Geri Dön

Temperature dependent electrical properties of MoS2/n-Si heterojunction

MoS2/n-Si heteroeklemin sıcaklığa bağlı elektriksel özellikleri

  1. Tez No: 616401
  2. Yazar: HONAR SALAH AHMED
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. YUSUF SELİM OCAK
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2015
  8. Dil: İngilizce
  9. Üniversite: Dicle Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Katıhal Fiziği Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 52

Özet

Günümüzde MoS2 ince filmlere sahip oldukları elektriksel, optik, mekanik, manyetik ve elektrokimyasal özelliklerinden dolayı yoğun ilgi görmektedir. Bundan dolayı, MoS2 tabanlı kontaklar görünür-yakın kızıl ötesi fotodedektörleri, alan etkili transistörler, güneş pilleri ve gas sensörleri gibi bir çok elektronik aygıtın üretiminde kullanılabilir. Bu çalışmada, Al/MoS2/n–Si heteroeklem diyotu MoS2 ince filminin n-Si alttaş üzerine radyo frekansı (RF) saçtırma yöntemi ile biriktirilerek ve Al metalinin MoS2/n–Si yapı üzerine buharlaştırılması ile oluşturuldu. Cam üzerine biriktirilen MoS2 in filmin optik özellikleri uv-vis verileri ile karakterize edilmiştir. Son olarak, Al/MoS2/n-Si heteroeklemin sıcaklığa bağlı elektriksel özellikleri 150-400 K aralığında karanlıkta alınan akım-gerilim ölçümleri ile belirlendi. Sonuçlar, idealite faktörü, engel yüksekliği ve seri direnç gibi elektriksel parametrelerin sıcaklığa kuvvetlice bağlı olduğu göstermiştir.

Özet (Çeviri)

MoS2 thin films nowadays have attracted a great interest due to their good electrical, optical, mechanical, magnetic and electrochemical properties. Therefore, MoS2 based contacts can be used in the fabrication and construction of numerous types of electronic devices including visible–near infrared photo detectors, field effect transistors, solar cells and gas sensors. In this work, Al/MoS2/n–Si heterojunction diode was acquired via the formation of MoS2 thin film on n–Si substrate using radio frequency (RF) sputtering technique and an evaporation of Al metal on MoS2/n–Si structure. The optical properties properties of MoS2 thin film deposited onto a soda lime glass were characterized using UV-VIS data. Finally, the temperature dependent electrical parameters of Al/MoS2/n-Si heterojunction were determined using its current-voltage (I-V) measurements within 150-400 K in dark. The results showed that the electrical parameters such as ideality factor, barrier height and series resistance were strongly sensitive to temperature.

Benzer Tezler

  1. İki boyutlu yarıiletken TMDC malzemelerin katkılanması ve optik/elektriksel özelliklerinin incelenmesi

    Doping of two-dimensional semiconductor TMDC materials and characterisation of optical/electrical properties

    YUSUF KEREM BOSTAN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2023

    Bilim ve Teknolojiİstanbul Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. FAHRETTİN SARCAN

  2. Molibden katkılı elmas-benzeri karbon filmlerin üretimi, karakterizasyonu ve tribolojik özellikleri

    Production, characterization and tribological properties of molybdenum doped diamond-like carbon films

    EMRE ALP

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2012

    Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. M. KÜRŞAT KAZMANLI

  3. Growth of two-dimensional TMDCs and MXene novel structures for high performance transistor applications

    Yüksek performanslı transistör uygulamaları için yenilikçi iki boyutlu geçiş metal kalkojeniti ve MXene yapılarının üretilmesi

    MERVE ÖPER

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2020

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiEskişehir Teknik Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. NİHAN KOSKU PERKGÖZ

  4. Composite carbon nanofiber anodes for na ion batteries

    Sodyum iyon piller için kompozit karbon nanofiber anotlar

    ELHAM ABDOLRAZZAGHIAN

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2022

    Mühendislik Bilimleriİstanbul Teknik Üniversitesi

    Nanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. MELTEM YANILMAZ