Hidrojenlendirilmiş amorf silisyum filmlerde uzay yükü ile sınırlı akım tekniği ile durum yoğunluğunun belirlenmesi
Determination of density of states in a-Si:H using space charge limited current measurements
- Tez No: 105591
- Danışmanlar: DOÇ. DR. AYNUR ERAY
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Uzay yükü ile sınırlı akım, durum yoğunluğu, Den Boer tekniği, bilgisayar kontrollü deney düzeneği, sıcaklık kontrolü, Space charge limited current, density of states, Den Boer method, computer - controlled experimental set-up, heat control. Advisor Dr. Aynur Eray, Hacettepe University, Department of Physics Engineering
- Yıl: 2001
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Hacettepe Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 121
Özet
HİDROJENLENDİRİLMİŞ AMORF SİLİSYUM FİLİMLERDE UZAY YÜKÜ İLE SINIRLI AKIM TEKNİĞİ İLE DURUM YOĞUNLUĞUNUN BELİRLENMESİ Tolga Okat Hacettepe Üniversitesi, Fizik Mühendisliği Bölümü ÖZ Uzay yükü ile sınırlı akım yöntemi, hidrojenlendirilmiş amorf silisyum (a - Si:H) filimlerde, mobilite aralığındaki yerelleşmiş enerji düzeyleri hakkında bilgi veren ve yaygın olarak kullanılan bir yöntemdir. Bu yöntemde, diyot yapısındaki deneğe uygun elektrotlar kullanılarak, bir elektrottan deneğe sürülen taşıyıcıların diğer elektrotta toplanmasının sağlanarak, J - V karakteristikleri elde edilmektedir. J - V karakteristikleri Fermi enerji düzeyinin üzerindeki durum yoğunluğunun belirlenmesinde kullanılmaktadır. Bu tez çalışması kapsamında, a - Si:H Alimlerin uzay yükü bölgesinde J - V karakteristikleri, sıcaklığa bağlı ve bilgisayar kontrollü olarak elde edilmesi için gerekli ara birimler - ısıl çift ön yükselteç birimi, AD - DA giriş / çıkış ve ısıtıcı akım kaynağı birimi, deneğe gerilim uygulama birimi, I - V ölçüm birimi, güç kaynağı birimi - tasarımlanmış ve bilgisayar kontrollü olarak sıcaklık kontrolünün yapılabilmesi, verilerin toplanması ve toplanan verilerin değerlendirilmesinin yapılabilmesi amacı ile çeşitli yazılımlar geliştirilmiştir. Geliştirilen deney düzeneği yardımı ile, 276 K ile 363 K sıcaklık aralığında, a - Si:H Alimlerin J - V karakteristikleri elde edilerek mobilite aralığındaki durum yoğunluğu belirlenmiştir.
Özet (Çeviri)
DETERMINATION OF DENSITY OF STATES IN a - Si:H USING SPACE CHARGE LIMITED CURRENT MEASUREMENTS Tolga Okat Hacettepe University, Department of Physics Engineering ABSTRACT The space charge limited current method is a commonly used method that provides information about the localized energy levels in mobility gap, in hydrogenated amorphous silicon (a - Si:H) films. In this method, J - V characteristics are obtained by using electrodes appropriate for the subject in the diode structure and by ensuring the accumulation of the carriers injected into the subject from electrode, in the other electrode. J - V characteristics are used for determining the density of states above the Fermi level. In the scope of the present thesis work, the J - V characteristics in the space charge region of the a - Si:H films, the interface units required to obtain them in a temperature - dependent and computer - controlled manner - thermo couple pre - amplifier unit, AD - DA input / output and current source unit for heater, voltage applying unit for samples, I - V measurement unit, power supply unit - have been designed and various softwares have been developed to perform computer - controlled heat control, to collect data and to evaluate the collected data. By the assistance of the developed experimental set-up, the J - V characteristics of a - Si:H films in the temperature range between 276 K and 363 K are obtained and the density of states in the mobility gap has been determined.
Benzer Tezler
- SCL akımları yöntemi ile hidrojenlendirilmiş amorf silisyum-germanyum alaşımı n-i-n sandviç yapılarda elektronik kusur dağılımlarının incelenmesi
Investigation of electronic defect distribution on amorphous silicon-germanium alloy n-i-n sandwich structure by using SCL current
ZEYNEP RUKİYE ÖZGE CAN
Yüksek Lisans
Türkçe
2011
Fizik ve Fizik MühendisliğiMuğla ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MEHMET GÜNEŞ
- Hidrojenlendirilmiş amorf silisyum filmlerde konuma bağımlı fotogerilim ölçümleri
Lateral photovoltage measurements in hydrogenated amorphous silicon
BANU ÇOMAK
Yüksek Lisans
Türkçe
2006
Fizik ve Fizik MühendisliğiHacettepe ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ÖZCAN ÖKTÜ
DOÇ. DR. ALP OSMAN KODOLBAŞ
- Hidrojenlendirilmiş amorf silisyum filmlerin optik katsayılarını belirlemede kullanılan deneysel yöntemlerin karşılaştırılması
Comparison of experimental methods used for determination of optical constants of hydrogenated amorphous silicon
GÜNGÖR TAYYAR
- The effects of native and light induced defects in the optical and electronic properties of hydrogenated amorphous silicon germanium (a-SiGe: H) alloy thin films
Doğal ve ışık altında bozunuma uğratılmış elektronik kusurların hidrojenlendirilmiş amorf silisyum germanyum alaşımlarının optik ve elektronik özelliklerine etkisi
MEDİNE ELİF DÖNERTAŞ YAVAŞ
Yüksek Lisans
İngilizce
2005
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİzmir Yüksek Teknoloji EnstitüsüFizik Ana Bilim Dalı
PROF.DR. MEHMET GÜNEŞ
- Hidrojenlenmiş amorf silisyum filimlerinin elde edilmesi ve karakterizasyonu
Başlık çevirisi yok
BİRSEN TURGU
Yüksek Lisans
Türkçe
1986
Fizik ve Fizik MühendisliğiHacettepe ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF.DR. ÖZCAN ÖKTÜ