Temperature dependent electrical properties of MoS2/n-Si heterojunction
MoS2/n-Si heteroeklemin sıcaklığa bağlı elektriksel özellikleri
- Tez No: 616401
- Danışmanlar: DOÇ. DR. YUSUF SELİM OCAK
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Yoğun madde fiziği, Condensed matter physics
- Yıl: 2015
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Dicle Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Katıhal Fiziği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Günümüzde MoS2 ince filmlere sahip oldukları elektriksel, optik, mekanik, manyetik ve elektrokimyasal özelliklerinden dolayı yoğun ilgi görmektedir. Bundan dolayı, MoS2 tabanlı kontaklar görünür-yakın kızıl ötesi fotodedektörleri, alan etkili transistörler, güneş pilleri ve gas sensörleri gibi bir çok elektronik aygıtın üretiminde kullanılabilir. Bu çalışmada, Al/MoS2/n–Si heteroeklem diyotu MoS2 ince filminin n-Si alttaş üzerine radyo frekansı (RF) saçtırma yöntemi ile biriktirilerek ve Al metalinin MoS2/n–Si yapı üzerine buharlaştırılması ile oluşturuldu. Cam üzerine biriktirilen MoS2 in filmin optik özellikleri uv-vis verileri ile karakterize edilmiştir. Son olarak, Al/MoS2/n-Si heteroeklemin sıcaklığa bağlı elektriksel özellikleri 150-400 K aralığında karanlıkta alınan akım-gerilim ölçümleri ile belirlendi. Sonuçlar, idealite faktörü, engel yüksekliği ve seri direnç gibi elektriksel parametrelerin sıcaklığa kuvvetlice bağlı olduğu göstermiştir.
Özet (Çeviri)
MoS2 thin films nowadays have attracted a great interest due to their good electrical, optical, mechanical, magnetic and electrochemical properties. Therefore, MoS2 based contacts can be used in the fabrication and construction of numerous types of electronic devices including visible–near infrared photo detectors, field effect transistors, solar cells and gas sensors. In this work, Al/MoS2/n–Si heterojunction diode was acquired via the formation of MoS2 thin film on n–Si substrate using radio frequency (RF) sputtering technique and an evaporation of Al metal on MoS2/n–Si structure. The optical properties properties of MoS2 thin film deposited onto a soda lime glass were characterized using UV-VIS data. Finally, the temperature dependent electrical parameters of Al/MoS2/n-Si heterojunction were determined using its current-voltage (I-V) measurements within 150-400 K in dark. The results showed that the electrical parameters such as ideality factor, barrier height and series resistance were strongly sensitive to temperature.
Benzer Tezler
- Metal/oksit tabaka/silisyum yarıiletken/metal yapıların elektriksel özellikleri
Electrical properties of metal/oxide layer/silicon semiconductor/metal structures
MUHAMMED CAN ÖZDEMİR
Yüksek Lisans
Türkçe
2019
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Medeniyet ÜniversitesiNanobilim ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ABDULMECİT TURUT
- Yüksek dielektrik sabitli yalıtkan filmlerin üretilmesi ve mos yapıda incelenmesi
Fabrication and characterization of high-k dielectric films in mos structure
AYŞE EVRİM SAATCİ
Doktora
Türkçe
2015
Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. KUBİLAY KUTLU
- Band geçiren aktif OTA-C filtrelerinin quad ve kaskad yöntemi kullanılarak tasarımı ve duyarlılık analizi
Design of bandpass active OTA-C filter using cascade and quad methods and sensitivity analysis
A. GÜNAY AĞALAR
Yüksek Lisans
Türkçe
1997
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiElektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ALİ NUR GÖNÜLEREN
- Modeling and implementation of biological neural systems
Biyolojik sinir sistemlerinin modellenmesi ve gerçeklenmesi
ÖZGÜR ERDENER
Doktora
İngilizce
2016
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiElektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. İSMAİL SERDAR ÖZOĞUZ
- Synthesis and optoelectronic properties of two-dimensional transition metal dichalcogenides
Başlık çevirisi yok
İSMAİL BİLGİN