Temperature dependent electrical properties of MoS2/n-Si heterojunction
MoS2/n-Si heteroeklemin sıcaklığa bağlı elektriksel özellikleri
- Tez No: 616401
- Danışmanlar: DOÇ. DR. YUSUF SELİM OCAK
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2015
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Dicle Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Katıhal Fiziği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 52
Özet
Günümüzde MoS2 ince filmlere sahip oldukları elektriksel, optik, mekanik, manyetik ve elektrokimyasal özelliklerinden dolayı yoğun ilgi görmektedir. Bundan dolayı, MoS2 tabanlı kontaklar görünür-yakın kızıl ötesi fotodedektörleri, alan etkili transistörler, güneş pilleri ve gas sensörleri gibi bir çok elektronik aygıtın üretiminde kullanılabilir. Bu çalışmada, Al/MoS2/n–Si heteroeklem diyotu MoS2 ince filminin n-Si alttaş üzerine radyo frekansı (RF) saçtırma yöntemi ile biriktirilerek ve Al metalinin MoS2/n–Si yapı üzerine buharlaştırılması ile oluşturuldu. Cam üzerine biriktirilen MoS2 in filmin optik özellikleri uv-vis verileri ile karakterize edilmiştir. Son olarak, Al/MoS2/n-Si heteroeklemin sıcaklığa bağlı elektriksel özellikleri 150-400 K aralığında karanlıkta alınan akım-gerilim ölçümleri ile belirlendi. Sonuçlar, idealite faktörü, engel yüksekliği ve seri direnç gibi elektriksel parametrelerin sıcaklığa kuvvetlice bağlı olduğu göstermiştir.
Özet (Çeviri)
MoS2 thin films nowadays have attracted a great interest due to their good electrical, optical, mechanical, magnetic and electrochemical properties. Therefore, MoS2 based contacts can be used in the fabrication and construction of numerous types of electronic devices including visible–near infrared photo detectors, field effect transistors, solar cells and gas sensors. In this work, Al/MoS2/n–Si heterojunction diode was acquired via the formation of MoS2 thin film on n–Si substrate using radio frequency (RF) sputtering technique and an evaporation of Al metal on MoS2/n–Si structure. The optical properties properties of MoS2 thin film deposited onto a soda lime glass were characterized using UV-VIS data. Finally, the temperature dependent electrical parameters of Al/MoS2/n-Si heterojunction were determined using its current-voltage (I-V) measurements within 150-400 K in dark. The results showed that the electrical parameters such as ideality factor, barrier height and series resistance were strongly sensitive to temperature.
Benzer Tezler
- Synthesis and optoelectronic properties of two-dimensional transition metal dichalcogenides
Başlık çevirisi yok
İSMAİL BİLGİN
- Growth of two-dimensional TMDCs and MXene novel structures for high performance transistor applications
Yüksek performanslı transistör uygulamaları için yenilikçi iki boyutlu geçiş metal kalkojeniti ve MXene yapılarının üretilmesi
MERVE ÖPER
Yüksek Lisans
İngilizce
2020
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiEskişehir Teknik ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. NİHAN KOSKU PERKGÖZ
- Composite carbon nanofiber anodes for na ion batteries
Sodyum iyon piller için kompozit karbon nanofiber anotlar
ELHAM ABDOLRAZZAGHIAN
Yüksek Lisans
İngilizce
2022
Mühendislik Bilimleriİstanbul Teknik ÜniversitesiNanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı
DOÇ. MELTEM YANILMAZ
- Yüksek katkılı InxGa1-xAs alaşım yarıiletkenlerin sıcaklık bağımlı elektriksel özellikleri
Temperature dependent electrical properties of high doped InxGa1-xAs alloy semiconductor
ELİF YAZBAHAR
Yüksek Lisans
Türkçe
2012
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesiİleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MEHMET KASAP
- Temperature dependent electrical characterization of NiO/n-Si heterojunction
NiO/n-Si heteroeklemin sıcaklığa bağlı elektriksel karaktarizasyonu
SAVİN HAJİ OMAR
Yüksek Lisans
İngilizce
2015
Fizik ve Fizik MühendisliğiDicle ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ÖMER ÇELİK