in spin-orbit splitting energy with increasing bismuth concentration. These major modifications in band structure tends to eliminate or suppress optical loss mechanism, such as Auger recombination and Intervalence band absorption. Our theoretical analysis is based on the conduction band anti-crossing, C-BAC, model for incorporation of dilute nitrides and the valence band anti-crossing, VBAC, model for incorporation of dilute bismides to model the restructuring of valence and conduction bands.

Benzer Tezler

  1. Modelling of microwave transistor based SV-regression and building performance data base with its use in novel evolutionary design optimizations of nonuniform microstrip LNAs with a typical filtenna design

    Mikrodalga transistorlerin destek vektör tabanlı performans veri kümelerinin yenilikçi evrimsel algoritmalar ile uniform olmayan mikrostrip hatlı LNA tasarım optimizasyonu ve örnek bir filtenna tasarımı

    MEHMET ALİ BELEN

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2016

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiYıldız Teknik Üniversitesi

    Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. FİLİZ GÜNEŞ

  2. Investigation of novel geometrical design concepts for damping treatments

    Enerji sönümleme tasarımları için özgün geometrik tasarım konseptlerinin incelenmesi

    BERTUĞHAN ÇAVUŞ

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2022

    Makine MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Makine Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DR. ÖĞR. ÜYESİ GÖKHAN OSMAN ÖZGEN

  3. Identification of novel inhibitors targeting putative dantrolene binding site for ryanodine receptor 2

    Ryanodine reseptörü için dantrolene bağlanma bölgesi hedef alınarak yeni inhibitör tanımlama

    CEMİL CAN SAYLAN

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2022

    Biyofizikİstanbul Teknik Üniversitesi

    Hesaplamalı Bilimler ve Mühendislik Ana Bilim Dalı

    DR. ÖĞR. ÜYESİ SEFER BADAY

  4. 3-D automatic segmentation and modelling of cartilage compartments in high-field magnetic resonance images of the knee joint

    Diz ekleminin yüksek alan manyetik rezonans görüntülerinde kıkırdak bölgelerini 3-B otomatik bölütleme ve modelleme

    CEYDA NUR ÖZTÜRK

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2016

    Bilgisayar Mühendisliği Bilimleri-Bilgisayar ve KontrolYıldız Teknik Üniversitesi

    Bilgisayar Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. SONGÜL ALBAYRAK