The influence of electrodes on MIM BST thin film ceramic capacitor - device production and characterization
MIM BST ince film seramik kapasitörlere elektrodların etkisi – aygıt üetimi ve karakterizasyonu
- Tez No: 561429
- Danışmanlar: DR. ÖĞR. ÜYESİ MURAT KALELİ
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2019
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Süleyman Demirel Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 126
Özet
Metal- yalıtkan- metal (MIM) paralel plaka yapısında ince film seramik kapasitör imal edilmiş ve oda sıcaklığı koşullarında karakterize edilmiştir. Baryum Stronsiyum Titanyum (BST) ince filmler, RF magnetron saçtırma fiziksel buhar biriktirme (PVD) tekniği ile 450 ℃ sıcaklığındaki alttaş üzerinde üretildi. Bundan sonra, dielektrik uygulamalar için en uygun yapıyı tanımlamak amacıyla farklı alttaşlar (Cam, Silikon, Kuvars) üzerindeki BST ince filmler için yapısal, optik ve elektriksel karakterizasyonları yapıldı. Uygun kristal yapıyı tanımlamak için amorf BST ince filmler, atmosferik ortamda ve farklı sıcaklıklarda 500 ℃ ile 1000 ℃ arasında tavlanmıştır. Molibden Disilisit (MoSi2) ince film seramik iletkenler, PVD DC magnetron saçtırma tekniği ile farklı altlıklar (Cam, p / n tipi Silikon, Kuvars) üzerinde ve 300 ℃, alttaş sıcaklığında biriktirildi. Daha sonra, aygıt kontak uygulamaları için iyi iletkenliğe sahip MoSi2 seramik ince film üretmek amacıyla, en uygun üretim tekniğini ve işlemlerini tanımlamak için elektriksel ve fiziksel karakterizasyonlar yapılmıştır. Farklı altlıklarda, farklı tavlama işlemleri ve ortam desteğiyle MoSi2 tetra kristal fazı elde edildi. En iyi sonuç, atmosferik basınçta saf azot (N2 - 5N saflıkta) gazı akışında, bir saat boyunca 1100 ℃' de tavlanan n-tipi silikon altlık üzerinde elde edildi. Farklı metal kontaklar; Gümüş (Ag), Bakır (Cu) ve İndiyum (In), ince film aygıtı üst kontağı olarak, PVD termal buharlaştırma tekniği ile üretildi. MIM paralel plakalı ince film seramik kapasitörler; MoSi2 (Alt kontak) - BST (Dielektrik Perovskite yalıtkan) -Ag, Cu, In ve MoSi2 (Üst kotak) yapısı ile üretilmiştir. En iyi sonuç; sırasıyla 405.18 nF.cm-2 ve 85.209 kapasitans yoğunluğu ve dielektrik sabiti ile MoSi2-BST-Ag yapısından elde edilmiştir. Öte yandan, 0.024 ile takdir edilebilir bir kayıp tanjantı, MoSi2-BST-In yapısında elde edilmiştir.
Özet (Çeviri)
Metal-Insulator-Metal (MIM) parallel plate structure thin film ceramic capacitor has been fabricated and characterized under the room temperature conditions. Barium Strontium Titanite (BST) thin film fabricated by RF magnetron sputtering physical vapor deposition technique (PVD) at a substrate temperature of 450 ℃. After that, the structural, optical and electrical characterization achieved for BST thin films on different substrates (glass, silicon, quartz) to define the convenient structure for dielectric applications. The amorphous BST thin films have annealed at different temperatures in atmospheric ambient from 500 ℃ up to 1000 ℃ to define the suitable crystal structure. Molybdenum disilicide (MoSi2) thin film ceramic conductors have deposited by PVD DC magnetron sputtering technique at a substrate temperature of 300 ℃ on different substrates (glass, p/n-type silicon, quartz). Then, electrical and physical characterizations have achieved to define the suitable production technique and processes to produce MoSi2 ceramic thin film with good conductivity for device contact applications. MoSi2 tetra crystal phase has obtained after different annealing processes and ambient support, for different substrates. The best result was on the n-type silicon substrate annealed at 1100 ℃ for one hour in pure nitrogen (N2 – 5N purity) gas flux at atmospheric pressure. Different metal contacts; Silver (Ag), Copper (Cu) and Indium (In), have been produced by PVD thermal evaporation technique as a thin film device top contact. MIM parallel plates thin film ceramic capacitors have been fabricated with structure of MoSi2 (Bottom Contact) - BST (Dielectric Perovskite Insulator)-Ag, Cu, In and MoSi2 (Top Contact). The best result gained from the structure of MoSi2-BST-Ag for capacitance density and dielectric constant 405.18 nF.cm-2 and 85.209 respectively. While, appreciated loss tangent has been gained from structure MoSi2-BST-In as it was 0.024.
Benzer Tezler
- Characterization of perovskite-like high k dielectric materials for metal-insulator-metal capacitors
Başlık çevirisi yok
CANAN BARIŞTIRAN KAYNAK
Doktora
İngilizce
2013
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiTechnische Universität BerlinPROF. BERND TILLACK
- İnvertaz ve polifenol oksidaz enzimleriyle oluşturulan karbon fiber enzim elektrotları
Carbon fiber enzyme electrodes fabricated by invertaz and polyphenol oxidase enzymes
GÖZDE KARABACAK
Yüksek Lisans
Türkçe
2019
KimyaKarabük ÜniversitesiKimya Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ AYŞE ELİF BÖYÜKBAYRAM
- Siyanür ve krom (VI) içeren galvanik atıksuların elektrokimyasal yöntemler kullanılarak arıtılması
Başlık çevirisi yok
HİLAL YILDIZ AKBULUT
Yüksek Lisans
Türkçe
2000
Çevre MühendisliğiGebze Yüksek Teknoloji EnstitüsüÇevre Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ANATOLY DİMOĞLU
- Biyotelemetri sistemi
Biotelemetry systems
SÜLEYMAN ÖZKAPTAN
Yüksek Lisans
Türkçe
1994
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiDOÇ.DR. MEHMET KORÜREK
- Metalliftalosiyanin temelli iletken redoks aktif polimerlerin geliştirilmesi ve elektrokimyasal pestisit sensörü olarak kullanımları
Development of metallophthalocyanine based conducting redox active polymers and their applications as electrochemical pesticide sensors
ÜMİT ERGİN ÖZEN
Yüksek Lisans
Türkçe
2018
KimyaMarmara ÜniversitesiKimya Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ALİ RIZA ÖZKAYA
PROF. DR. ATIF KOCA