Temperature dependent electrical properties of MoS2/n-Si heterojunction
MoS2/n-Si heteroeklemin sıcaklığa bağlı elektriksel özellikleri
- Tez No: 616401
- Danışmanlar: DOÇ. DR. YUSUF SELİM OCAK
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Yoğun madde fiziği, Condensed matter physics
- Yıl: 2015
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Dicle Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Katıhal Fiziği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Günümüzde MoS2 ince filmlere sahip oldukları elektriksel, optik, mekanik, manyetik ve elektrokimyasal özelliklerinden dolayı yoğun ilgi görmektedir. Bundan dolayı, MoS2 tabanlı kontaklar görünür-yakın kızıl ötesi fotodedektörleri, alan etkili transistörler, güneş pilleri ve gas sensörleri gibi bir çok elektronik aygıtın üretiminde kullanılabilir. Bu çalışmada, Al/MoS2/n–Si heteroeklem diyotu MoS2 ince filminin n-Si alttaş üzerine radyo frekansı (RF) saçtırma yöntemi ile biriktirilerek ve Al metalinin MoS2/n–Si yapı üzerine buharlaştırılması ile oluşturuldu. Cam üzerine biriktirilen MoS2 in filmin optik özellikleri uv-vis verileri ile karakterize edilmiştir. Son olarak, Al/MoS2/n-Si heteroeklemin sıcaklığa bağlı elektriksel özellikleri 150-400 K aralığında karanlıkta alınan akım-gerilim ölçümleri ile belirlendi. Sonuçlar, idealite faktörü, engel yüksekliği ve seri direnç gibi elektriksel parametrelerin sıcaklığa kuvvetlice bağlı olduğu göstermiştir.
Özet (Çeviri)
MoS2 thin films nowadays have attracted a great interest due to their good electrical, optical, mechanical, magnetic and electrochemical properties. Therefore, MoS2 based contacts can be used in the fabrication and construction of numerous types of electronic devices including visible–near infrared photo detectors, field effect transistors, solar cells and gas sensors. In this work, Al/MoS2/n–Si heterojunction diode was acquired via the formation of MoS2 thin film on n–Si substrate using radio frequency (RF) sputtering technique and an evaporation of Al metal on MoS2/n–Si structure. The optical properties properties of MoS2 thin film deposited onto a soda lime glass were characterized using UV-VIS data. Finally, the temperature dependent electrical parameters of Al/MoS2/n-Si heterojunction were determined using its current-voltage (I-V) measurements within 150-400 K in dark. The results showed that the electrical parameters such as ideality factor, barrier height and series resistance were strongly sensitive to temperature.
Benzer Tezler
- Bazı esterlerin kinetik incelenmesi ve termodinamik parametrelerin belirlenmesi
Kinetic study and detesmination of thermodnamic parameters of some esters
İBRAHİM TAŞ
Yüksek Lisans
Türkçe
1986
Kimya MühendisliğiUludağ ÜniversitesiKimya Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MUSTAFA CEBE
- Nükleer rezonasta moleküler yapıların incelenmesi (yapısal faz geçiş kuramları üzerine bir inceleme)
Başlık çevirisi yok
ABDURRAHMAN ANDİÇ
Yüksek Lisans
Türkçe
1986
Fizik ve Fizik MühendisliğiUludağ ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. AYTAÇ YALÇINER
- Kömürdeki piritin giderilmesi ve çözünürleştirme kinetiğinin incelenmesi
Başlık çevirisi yok
YAVUZ ONGANER
- Üzüm sularının pastörizasyonu ve kontsantresi sırasında hidroksimetilfurfural oluşumu üzerinde bir araştırma
Başlık çevirisi yok
ŞERİFE ŞAHİN
Yüksek Lisans
Türkçe
1985
Gıda MühendisliğiEge ÜniversitesiTarım Ürünleri Teknolojisi Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. AYDIN URAL
- Bromtimol mavisi, bromkresol moru ve klorfenol kırmızısı indikatörleri katılmış özel besiyerlerinin sütlerde antibiyotik belirtilmesine uygunluğu üzerine araştırmalar
Başlık çevirisi yok
ESENGÜL TUNCER
Yüksek Lisans
Türkçe
1985
Gıda MühendisliğiEge ÜniversitesiSüt Teknolojisi Ana Bilim Dalı
PROF. DR. HASAN YAYGIN