Geri Dön

Silikon ve safir alttaşlar üzerine epitaksiyel büyütülmüş aln ince filmlerin elektriksel karakterizasyonu

Electrical characterization of epitaxially grown ain thin films on silicon and sapphire substrates

PDF İndir

  1. Tez No: 668435
  2. Yazar: KAĞAN MURAT PÜRLÜ
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. İLKAY DEMİR
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Fizik ve Fizik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2021
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Sivas Cumhuriyet Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Nanoteknoloji Mühendisliği Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 101

Özet

III-Nitrat olarak adlandırılan yapılar periyodik cetvelin III grubu elementleri In, Ga ve Al'un V grubu elementi N ile yaptığı bileşik (GaN, AlN, InN) veya alaşımlar (InGaN, AlGaN, InAlN vb) olarak tanınır. AlN aralarında en geniş yasak bant aralığı ve yüksek kırılma gerilimine sahip olması nedeni ile elektronik ve optoelektronik cihaz uygulamaları için ilgi odağı olmuştur. AlN tabanlı yarıiletkenlerin beklenildiği kadar gelişememesinin en büyük nedenlerinden bir tanesi ucuz, geniş çaplı ve katkılı AlN alttaş üretiminin oldukça yüksek maliyetli olmasıdır. Bu nedenle AlN tabanlı aygıt uygulamaları büyük çoğunlukla silikon ve safir alttaşlar üzerine büyütülmektedir. Bu tez kapsamında, safir ve silikon alttaşlar üzerine AlN yapıları MOCVD ile epitaksiyel olarak büyütülerek n-tipi katkılama yapılmıştır. Katkılama sonucunda omik ve Schottky kontaklar oluşturularak I-V karakteristikleri, direnç değerleri, idealite faktörleri ve engel yüksekliği gibi özellikleri bulunmuştur. Sıcaklığa bağlı olarak I-V grafiklerinden direnç değişimine karşı engel yüksekliği sonuçları yorumlanmıştır. Bu sonuçlara ek olarak Hall olayı etkisi ölçümleri ile taşıyıcı yoğunluğu ve mobilite değerleri elde edilmiştir.

Özet (Çeviri)

III group elements of the periodic table called III-Nitrate are known as the compound (GaN, AlN, InN) or alloys (InGaN, AlGaN, InAlN, etc.) made by In, Ga and Al with the V group element N. AlN has been the focus of attention for electronic and optoelectronic device applications due to its widest barrier bandgap and high breakdown voltage. One of the biggest reasons why AlN-based semiconductors could not be developed as expected is the high cost of cheap, large-scale and doped AlN substrate production. For this reason, AlN-based device applications are mostly grown on silicon and sapphire substrates. In this study, AlN structures epitaxially were grown by MOCVD on sapphire and silicon substrates and n-type doped.As a result of doping, ohmic and Schottky contacts were created and properties such as I-V characteristics, resistance values, ideality factors and barrier height were found. Depending on the temperature, the results of barrier height against resistance change from I-V graphs are interpreted. In addition to these results, carrier density and mobility values were obtained by Hall effect measurements.

Benzer Tezler

  1. Tez No

    355331

    Growth, characterization and fabrication of AlGaN/GaN high electron mobility transistors on silicon carbide substrates

    Yüksek elektron mobiliteli transistörlerin silisyum karbür alttaşlar üzerine büyütülmesi, karakterizasyonu ve fabrikasyonu

    AYÇA EMEN

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2014

    Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    DOÇ. DR. HÜSNÜ EMRAH ÜNALAN

    PROF. DR. RAŞİT TURAN

  2. Tez No

    441858

    Eş püskürtme tekniği ile büyütülen mgzno ince filmlerin yapısal ve optiksel karakterizasyonu

    The structural and optical characterization of mgzno thin films by magnetron co-sputtering

    NESLİHAN BOZKURT

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2016

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. AKİF ÖZBAY

  3. Tez No

    434871

    Rf-magnetron sıçratma yöntemi ile cam alttaşlar üzerine ZrO2 ince filmlerin oluşturulması ve elde edilen ince filmlerin karakterizasyonu

    ZrO2 thin film growth on glass substrates by rf- magnetron sputtering and characterizations of thin films

    PINAR KÖÇ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2016

    Mühendislik BilimleriAtatürk Üniversitesi

    Nanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ÖNDER ŞİMŞEK

  4. Tez No

    105622

    İyon bombardımanının reaktif DC magnetron kopartma tekniğiyle büyütülen metalik ince filmlerin yapısal ve elektriksel özellikleri üzerindeki etkileri

    Effects of ion bombardment on the structural and electrical properties of metallic thin films prepared by reactive DC magnetron sputtering

    ÖZLEM DUYAR

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2001

    Fizik ve Fizik MühendisliğiHacettepe Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ZAFER DURUSOY

  5. Tez No

    538954

    Crystal growth and investigations on the effects of hydrogen doping of Vo 2

    Vo 2 kristal büyütmesı ve hidrojen ile katkılanmasının üzerine incelemeler

    KORAY YAVUZ

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2019

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi

    Malzeme Bilimi ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı

    DR. ÖĞR. ÜYESİ TALİP SERKAN KASIRGA

Geri Dön