Geri Dön

İki-aşamalı bir teknik kullanılarak büyütülen Cu(In, Ga)Te2 (CIGT) ince filmlerinin bazı yapısal özelliklerinin incelenmesi

Investigation of some structural properties of Cu(In, Ga)Te2 thin films growth by a two-stage technique

  1. Tez No: 540909
  2. Yazar: SERKAN ERKAN
  3. Danışmanlar: PROF. DR. EMİN BACAKSIZ
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2018
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Karadeniz Teknik Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Katıhal Fiziği Bilim Dalı
  13. Sayfa Sayısı: 79

Özet

Na katkılı Cu(In,Ga)Te2 (CIGT) ince filmleri, iki aşamalı bir teknik kullanılarak büyütüldü. İşlemin birinci aşamasında, Cu, In ve Ga öncül katmanları elektro-depolama yöntemi ile Mo kaplı paslanmaz çelik altlıklar üzerine kaplandı. Kaplanan bu filmler üzerine katkı maddesi olarak sırasıyla NaF ve Te katyonu elektron demeti buharlaştırma metodu kullanılarak buharlaştırıldı. Çalışmanın ikinci aşamasında, folyo/Mo/(Cu, In, Ga)/NaF/Te katman dizilimine sahip prekörsürler hızlı tavlama yöntemi (RTP) ile 600°C sıcaklıkta ısıl işleme maruz bırakıldı. Reaksiyon sıcaklığına (600°C) çıkış hızları 0,5 °C/s ila 10 °C/s arasında değiştirilmiş olup tavlama süreleri ise 1 ve 5 dakika olarak ayarlanmıştır. Üretilen filmlerde, reaksiyon sıcaklığına çıkış hızının ve tavlama süresinin etkileri incelenmiştir. Gerçekleştirilen analizler ışığında 1 dk. ısıl işlem uygulanan numunelerde, 0.5-5°C/s'lik çıkış hızlarında InTe fazının oluştuğu, 10°C/s'lik çıkış hızında ise bu fazın oluşmadığı tespit edildi. Tavlama süresinin 5 dk.'ya çıkarılmasıyla beraber 1 dk. tavlama süresinde görülen InTe fazının çıkış hızlarından bağımsız bir şekilde ortadan kaybolduğu, tek fazlı CIGT kalkopirit yapısının oluştuğu tespit edildi. Yapılan analizler sonucunda yüksek çıkış hızları ve daha uzun tavlama süreleriyle beraber numunelerin daha iyi kristalleşme gösterdiği, aynı koşullarda film morfolojilerinin de iyileştiği görüldü. Galyum gradyantı, çıkış sürelerinden bağımsız olarak tüm katmanlarda tespit edilirken, film yüzeylerinin ise In zengini olduğu tespit edildi.

Özet (Çeviri)

Na-doped Cu(In,Ga)Te2 (CIGT) thin films were grown using a two-stage technique. In the first stage of the process, precursor layers were deposited on Mo-coated stainless steel foil substrates by electrodeposition method followed by evaporation of NaF and Te using electron-beam system to form foil/Mo/(Cu, In, Ga)/NaF/Te stacks. In the second stage, the stacks were annealed at reaction temperature of 600°C employing rapid thermal processing (RTP) to obtain CIGT structure. The ramping rate of the temperature was changed from 0.5 °C/sec to 10 °C/sec, and dwell time of the reaction was selected 1 and 5 min. In this way, impact of the ramping rate of the temperature and reaction time on the properties of CIGT films were investigated. It was found that InTe secondary phase was detected for the samples which had 0.5-5 °C/sec ramping rates and 1 min reaction time apart from the sample heated with 10 °C/sec. Extension of the reaction time from 1 to 5 min gave rise to disappear of InTe secondary phase from the samples regardless of the ramping rates and contributed to form single phase CIGT compound. In conclusion, it can be said that higher ramping rates and longer reaction time enhanced the crystallization and morphologies of the films. Gallium gradient and In-rich surface were detected in all films irrespective of the ramping rate of the temperature and reaction time.

Benzer Tezler

  1. Sb2Se3 ince filmlerinin sülfürizasyonu ile üretilen Sb2(S,Se)3 soğurucu katmanlarının karakterizasyonu

    Characterization of Sb2(S,Se)3 absorber layers fabricated by sulfurization of sb2se3 thin films

    MEMDUH EMİRHAN EKREN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2022

    Enerjiİskenderun Teknik Üniversitesi

    Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DR. ÖĞR. ÜYESİ FULYA KÖSEOĞLU

  2. Biomass production from Schizochytrium sp. and analysis of the biomass content

    Schizochytrium sp. mikroalginden biyokütle üretimi ve üretilen biyokütlenin içeriğinin tayini

    AHMET ARAL

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2015

    Biyoteknolojiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Moleküler Biyoloji-Genetik ve Biyoteknoloji Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. NEVİN GÜL-KARAGÜLER

  3. Construction of expression vectors for the heterologous production of kpkt killer toxin in Saccharomyces cerevisiae and Pichia pastoris cells

    Kpkt katil toksininin Saccharomyces cerevisiae ve Pichia pastoris hücrelerinde heterolog üretimi için ekspresyon vektörlerinin oluşturulması

    MURAT ÜSTÜN

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2015

    Biyoteknolojiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Moleküler Biyoloji-Genetik ve Biyoteknoloji Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ZEYNEP PETEK ÇAKAR

  4. Reduced hardware complexity for viscosity measurements by optical knife-edge detection on micropillar-based microfluidic chips

    Mikrosütun tabanlı mikroakışkan çipler üzerindeki optik bıçak kenarı tespiti ile viskozite ölçümleri için azaltılmış donanım karmaşıklığı

    EZGİ ŞENTÜRK

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2024

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DR. ÖĞR. ÜYESİ AHMET CAN ERTEN

    DOÇ. DR. ONUR FERHANOĞLU

  5. O-asetilpeptidoglukan esteraz (APE1) enziminin tepkime mekanizmasının ın silico yöntemlerle aydınlatılması

    Elucidation of reaction mechanism of APE1 enzyme with in silico methods

    ZEYNEP AKSAKAL

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2019

    Kimyaİstanbul Teknik Üniversitesi

    Kimya Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. NURCAN TÜZÜN

    PROF. DR. FETHİYE AYLİN SUNGUR