Optoelektronik cihazların modellenmesi için III-V bileşiklerinin fiziksel özelliklerine sıcaklığın ve basıncın etkisi
The effect of temperature and pressure on the physical properties of III-V compounds for modeling optoelectronic devices
- Tez No: 605300
- Danışmanlar: PROF. DR. İDRİS KABALCI
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Biyomühendislik, Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Mühendislik Bilimleri, Bioengineering, Electrical and Electronics Engineering, Engineering Sciences
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2019
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Karabük Üniversitesi
- Enstitü: Lisansüstü Eğitim Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Biyomedikal Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Biyomedikal Mühendisliği Bilim Dalı
- Sayfa Sayısı: 67
Özet
Günümüzde hızla gelişen ileri teknolojilerin en büyük gereksinimlerinin biri, veri iletişimi alanında kullanılan yarı iletken cihazlarda ve entegre devrelerinde kullanılan malzemelerin miktarını en aza indirgemek, uzun ömürlü ve daha az enerji harcayarak cihazların kalitesini artırmaya yöneliktir. 1947 yılında Bipolar transistorların icadı ile birlikte, yarı iletken esaslı malzemelerin, cihazların üretimi ve potansiyel uygulamaları üzerine araştırmalar hızla gelişmiştir. Yarı iletken cihazlar dört ana grupta sırasıyla, Bipolar Transistorlar, Ünipolar Transistor, Fotonik Cihazlar, Mikro Dalga Transistorlar olarak sınıflandırabilir. GaAs, InGaN ve III-V grup bileşikleri üzerine dayandırılan yarı iletken cihazların bilim ve teknolojideki önemli uygulamalarına rağmen, halen sıcaklık, basınç ve konsantrasyonun artmasına bağlı olarak çözümlenmesi gereken konular bulunmaktadır. GaAs, InGaN ve III-V grup bileşiklerinin sıcaklığın artmasına bağlı olarak, enerji bant aralığı, elektron ve boşlukların etkin kütlesi azalırken, dielektrik sabiti artış göstermektedir. Dolaysıyla yüksek sıcaklık ve basıncın heteroyapılı Bipolar ve Alan Etkili Transistörlerin performansı, enerji bant aralığına ve malzemenim diğer fiziksel özelliklerine bağlı olarak değişim gösterebilmektedir. Bu tezde, yarı iletken cihazların yapısal ve fiziksel özelliklerinin üzerine, farklı sıcaklık ve iyon konsantrasyonlarının çeşitli yarı iletken diyotların (LED) enerji bant aralıkları, iyon konsantrasyonları ve mobilitelerinin değişimi irdelenmiştir. Anahtar Sözcükler : Yarı İletken, Enerji Bant Aralığı, GaAs, Sıcaklık, Mobilite
Özet (Çeviri)
One of the biggest requirements of today's rapidly developing advanced technologies is to minimize the amount of materials used in semiconductor devices and integrated circuits used in the field of data communication and to increase the quality of devices by consuming less energy and life time. With the invention of bipolar transistors in 1947, research on the production and potential applications of semiconductor based on advanced materials and devices developed. Semiconductor devices can be classified into four main groups as Bipolar Transistors, Unipolar Transistors, Photonic Devices, Microwave Wave Transistors, respectively. Despite the important applications of semiconductor devices based on GaAs, InGaN and III-V group compounds in science and technology, there are still issues that need to be solved due to increasing temperature, pressure and concentration. Due to the increase in temperature of the GaAs, InGaN and III-V group compounds, the energy band gap, the effective mass of electrons and holes decrease while the dielectric constant increases. Hence, the performance of high-temperature and pressure of the heterostructured Bipolar and Field Effect Transistors may vary depending on the energy bandgap and other physical properties of the semiconductor material. In this researches, on the structural and physical properties of semiconductor devices, the changes in energy bandgap, ion concentrations and mobilities of various semiconductor diodes (LEDs) for different temperature and ion concentrations has been investigated. Key Word : Semiconductor, Energy Bandwidth, GaAs, Temperature, Mobility
Benzer Tezler
- Modelling of novel bismide alloys for optoelectronic devices
Optoelektronik cihazlar için bizmut alaşımlarının modellenmesi
NURETTİN GÖKDENİZ
Yüksek Lisans
İngilizce
2019
Fizik ve Fizik MühendisliğiGaziantep ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. BEŞİRE GÖNÜL
DR. ÖĞR. ÜYESİ ÖMER LÜTFİ ÜNSAL
- Modeling of semiconductor devices based on quantum wells: Quantum cascade laser as an example
Kuvantum kuyularına dayanan yarı iletken aygıtların modellenmesi: Kuantum ardıl lazer örneği
HAMED ABBASIAN
Yüksek Lisans
İngilizce
2018
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
Prof. OĞUZ GÜLSEREN
- Kuantum noktaların elektrik ve gerinim alanları etkisi altında modellenmesi ve tasarımı
Modeling and design of quantum dots under the effect of electric and stress field
NUR SEDA AYDIN
Yüksek Lisans
Türkçe
2017
Metalurji MühendisliğiTOBB Ekonomi ve Teknoloji ÜniversitesiMikro ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. ERSİN EMRE ÖREN
- A review of the applications of vision-based 3D as-built data acquisition technologies in the construction industry
İnşaat sektöründe 3D as-built veri toplama uygulamalarının incelenmesi
MAHMOUD ABUFOUDA
Yüksek Lisans
İngilizce
2018
İnşaat Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesiİnşaat Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ESİN ERGEN PEHLEVAN
- Development of multi-layer conductive polymer nanocomposites for electromagnetic shielding application
Elektromanyetik kalkanlama uygulamaları için katmanlı iletken polimer nano kompozitlerinin geliştirilmesi
FATMA ZEHRA ENGİN SAĞIRLI
Doktora
İngilizce
2017
Bilim ve Teknolojiİstanbul Teknik ÜniversitesiMalzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. EYÜP SABRİ KAYALI
PROF. DR. ABDÜLKADİR SEZAİ SARAÇ