N-GaAs ve n-Si yarıiletkenler üzerinde yüzey polimerizasyon yöntemiyle elde edilmiş olan P[(EGDMA-VPCA)-SWCNT] filmlerinin oluşturduğu fotodiyot yapıların elektrik ve optik özellikleri
Electrical and optical properties of photodiode structures formed by surface polymerization of P[(EGDMA-VPCA)-SWCNT] films on n-GaAs and n-Si semiconductors
- Tez No: 561601
- Danışmanlar: PROF. DR. MUHİTDİN AHMETOĞLU
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Polimer Bilim ve Teknolojisi, Physics and Physics Engineering, Polymer Science and Technology
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2019
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Bursa Uludağ Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 103
Özet
Son yıllarda Schottky bariyer diyotlarında büyük bir araştırma ve geliştirme çalışması canlandı. Bu aktivite, yarıiletken teknolojisindeki metalle temasların önemi ile büyük ölçüde esinlenmiştir. Yarıiletken üzerinde ince bir polimer tabakanın varlığı metal/yarıiletken Schottky yapılarda önemli rol oynadığı bilinmektedir. İletken polimerlerin elektriksel ve optik özellikleri, teknolojik açıdan çok önemlidir. Bu çalışmada, ilk olarak yüzey polimerizasyon tekniği ile n-Si ve n-GaAs üzerine ince polimer film kaplanarak, P[(EGDMA-VPCA)-SWCNT]/n-GaAs ve P[(EGDMA-VPCA)-SWCNT]/n-Si fotodiyot yapıları elde edilmiştir. Bu iki fotodiyotun elektriksel özellikleri farklı sıcaklıklarda elektrik özellikleri incelenmiştir. Farklı dalga boyunda lazer ışınları ile aydınlatılarak numunelerin akım–voltaj karakteristikleri incelenmiştir. Spektral duyarlılık ölçümleri, Oriel Cornerstone 260 VIS-NIR Monokromatör sistemi kullanılarak elde edilmiştir. İncelenmiş olan yapıların VIS (Görünür) ve NIR (Yakın Kızılötesi) fotodetektör uygulamaları için iyi bir aday olduğu görülmüştür.
Özet (Çeviri)
In recent years, a major research and development has been revived in Schottky barrier diodes. This activity has been greatly inspired by the importance of metal contacts in semiconductor technology. The presence of a thin polymer layer on the semiconductor is known to play an important role in metal / semiconductor Schottky structures. Electrical and optical properties of conductive polymers are very important in terms of technology. In this study, firstly P[(EGDMA-VPCA) -SWCNT]/n-GaAs and P [(EGDMA-VPCA) -SWCNT]/n-Si photodiode structures were obtained by coating thin polymer film on n-Si and n-GaAs by surface polymerization technique. The electrical properties of these two different photodiodes were investigated. The current – voltage characteristics of the samples were examined by illuminating with different wavelength laser beams. Spectral sensitivity measurements were obtained using Oriel Cornerstone 260 VIS-NIR Monochromator system. The structures investigated have been found to be a good candidate for VIS (Visible) and NIR (Near Infrared) photodetector applications.
Benzer Tezler
- Geniş bant aralıklı ZnO'nun, elektrokimyasal olarak büyütülmesi, karakterizasyonu ve mümkün elektronik uygulamalarının araştırılması
Electrochemical growth and characterization of wide bandgap and investigation of its possible electronic applications
HATİCE ASIL
Doktora
Türkçe
2010
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. CEVDET COŞKUN
- Organik tabanlı güneş pili üretimi ve karakterizasyonu
Organik tabanli güneş pili üretimi ve karakterizasyonu
SAEEDULLAH SAJJAD
Yüksek Lisans
Türkçe
2013
Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. AHMET ALTINDAL
- Katkılı ve katkısız GaAs ince filmlerin üretilmesi ve bazı özelliklerinin incelenmesi
Preparation of doped and undoped GaAs thin films and investigation of their some properties
VOLKAN ŞENAY
Doktora
Türkçe
2016
Fizik ve Fizik MühendisliğiEskişehir Osmangazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. SUAT PAT
- Dış elektrik alanın bazı yarı iletkenlerin kütle soğurma katsayısına etkisi
The effect of external electric field on mass attenuation coefficient of some semiconductors
SERDAR YAVUZ
Yüksek Lisans
Türkçe
2011
Fizik ve Fizik MühendisliğiRize ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MEHMET ŞAHİN
- Simulation of betavoltaic batteries with geant4
Betavoltaik pillerin geant4 programı ile benzetimi
BERRİN CANKILIÇ
Yüksek Lisans
İngilizce
2022
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiNükleer Araştırmalar Ana Bilim Dalı
PROF. DR. İSKENDER ATİLLA REYHANCAN