Geri Dön

Fabrication and characterization of ZnO: Ga/p-Si heterostructure photodiodes

ZnO: Ga/p-Si heteroyapı fotodiyotların üretimi ve karakterizasyonu

  1. Tez No: 548677
  2. Yazar: NUR EFŞAN KÖKSAL
  3. Danışmanlar: PROF. DR. ABDULLAH YILDIZ
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2019
  8. Dil: İngilizce
  9. Üniversite: Ankara Yıldırım Beyazıt Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 74

Özet

GZO tabakasının farklı kalınlıklarına sahip olan Ga-katkılı (GZO)/Si fotodiyotlar sol-gel yöntemi kullanılarak üretildi. İnce film özellikleri, XRD, AFM ve UV-VIS spekrometre ölçümleri yardımıyla belirlendi. GZO filmlerin ortalama tanecik büyüklüğü, doku katsayısı, RMS değeri ve transparanlığı hesaplandı. Cihazların akım-gerilim karakteristikleri, fotoelektriksel özelliklerini incelemek için AM1.5 ışığı altıında ve karanlıkta ölçüldü. Doyma akımı, idealite faktörü, bariyer yüksekliği gibi bazı önemli parametreler elde edildi. Doğrultma oranı, ışığaduyarlılık ve duyarlılık değerleri daha ince GZO tabakasının varlığıyla geliştirildi. Sonuçlar, daha ince GZO tabakasına sahip cihazın fotodiyot açısından en iyi performansı gösterdiğini belirtti. Literatürde bildirilenlere kıyasla en iyi cihaz performansına AM1.5 aydınlatmasında ulaştık.

Özet (Çeviri)

The Ga-doped ZnO (GZO)/p-Si photodiodes with different thicknesses of the GZO layer were fabricated using a sol-gel method. Thin film properties were determined by means of X-Ray Diffraction, Atomic Force Microscopy, and UV-VIS spectrophotometer measurements. The average grain size, texture coefficient, RMS value and transparency of GZO films were estimated. The current-voltage characteristics of the devices were measured in the dark and under AM1.5 illumination to investigate photoelectrical properties of the devices. Some important parameters such as saturation current, ideality factors and barrier heights were obtained. The rectification ratio, photosensitivity and responsivity values were improved with presence of thinner GZO layer. The results indicate that the device with thinner GZO layer exhibited the highest performance in terms of photodiode. We reached the better device performance than those reported in the literature over AM1.5 illumination.

Benzer Tezler

  1. Hidrojenlendirilmiş amorf silikon-kristal silikon heteroeklem güneş gözelerinin bilgisayar modellemesi

    Computer modeling of hydrogenated amorphous silicon-crystal silicon heterojunction solar cells

    MELİS BİLGİÇ AKSARI

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2011

    EnerjiHacettepe Üniversitesi

    Temiz Tükenmez Enerjiler Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. AYNUR ERAY

  2. Fabrication of CdS quantum dots and nanostructure ZnO based photodetectors

    CdS kuantum noktaları ve nanoyapılı ZnO esaslı foto dedektörlerin üretilmesi

    BESTOON ANWER HAMAD AMEEN HAMAD AMEEN

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2018

    BiyomühendislikKahramanmaraş Sütçü İmam Üniversitesi

    Biyomühendislik ve Bilimleri Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ABDULKADİR YILDIZ

    PROF. DR. FAHRETTİN YAKUPHANOĞLU

  3. Katkılı ve katkısız çinko oksit (ZnO) ince filmlerin hazırlanması ve karakterizasyonu

    Preparation and characterization of doped and undoped zinc oxide (ZnO) thin films

    İDRİS SORAR

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2008

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Fizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. FATMA Z. TEPEHAN

  4. Ag:ZnO fotosensörlerin üretilmesi ve elektriksel karakterizasyonu

    Fabrication and electrical characterisation of Ag: ZnOphotosensors

    TUĞRUL YAVUZ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2019

    Fizik ve Fizik MühendisliğiKırklareli Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DR. ÖĞR. ÜYESİ BURHAN COŞKUN

    DOÇ. DR. TARIK ASAR

  5. Atomic layer deposition of III-nitrides and metal oxides; their application in area selective ALD

    III-nitratların ve metal oksitlerin atomik katman kaplamısı; bunların alan seçici ALD'deki uygulamaları

    ALI HAIDER

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2017

    Bilim ve Teknolojiİhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi

    Malzeme Bilimi ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı

    Assist. Prof. AYKUTLU DANA

    DR. NECMİ BIYIKLI