Modelling of novel bismide alloys for optoelectronic devices
Optoelektronik cihazlar için bizmut alaşımlarının modellenmesi
- Tez No: 536603
- Danışmanlar: PROF. DR. BEŞİRE GÖNÜL, DR. ÖĞR. ÜYESİ ÖMER LÜTFİ ÜNSAL
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2019
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Gaziantep Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 68
Özet
Bu tez çalışmasının amacı, InAsBi/InAs, InPBi/InP, InSbBi/InSb ve GaAsBiN/GaAs III-V malzemelerinin elektronik bant yapılarını model hesaplamaları kullanarak incelemektir. Bizmut ve nitrojen atomları bir III-V ikili yarı iletkenine eklendiğinde, katkı atomları bizmut ve nitrojen atomları iletkenlik bandı ve değerlik bandına yakın yerlerde bulunan enerji seviyelerini işgal eder. Bu lokalize katkı atomları iletkenlik bandı ve değerlik bandı ile etkileşime girer. Bu etkileşim sonucu değerlik bandı ve iletkenlik bandı pozitif ve negatif enerji seviyelerine ayrılır, değerlik bandı hafif boşluk, ağır boşluk, spin-off ve iletkenlik bandı ise alt bantlarına ayrılır. Seyreltik bismutların ve nitritlerin ikili ev sahibi maddelere eklenmesi sonucu, bizmut ve nitrojen konsantrasyonunun artması, bant boşluğu enerjisinde bir azalmaya neden olur. Ayrıca bizmut konsantrasyonunun artmasıyla birlikte spin yörünge etkileşim enerjisinde bir artış olur. Bant yapısındaki bu büyük değişiklikler, Auger rekombinasyonu ve Intervalence bant absorpsiyonu gibi optik kayıp mekanizmalarını ortadan kaldırmaya veya bastırmaya eğilimlidir. Teorik analizimiz, değerlik ve iletkenlik bantlarının yeniden yapılanmasını modellemek için seyreltik nitritlerin katılmasından dolayı iletkenlik anti bant geçiş modeli, C-BAC ve seyreltik bismutların katılmasından dolayı da değerlik anti bant geçiş modeli, V-BAC kullanılmıştır.
Özet (Çeviri)
The purpose of this thesis work is to investigate the electronic band structures of InAsBi/InAs, InPBi/InP, InSbBi/InSb and GaAsBiN/GaAs III-V materials by means of using model calculations. When bismuth and nitrogen atoms are incorporated into a III-V binary host semiconductor, bismuth and nitrogen impurity atoms occupy at localized energy levels which lies inside or close to the valence and conduction band, respectively. These localized impurity states interact with the extended valence and conduction band states of host alloy. This interaction causes a splitting in each of these band states of the light hole, heavy-hole, split-off band and conduction subbands into subbands of E+ and E- energy levels. The incorporation of dilute bismides and nitrides into host materials cause a reduction in band gap with increasing bismuth and nitrogen concentration, an increase in spin-orbit splitting energy with increasing bismuth concentration. These major modifications in band structure tends to eliminate or suppress optical loss mechanism, such as Auger recombination and Intervalence band absorption. Our theoretical analysis is based on the conduction band anti-crossing, C-BAC, model for incorporation of dilute nitrides and the valence band anti-crossing, VBAC, model for incorporation of dilute bismides to model the restructuring of valence and conduction bands.
Benzer Tezler
- Modelling of microwave transistor based SV-regression and building performance data base with its use in novel evolutionary design optimizations of nonuniform microstrip LNAs with a typical filtenna design
Mikrodalga transistorlerin destek vektör tabanlı performans veri kümelerinin yenilikçi evrimsel algoritmalar ile uniform olmayan mikrostrip hatlı LNA tasarım optimizasyonu ve örnek bir filtenna tasarımı
MEHMET ALİ BELEN
Doktora
İngilizce
2016
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiElektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. FİLİZ GÜNEŞ
- Experimental investigation and mathematical modelling of dynamic equilibrium of novel thermo-fluids for renewable technology applications
Başlık çevirisi yok
HÜSEYİN UTKU HELVACI
- Investigation of novel geometrical design concepts for damping treatments
Enerji sönümleme tasarımları için özgün geometrik tasarım konseptlerinin incelenmesi
BERTUĞHAN ÇAVUŞ
Yüksek Lisans
İngilizce
2022
Makine MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiMakine Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ GÖKHAN OSMAN ÖZGEN
- Identification of novel inhibitors targeting putative dantrolene binding site for ryanodine receptor 2
Ryanodine reseptörü için dantrolene bağlanma bölgesi hedef alınarak yeni inhibitör tanımlama
CEMİL CAN SAYLAN
Yüksek Lisans
İngilizce
2022
Biyofizikİstanbul Teknik ÜniversitesiHesaplamalı Bilimler ve Mühendislik Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ SEFER BADAY
- 3-D automatic segmentation and modelling of cartilage compartments in high-field magnetic resonance images of the knee joint
Diz ekleminin yüksek alan manyetik rezonans görüntülerinde kıkırdak bölgelerini 3-B otomatik bölütleme ve modelleme
CEYDA NUR ÖZTÜRK
Doktora
İngilizce
2016
Bilgisayar Mühendisliği Bilimleri-Bilgisayar ve KontrolYıldız Teknik ÜniversitesiBilgisayar Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. SONGÜL ALBAYRAK