Geri Dön

Nitrit tabanlı III-V grubu yarıiletkenlerle oluşturulan çoklu kuantum kuyularının yapısal, morfolojik ve bazı optik özelliklerinin sıcaklığa bağlı olarak incelenmesi

Investigation of structural, morphological and some opticalproperties of multi-quantum wells, formed by nitrite based III-Vgroup semiconductors, dependent on temperature

  1. Tez No: 614036
  2. Yazar: AHMET KÜRŞAT BİLGİLİ
  3. Danışmanlar: PROF. DR. MUSTAFA KEMAL ÖZTÜRK
  4. Tez Türü: Doktora
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2019
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Gazi Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 190

Özet

Bu çalışmada, InGaN tabanlı güneş pili yapısı 300-500 0C sıcaklık aralığında 50 0C'lik adımlarla incelenmiştir. InGaN/GaN çoklu kuantumu kuyusu yapısı c- yönelimli safir alttaş üzerine metal organik kimyasal buhar biriktirme (MOCVD) yöntemiyle büyütülmüştür. Sıcaklık dışında tüm parametreler büyütme süreci boyunca sabit tutulmuştur. Farklı oranlarda In içeren InGaN/GaN güneş pili yapıları XRD tekniği ile incelenmiştir. Bu yapıların, yapısal, optik ve morfolojik özellikleri yüksek çözünürlüklü X-ışını kırınımı (HRXRD), Fourier dönüşüm spektroskopisi (FTIR), Fotolüminesans (PL), Geçirgenlik (%T), Atomik kuvvet mikroskopisi (AFM) ile analiz edilmiştir. FTIR ve PL spektrumlarına göre bant aralığı değerlerinin elektromanyetik spektrumda mavi bölgeye denk geldiği fark edilmiştir. Geçirgenlik ölçümlerinin sonuçlarında gönderilen ışığın 390 nm civarında büyük ölçüde absorbe edildiği görülmüştür. XRD tekniği kullanılarak, dislokasyon yoğunlukları ve gerilme hesaplanmıştır. X- ışını kırınımından elde edilen tam genişlik yarı maksimum (FWHM) değerleri alternatif bir metot olan Williamson Hall (WH) yönteminde kullanılmıştır. WH metodu kullanarak düşey ve yatay kristal uzunlukları ve eğim açıları belirlenmiştir. Yüzey pürüzlülük parametreleri AFM ile incelenmiştir. GaN ve InGaN'a ait farklı parametreler sıcaklığa bağlı olarak kıyaslanmıştır. AFM görüntülerine göre bu güneş pili yapıları yüksek yüzey pürüzlülüğü ve büyük kristal boyutuna sahiptir. XRD'den elde edilen verilerle örgü parametreleri de hesaplanmıştır. Çalışma sıcaklığa bağlı bir çalışma olduğundan sıcaklıkla örgü parametrelerindeki değişimden faydalanarak ısısal genleşme katsayıları da hesaplanmıştır. Ters uzay haritalaması tekniğinden faydalanarak örgü parametreleri, gerilme, zorlama gibi değişkenler tekrar hesaplanmıştır ve bu değerler birbirleri ile kıyaslanmıştır. Görülmüştür ki sözü edilen bütün metotlardan elde edilen sonuçlar daha önce farklı araştırmacılar tarafından yapılan çalışmalardakilerle uyum içinde olduğu görülmüştür.

Özet (Çeviri)

In this study, InGaN based solar cell structures are investigated in 300-500 0C temperature range with steps of 50 0C. InGaN/GaN multi-quantum well structure is deposited on sapphire wafer by metal organic chemical vapor deposition method (MOCVD). InGaN/GaN solar cell structures containing different In ratio are investigated by X-ray diffraction (XRD) technique. Structural, optical and morphological properties of these solar cell structures are investigated by using high resolution X-ray diffraction (HRXRD), Fourier transform spectroscopy (FTIR), Photo luminesance (PL), Transmission (%T), Atomic force microscopy (AFM) techniques. Full width half maximum (FWHM) values gained from XRD technique are used in an altenative method Williamson Hall (WH). By using this WH method, lateral and vertical crystal lengths and tilt angles are determined. Surface roughness parameters are examined by AFM. According to AFM images these solar cell structures have high surface rougness and large crystal size. Because this study is dependent on temperature, thermal expansion coefficients are calculated by using the variation of lattice parameters with temperature. By using reciprocal space mapping technique (RSM), lattice parameters, strain, stress are calculated again and they are compared with the values gained from previous methods. It is seen that all the results gained from mentioned methods are in good accordance with literature.

Benzer Tezler

  1. Silikon ve safir alttaşlar üzerine epitaksiyel büyütülmüş aln ince filmlerin elektriksel karakterizasyonu

    Electrical characterization of epitaxially grown ain thin films on silicon and sapphire substrates

    KAĞAN MURAT PÜRLÜ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2021

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiSivas Cumhuriyet Üniversitesi

    Nanoteknoloji Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. İLKAY DEMİR

  2. Ga2O3/p-Si P-N hetero eklemli UV fotodedektörlerinin üretimi ve karakterizasyonu

    Fabrication and characterization of Ga2O3/p-Si P-N hetero junction UV photodetectors

    UĞUR HARMANCI

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2023

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiHarran Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MEHMET TAHİR GÜLLÜOĞLU

    PROF. DR. ABDULLAH YILDIZ

  3. AlGaN tabanlı morötesi ışık yayan diyotların çalışma prensibi, yapısı ve uygulama alanlarının araştırılması

    III-nitride ultraviolet emitters technologies & applications

    GÖKTÜRK TAN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2019

    BiyoteknolojiSivas Cumhuriyet Üniversitesi

    Nanoteknoloji Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. İLKAY DEMİR

  4. Ultraviolet-visible nanophotonic devices

    Morötesi-görünür bölge nanofotonik aygıtlar

    BAYRAM BÜTÜN

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2010

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. EKMEL ÖZBAY

  5. Electrospun composite nanofibers with metal/metal oxidenanoparticles

    Metal/metal oksit nanopartikül içerikli elektroeğrilmiş nanolif üretimi

    HAVVA BAŞKAN

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2021

    Polimer Bilim ve Teknolojisiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Tekstil Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. HALE KARAKAŞ