Zn (In2S3)S yarıiletken filmlerinin bazı fiziksel özellikleri
Some physical properties of the Zn (In2S3)S semiconducting films
- Tez No: 56985
- Danışmanlar: PROF.DR. MUHSİN ZOR
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 1996
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Eskişehir Osmangazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 117
Özet
ÖZET Zn(In2S3)S yapısındaki yarıiletken filmler spray- pyrolysis yöntemiyle elde edilmiştir. Filmlerin yasak enerji aralıklarının 2.65-3.00 eV arasında değiştiği ve filmlerin n-tipi özellik gösterdiği belirlenmiştir. X-Işını kırınım desenlerinden filmlerin polikristal yapıda olduğu görülmüştür. Akım voltaj ölçümlerinde space-charge-limited ve omik akım gözlenmiştir. Space-charge-limited akımı görülen filmlerde n0'm 2. 5xl0ıx- 7. 2x1 0 13 cm-3, Nt ' n i n 3.3xl014-lxl015 cm“3, Et'nin 0.23-0.40 eV ve p.'nün 0.044-0.91 cm2V”1s-1 arasında değiştiği hesaplanmıştır. Filmlerin tamamında ac iletkenliğin
Özet (Çeviri)
SUMMARY The films of the Zn(In2S3)S compound semiconductors have been deposited by the method of the spray-pyrolysis.The band gap varied between 2.65 and 3.00 eV and the films showed n-type characteristics. The x-ray spectrum of the films showed that they are polycrystalline. The current-voltage characteristics showed the space-charge-limited and ohmic conductions. From the space-charge-limited conduction data it was found that n0 is varied from 2.5X1011 to 7.2xl013 cm“3, Nt from 3.3xl014 to lxlO15 cm”3, Et from 0.23 to 0.40 eV below the conduction band and fl of the carriers from 0.044 to 0.91 cm2V_1s"1. The ac conductivities of the films observed to fit frequency dependent model of cos in which s varied from 0.6 to 0.9.
Benzer Tezler
- Bakır indiyum sülfür ince filmlerinin sprey piroliz yöntemiyle üretilmesi ve fotoelektrokimyasal güneş pili uygulamalarında kullanımı
Copper indium sulfide thi̇n film production with spray pyrolysis and its usage in photoelectrochemical cells
EMRE YARALI
Yüksek Lisans
Türkçe
2017
Mühendislik BilimleriTOBB Ekonomi ve Teknoloji ÜniversitesiMikro ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. NURDAN DEMİRCİ SANKIR
- Capacitance-voltage and current-voltage characteristic properties of ZnO:Al/p-Si heterojunction
ZnO:Al/p-Si heterokavşakların kapasitans-voltaj ve akım-voltaj karakteristik özellikleri
YELİZ KÖSE
Yüksek Lisans
İngilizce
2015
Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiMetalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MURAT BAYDOĞAN
- Metal-oksit nanotel tabanlı aygıtların üretimi ve karakterizasyonu
Fabrication and characterization of metal-oxide nanowire based devices
MUSTAFA COŞKUN
Doktora
Türkçe
2017
Fizik ve Fizik MühendisliğiMarmara ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. FATİH DUMLUDAĞ
PROF. DR. AHMET ALTINDAL
- Yüksek sıcaklık katıhal reaksiyonu yöntemi ile sıcaklıkta üretilen Sn+4/A+2 (A= Zn, Mg) çift ikameli In2O3 saydam iletken oksitlerinin karakterizasyonu
Characterization of Sn+4/A+2 (A=Zn, Mg) cosubstituted In2O3 transparent conductive oxides produced by high temperature solid state reaction at temperature
SERKAN ÇOŞKUN
Yüksek Lisans
Türkçe
2024
Fizik ve Fizik MühendisliğiOsmaniye Korkut Ata ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ NAZMİ SEDEFOĞLU
- M-selenit (M: CU, ZN, GA ve IN) nanopartiküllerinin sentezi için yeni ıslak kimyasal yöntemlerin geliştirilmesi
Development of new wet-chemical methods for the synthesis of m-selenide (M: CU, ZN, GA, and IN) nanoparticles
AHMET EMRE KASAPOĞLU
Doktora
Türkçe
2024
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiNanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ÖNDER METİN