Geri Dön

MOCVD yöntemiyle safir alttaş üzerine büyütülen AlxGa1-xN/GaN HEMT yapısının yapısal, optiksel ve elektriksel özelliklerinin incelenmesi

Investigation of structual, optical and electrical chacteristic of AlxGa1-xN/GaN HEMT structures grown on sapphire substrate by MOCVD method

  1. Tez No: 540736
  2. Yazar: ÖMER AKPINAR
  3. Danışmanlar: PROF. DR. MUSTAFA KEMAL ÖZTÜRK
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2018
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Gazi Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 103

Özet

Bu tez çalışmasında AlxGa1-xN/GaN yüksek elektron mobiliteli transistör (HEMT) yapısı c- yönelimli safir alttaş üzerine Metal Organik Kimyasal Buhar Biriktirme (MOCVD) yöntemiyle büyütüldü. Büyütülen yapının yapısal, optik, morfolojik ve elektriksel karakterizasyonları sırasıyla X- Işını Kırınımı (XRD), Fotoluminesans (PL), Ultraviolet (UV-Vis), Atomik Kuvvet Mikroskopisi (AFM) ve Hall -Özdirenç ölçümleri ile belirlendi. XRD tekniği ile simetrik ve asimetrik düzlemlerde 2, tam genişlikteki yarı yükseklik (FWHM), örgü parametreleri, parçacık boyutu, zorlama, gerilme ve dislokasyon değerleri hesaplandı. PL ölçüm sonucundan 3,24 eV GaN'ın doğrudan bant aralığı belirlendi. UV-Vis'de ise AlGaN tabakasının iletiminin 360 nm'de başladığı görüldü. Hall-özdirenç ölçümlerinde HEMT yapısının taşıyıcı yoğunluğunun sıcaklıktan etkilenmediği ve mobilite değerinin yüksek olduğu hesaplandı. Oda sıcaklığında elde edilen taşıyıcı yoğunluğu ve mobilite değerinin sırasıyla 5,82x1015 1/cm3 ve 1198 cm2/Vs olarak elde edilirken, en düşük sıcaklık noktasında (25 K) ise 5,19x1015 1/cm3 ve 6579 cm2/Vs'dir.

Özet (Çeviri)

In this thesis, the AlxGa1-xN/GaN high electron mobility transistor (HEMT) structure was grown by Metal Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) on c-oriented sapphire substrate. The structural, optical, morphological and electrical characterizations of the enlarged structure were determined by X-Ray Diffraction (XRD), Photoluminescence (PL), ultraviolet (UV-Vis), Atomic Force Microscopy (AFM) and Hall-Resistivity measurements, respectively. The XRD technique calculated 2, full width half maximum (FWHM), lattice parameters, particle size, strain, stress and dislocation values in symmetric and asymmetric planes. The direct band gap of 3.24 eV GaN was determined from PL measurement. In the UV-Vis, the transmission of the AlGaN layer started at 360 nm. In the Hall-resistivity measurements, it was calculated that the carrier density of the HEMT structure was not affected by temperature and the mobility value was high. The values of carrier density and mobility obtained at room temperature are obtained as 5.82x1015 1/cm3 and 1198 cm2/Vs, respectively and the values obtained at the lowest temperature point (25K) are 5.19x1015 1/cm3 and 6579 cm2/Vs.

Benzer Tezler

  1. InGaN tabanlı ışık yayan diyotların optik özellikleri

    Optical properties of InGaN based light emitting diodes

    REMZİYE BALCI EREN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2018

    Fizik ve Fizik MühendisliğiBalıkesir Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. REMZİYE TÜLEK

  2. XRD ters örgü uzayı kullanılarak, Williamson Hall yöntemiyle InGaN LED'lerin elastik özelliklerinin incelenmesi

    Investigation of elastical properties of InGaN LEDs with Williamson Hall method by using XRD reciprocial space

    GÖKÇE GÖKCE

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2017

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. MUSTAFAKEMAL ÖZTÜRK

    DOÇ. DR. ORHAN ZEYBEK

  3. Farklı püskürtme güçleri altında üretilen n-ZnO/AlN/p-GaN yakın UV mavi ışık yayan diyotların (LED) elektriksel, optik, yapısal ve morfolojik özelliklerinin incelenmesi

    Investigation of electrical, optical, structural and morphological properties of n-ZnO/AlN/p-GaN near UV-blue light emitting diodes (LED) fabricated under different sputtering

    DERYA ÜNAL

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2021

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ZİYA MERDAN

    DOÇ. DR. SONGÜL FİAT VAROL

  4. Farklı alaşım oranlarında alıngan dörtlü yapıların transport özellikleri

    Transport properties of di̇fferent alloy compositon of quternary alingan structures

    ASLI BARAN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2018

    Fizik ve Fizik MühendisliğiBalıkesir Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ALİ TEKE

  5. Nitrit tabanlı III-V grubu yarıiletkenlerle oluşturulan çoklu kuantum kuyularının yapısal, morfolojik ve bazı optik özelliklerinin sıcaklığa bağlı olarak incelenmesi

    Investigation of structural, morphological and some opticalproperties of multi-quantum wells, formed by nitrite based III-Vgroup semiconductors, dependent on temperature

    AHMET KÜRŞAT BİLGİLİ

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2019

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MUSTAFA KEMAL ÖZTÜRK