Geri Dön

ZnO İNCE FİLMLERİN OPTİK ve AYGIT ÖZELLİKLERİNİNMOLARİTE İLE KONTROLÜ

CONTROLLING OF OPTICAL AND DEVICE PROPERTIES OFZnO THIN FILMS BY MOLARITY

  1. Tez No: 582305
  2. Yazar: MELTEM COŞKUN
  3. Danışmanlar: PROF. DR. MURAT SOYLU
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: ZnO ince film, molar konsantrasyon, optik özellikler, diyot, elektriksel karakteristikler, ZnO thin film, molar concentration, diode, optical properties, electrical characteristics
  7. Yıl: 2019
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Bingöl Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Katıhal Fiziği Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Fizik Bilim Dalı
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

Çinko oksit (ZnO) nanofiberlerin sentezi, 2-methoxyethanol ve monoethanolamine kullanılarak, çinko asetat dehidrat (ZnAc)'ın molar konsantrasyonunun değiştirilmesi ile gerçekleştirildi. X-ışını difraksiyon ölçümleri, ZnO ince filmlerin yüksek çözelti konsantrasyonuna sahip numunerinin daha iyi kristallenme özelliği sergilediğini gösterdi. Atomik kuvvet mikroskobu (AFM) görüntüleri ZnO nanofiberlerin varlığını gösterdi. Artan çözelti konsantrasyonu ile değişen optik özellikler, geçirgenlik, soğurma ve yansıma ölçümlerinden anlaşıldı. n-tip ZnO ince filmlerin band gap (Eg) daralması (3,28 eV'dan 3,22 eV'a), molar konsantrasyondaki artış ile soğurma kenarı boyunca gözlendi. n-ZnO/p-Si heteroeklem yapısı düşük doğrultma oranı (Rectification Ratio, RR) gösterdi. Akım-Voltaj (I-V) karakteristikleri, iletkenliğin azalan çözelti konsantrasyonu (0.5 M'dan 0.2 M'a) ile arttığını ortaya çıkardı. Sonuçta, çözelti konsantrasyonunun molar yüzdesinin optimum değerinin fotovoltaik ve optoelektronik uygulamalar için umut verici olduğu görüldü.

Özet (Çeviri)

Zinc oxide (ZnO) nanofibers were synthesised by changing the molar concentration (M) of zinc acetate dihydrate (ZnAc) using 2-methoxyethanol and monoethanolamine. X-ray diffraction measurements indicated that ZnO thin films exhibited good crystallinity at high precursor concentration. Atomic force microscopy (AFM) images showed that ZnO formed from nanofibers. The recorded transmittance, absorbance and reflectance measurements showed that the optical properties changed as the precursor concentration increased. The forbidden energy gap (Eg) narrowing from 3,28 eV to 3,22 eV for nanofiber structured ZnO thin films was seen through the absorption edge with increase in molar concentration. The heterojunctions (n-ZnO/p-Si) obtained by ZnO formed on p-type Si substrate exhibited low rectifying ratio (RR). The current-voltage (I-V) characteristics showed that the conductivity increased with decreasing molar concenration (from 0.5 to 0.2 M). It was seen that an optimum value of precursor concentration at molar percentage provided promising results for photovoltaic and optoelectronic applications.

Benzer Tezler

  1. ZnO ince filmlerinin eldesi ve aygıt üretimi için parametrelerinin optimizasyonu

    Deposition of thin ZnO films and parameter optimization for device production

    EBRU ŞENADIM TÜZEMEN

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2007

    Fizik ve Fizik MühendisliğiÇukurova Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. RAMAZAN ESEN

  2. Yeni nesil ince filmler ile optoelektronik uygulamaların araştırılması

    Investigation of optoelectronic applications with novel thin films

    MEHMET DENİZ ÇALIŞKAN

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2014

    Bilim ve TeknolojiHacettepe Üniversitesi

    Nanoteknoloji ve Nanotıp Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ŞADAN ÖZCAN

  3. Electrical properties and device applications of atomic layer deposited ZnO and GaN thin films

    Atomik katman kaplama metoduyla büyütülen ZnO ve GaN ince filmlerin elektriksel özellikleri ve aygıt uygulamaları

    SAMİ BOLAT

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2014

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. ALİ KEMAL OKYAY

  4. Çinko oksit yarı iletkeninin yapısal, optik ve elektriksel karakterizasyon teknikleriyle incelenmesi

    An investigation of semiconductor zinc oxide via structural, optical and electrical characterization techniques

    EMRE GÜR

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2007

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF.DR. SEBAHATTİN TÜZEMEN

  5. Bizmut katkılı çinko oksit ince filmlerin üretilmesi ve karakterizasyonu

    Bismuth doped zinc oxide thin films production and characterization

    KADRİYE YALÇIN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2019

    Metalurji MühendisliğiFırat Üniversitesi

    Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. TÜLAY YILDIZ