Geri Dön

Ultrasonik püskürtme yöntemi ile üretilen Y:SnO2 nanoyapılı filmlerin fiziksel özelliklerinin belirlenmesi

Determination the physical properties of Y:SnO2 nanostructured films deposited by ultrasonic spray pyrolysis

  1. Tez No: 537093
  2. Yazar: ESRA KAYA
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. ARİFE GENÇER İMER
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2019
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Van Yüzüncü Yıl Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 147

Özet

Bu çalışmada, (100) yönelimine sahip ve özdirenci 1-10 Ω-cm olan p-Si alttaş kullanıldı. Kalay oksit (SnCl2.2H2O, Tin (II) chloride dihydrate) numunesinin 5x10-2 molarlık (1.64 gram) çözeltisi 150 mL isopropanol (C3H8O, 2-Propanol) kullanılarak hazırlandı. Katkı maddesi olan itriyum (YCl3.6H2O, Yttrium (III) chloride hexahydrate) numunesinin 1x10-2 molarlık (0.15 gram) çözeltisi için 50 mL deiyonize su kullanıldı. Cam ve p-Si alttaşlar üzerine kaplanacak ince filmler sırasıyla % 0, % 1, %0 2, % 3, % 5 katkılı olacak şekilde hazırlandı. Hazırlanan numunelerin yasak enerji band aralığı, optik metod yardımı ile 3.8 eV mertebesinde belirlendi. Diyot yapımı için yüksek vakum ortamında gümüş metali termal buharlaştırılarak Ag/YSnO2/p-Si yapısı elde edildi. Üretilen Ag/YSnO2/p-Si diyotlarının oda sıcaklığında karanlık ortamda 100 mW/cm2 ışık şiddeti altında I-V ölçümleri alındı. Işığa duyarlılığın yok denecek kadar az olduğu gözlemlendi. Akım-gerilim (I-V) ve kapasitans-gerilim (C-V) ölçümleri yapıldı. Elde edilen I-V grafiğinde diyot doğrultucu özellik gösterirken; ortalama idealite faktörü ve ortalama engel yüksekliği değerleri sırasıyla 4.03 ve 0.505 eV olarak belirlendi. Norde fonksiyonları yardımıyla ortalama seri direnç değerleri 25.02 Ω olarak hesaplandı. C-V ölçümleri 0.1-2 MHz aralığında alındı ve C-2-V grafikleri yardımıyla engel yüksekliği hesaplandı ve diğer bulgularla karşılaştırıldı. Üretilen yapının sahip olduğu özellikler sayesinde elektronik uygulamalarda kullanılabileceği gösterilmiş oldu.

Özet (Çeviri)

In this study, p-Si substrate with (100) orientation and 1-10 Ω-cm of resistivity was used. 5x10-2 molar (1.64 grams) solution of tin oxide (SnCl2.2H2O, Tin (II) chloride dihydrate) sample was prepared by using 150 mL isopropanol (C3H8O, 2-propanol). 50 mL of deionized water was used for the 1x10-2 molar (0.15 gram) solution of the yttrium (YCl3.6H2O, Yttrium (II) chloride hexahydrate) for dopping. Thin films which are coated on glass and p-Si substrates were prepared to be 0 %, 1 %, 2 %, 3 %, 5 %, respectively. The forbidden energy band gap of the prepared samples was determined with the help of the α(hν)2-hν graph at order 3.8 eV. For the diode construction, the silver metal was thermally evaporated in a high vacuum environment to obtain the Ag / YSnO2 / p-Si structure. I-V measurements of the produced Ag / YSnO2 / p-Si diodes were taken under the light intensity of 100 mW / cm2 in the dark environment at room temperature. It was observed that the sensitivity of the light was negligible. Current-voltage (I-V) and capacitance-voltage (C-V) measurements were performed. When the obtained I-V graph shows diode rectifier characteristic; the average ideal factor and the average barrier height values were determined as 4.03 and 0.505 eV, respectively. By using Norde functions, the average series resistance values were calculated as 25.02 Ω. C-V measurements were taken at 0.1-2 MHz and the barrier height was calculated by using C-2-V graphs and compared with other indications. It has been shown that the produced structure can be used in applications such as electronics.

Benzer Tezler

  1. Yarıiletken nem sensörlerinin geliştirilmesi

    Deveplopment of semiconductor humidity sensors

    KAREN CANSU FERRUH

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2021

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SÜLEYMAN ÖZÇELİK

  2. Enhancement of interfacial interactions in fiber-reinforced polymeric composites with multifunctional carbon nanomaterials

    Çok işlevli karbon nanomateryaller ile elyaf takviyeli polimerik kompozitlerde arayüz etkileşimlerinin geliştirilmesi

    AYŞE DURMUŞ SAYAR

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2024

    KimyaSabancı Üniversitesi

    Malzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DR. ÖĞR. ÜYESİ SERKAN ÜNAL

  3. Ultrasonik püskürtme piroliz yöntemi ile çinko oksit (ZnO) ince filmlerin biriktirilmesi

    Deposition of zinc oxide (ZnO) thin films by using the ultrasound spraying pyrolysis method

    MEHMET PEKEROĞLU

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2019

    Fizik ve Fizik MühendisliğiSüleyman Demirel Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MURAT ÖZTÜRK

  4. Farklı azot akış hızına sahip ortamlarda ısıl işlem uygulanmış ultrasonik sprey piroliz yöntemiyle oluşturulan sn-katkılı indiyum oksit ince filmlerin fiziksel ve optik özelliklerinin incelenmesi

    Investigation of physical and optical properties sn-doped indium oxide thin films fabricated by ultrasonic spray pyrolysis method and heat treatment under different nitrogen flow rate atmospheres

    MURAT KOÇ

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2018

    Fizik ve Fizik MühendisliğiSüleyman Demirel Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MURAT ÖZTÜRK

    DR. ÖĞR. ÜYESİ MURAT KALELİ

  5. Üretilen farklı yakıt katkılarıyla bir dizel motorunun yanma, performans ve emisyon karakteristiklerinin iyileştirilmesinin deneysel incelenmesi

    Experimental investigation of the improvement of combustion, performance and emission characteristics of a diesel engine by using produced different fuel additives

    ABDÜLVAHAP ÇAKMAK

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2021

    Makine MühendisliğiOndokuz Mayıs Üniversitesi

    Makine Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. HAKAN ÖZCAN