1550 nm dalgaboylu pasif mod kilitli bir yariiletken lazerin modellenmesi ve incelenmesi
Modelling and examination of 1550 nm wavelength passively mode locked a semiconductor laser
- Tez No: 556937
- Danışmanlar: PROF. DR. BÜLENT ÇAKMAK
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2019
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Erzurum Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 66
Özet
Bu çalışmada 1550 nm dalgaboylu pasif mod kilitli bir yarıiletken lazerin modellenmesi ve incelenmesi gerçekleştirilmiştir. Pasif mod kilitli yarıiletken lazerin iletim yönünde kutuplanan bölümü kazanç bölümü olarak, ters kutuplu gerilimle sürülen bölümü ise soğurma bölümü olarak adlandırılır. Yapılan modellemede tek veya iki kazanç bölümlü ve soğurma bölümünden oluşan pasif mod kilitli yarıiletken lazerin karşılaştırmalı güç-zaman, foton yoğunluğu-zaman, taşıyıcı yoğunluğu-zaman değişimleri ve darbe genişlikleri elde edildi. İki kazanç bölümüne sahip yarıiletken lazerde foton yoğunluğu ve taşıyıcı yoğunluğunun fazla olması nedeniyle gücün daha yüksek olduğu ve darbe genişliğinin daha az olduğu gözlemlenmiştir. İki kazanç bölümüne sahip pasif mod kilitli yarıiletken lazerin kazanç bölümünün farklı uzunlukları için karşılaştırmalı sonuçlar elde edildi. Ayrıca soğurma bölümünün kazanç bölümleri arasında ve son kısımda olması durumları ayrı ayrı incelendi. Soğurma bölümü kazanç bölümleri arasındayken gücün daha yüksek olduğu gözlemlenmiştir çünkü soğurma bölümü darbenin daralmasına ve darbenin maksimum noktasında kayıplara neden olur. Bunlara ilave olarak güç ve darbe genişliğinin kazanç bölümüne uygulanan akımın ve soğurma bölümüne uygulanan gerilimin farklı değerleri için karşılaştırmalı sonuçlar elde edildi. Soğurma bölgesine uygulanan gerilim arttıkça taşıyıcıların yaşam süresi azaldığı için gücün arttığı gözlemlenmiştir. Son olarak soğurma bölümünün farklı uzunlukları için darbe genişlikleri hesaplandı ve güç-zaman grafiğinde etkisi gösterildi. Burada soğurma bölgesi uzunluğu arttıkça kayıp arttığı için gücün ve darbe genişliğinin azaldığı gözlemlenmiştir.
Özet (Çeviri)
In this study, modelling and experimental study of a 1550 nm wavelength passively mode locked semiconductor laser has been carried out. Forward biased section of the passively mode locked semiconductor laser is called gain section while reverse biased section is called absorption section. In the modelling, variations of power-time, photon density-time, carrier density-time and pulse width of the passively mode locked semiconductor laser consisting of one or two gain sections and one absorption section are comparatively obtained. The semiconductor laser with two gain sections has higher power and shorter pulse width due to higher photon density and carrier density. Comparative results are obtained within the different lengths of the gain section of the passively mode locked semiconductor laser with two gain sections. In addition, the results are examined while the absorption section is located for both between the gain sections and in the far end. Power is observed to be higher when the absorber section is between the gain sections, because the absorption section causes narrowing of the pulse and loss of the peak. Comparative results of the power and pulse width are obtained for the different values of the current applied to the gain section and for the voltage applied to the absorption section. As the voltage applied to the absorption section increases, the power increases as the carriers lifetime decreases. Finally, the pulse width is calculated for the different lengths of the absorption section and the effect is shown on the power-time graph. It is observed that as the absorption section length increases, the power decreases because the loss and the pulse width increase.
Benzer Tezler
- Pasif optik ağların optimizasyonu
Optimization of passive optical networks
AYŞE BURHAN SERT
Yüksek Lisans
Türkçe
2021
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiElektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ NECMİYE ÖZLEM ÜNVERDİ
- Troposfer katmanındaki rayleigh ve Mie saçılmaları kaynaklı zayıflamanın lazerli uydu haberleşme sistemlerinin performansına etkilerinin analizi
Analysis of effects of rayleigh and Mie scatterings based attenuation occuring in troposphere layer in the performance of satellite laser communication systems
PELİN DEMİR
Doktora
Türkçe
2020
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiBursa Uludağ ÜniversitesiElektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. GÜNEŞ YILMAZ
- Tek boyutlu fotonik yapılarda fotonik bant özelliklerin incelenmesi
Investigation of photonic band properties in one dimensional photonic structures
VEYSEL KORKMAZ
Doktora
Türkçe
2015
Fizik ve Fizik MühendisliğiEskişehir Osmangazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. ALİ ÇETİN
- Silicon germanium multi quantum wells for high efficiency optoelectronic devices
Silisyum germanyum çoklu kuantum kuyuları içeren yüksek verimli optoelektronik aygıtlar
ALPER YEŞİLYURT
Yüksek Lisans
İngilizce
2011
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiElektrik ve Elektronik Mühendisliği Bölümü
YRD. DOÇ. DR. ALİ KEMAL OKYAY
- Wavelength measurement techniques using fabry-perot filters in 1550 nm band and an application in temperature measurements
1550 nm bantında fabry-perot süzgeç kullanarak dalgaboyu ölçüm teknikleri ve sıcaklık ölçümlerinde bir uygulama
TUĞRUL ERTEKİN
Yüksek Lisans
İngilizce
1998
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. F. RÜYAL ERGÜL