Geri Dön

Temperature dependent electrical properties of MoS2/n-Si heterojunction

MoS2/n-Si heteroeklemin sıcaklığa bağlı elektriksel özellikleri

  1. Tez No: 616401
  2. Yazar: HONAR SALAH AHMED
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. YUSUF SELİM OCAK
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Yoğun madde fiziği, Condensed matter physics
  7. Yıl: 2015
  8. Dil: İngilizce
  9. Üniversite: Dicle Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Katıhal Fiziği Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

Günümüzde MoS2 ince filmlere sahip oldukları elektriksel, optik, mekanik, manyetik ve elektrokimyasal özelliklerinden dolayı yoğun ilgi görmektedir. Bundan dolayı, MoS2 tabanlı kontaklar görünür-yakın kızıl ötesi fotodedektörleri, alan etkili transistörler, güneş pilleri ve gas sensörleri gibi bir çok elektronik aygıtın üretiminde kullanılabilir. Bu çalışmada, Al/MoS2/n–Si heteroeklem diyotu MoS2 ince filminin n-Si alttaş üzerine radyo frekansı (RF) saçtırma yöntemi ile biriktirilerek ve Al metalinin MoS2/n–Si yapı üzerine buharlaştırılması ile oluşturuldu. Cam üzerine biriktirilen MoS2 in filmin optik özellikleri uv-vis verileri ile karakterize edilmiştir. Son olarak, Al/MoS2/n-Si heteroeklemin sıcaklığa bağlı elektriksel özellikleri 150-400 K aralığında karanlıkta alınan akım-gerilim ölçümleri ile belirlendi. Sonuçlar, idealite faktörü, engel yüksekliği ve seri direnç gibi elektriksel parametrelerin sıcaklığa kuvvetlice bağlı olduğu göstermiştir.

Özet (Çeviri)

MoS2 thin films nowadays have attracted a great interest due to their good electrical, optical, mechanical, magnetic and electrochemical properties. Therefore, MoS2 based contacts can be used in the fabrication and construction of numerous types of electronic devices including visible–near infrared photo detectors, field effect transistors, solar cells and gas sensors. In this work, Al/MoS2/n–Si heterojunction diode was acquired via the formation of MoS2 thin film on n–Si substrate using radio frequency (RF) sputtering technique and an evaporation of Al metal on MoS2/n–Si structure. The optical properties properties of MoS2 thin film deposited onto a soda lime glass were characterized using UV-VIS data. Finally, the temperature dependent electrical parameters of Al/MoS2/n-Si heterojunction were determined using its current-voltage (I-V) measurements within 150-400 K in dark. The results showed that the electrical parameters such as ideality factor, barrier height and series resistance were strongly sensitive to temperature.

Benzer Tezler

  1. Metal/oksit tabaka/silisyum yarıiletken/metal yapıların elektriksel özellikleri

    Electrical properties of metal/oxide layer/silicon semiconductor/metal structures

    MUHAMMED CAN ÖZDEMİR

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2019

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Medeniyet Üniversitesi

    Nanobilim ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ABDULMECİT TURUT

  2. Yüksek dielektrik sabitli yalıtkan filmlerin üretilmesi ve mos yapıda incelenmesi

    Fabrication and characterization of high-k dielectric films in mos structure

    AYŞE EVRİM SAATCİ

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2015

    Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. KUBİLAY KUTLU

  3. Band geçiren aktif OTA-C filtrelerinin quad ve kaskad yöntemi kullanılarak tasarımı ve duyarlılık analizi

    Design of bandpass active OTA-C filter using cascade and quad methods and sensitivity analysis

    A. GÜNAY AĞALAR

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1997

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ALİ NUR GÖNÜLEREN

  4. Modeling and implementation of biological neural systems

    Biyolojik sinir sistemlerinin modellenmesi ve gerçeklenmesi

    ÖZGÜR ERDENER

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2016

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. İSMAİL SERDAR ÖZOĞUZ