Yüksek katkılı InxGa1-xAs alaşım yarıiletkenlerin sıcaklık bağımlı elektriksel özellikleri
Temperature dependent electrical properties of high doped InxGa1-xAs alloy semiconductor
- Tez No: 321601
- Danışmanlar: PROF. DR. MEHMET KASAP
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2012
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: İleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 71
Özet
Bu çalışmada MBE kristal büyütme yöntemi ile büyütülen 3 adet n-tipi InxGa1-xAs/InP (x=0.42, 0.43, 0.44) ve 1 adet n-tipi InxGa1-xAs/GaAs (x=0.20) numuneleri için Hall ölçümleri ve iletkenlik analizleri gerçekleştirildi. İletkenlik, Hall mobilitesi ve taşıyıcı yoğunluğu 15-300K sıcaklık aralığında, 0.4T magnetik alan altında ölçüldü. x=0.42, 0.43 ve 0.44 değerlerine sahip numunelerin elektron iletim özlelikleri; elektron ? elektron etkileşmeleri ve zayıf lokalizasyon etkilerini içeren metalik modelle açıklandı. Ayrıca elektron hareketliliğini etkileyen saçılma mekanizmaları belirlendi. x=0.20 değerli numune için ise elektron iletim özellikleri, Boltzmann eşitliğinin tekrarlanan çözümü (ISBE) kullanılarak iki band modeli ile analiz edildi. Teori ve sonuçlar arasında iyi bir uyum gözlemlendi.Anahtar Kelimeler : MBE, InxGa1-xAs/InP, elektron - elektron etkileşmeleri, zayıf lokalizasyon, ISBE, saçılma mekanizmaları
Özet (Çeviri)
In this study, Hall measurement and conductivity analysis have been investigated for 3 samples of n-type InxGa1-xAs/InP (x = 0.42, 0.43, 0.44) and one sample of n-type InxGa1-XAs/GaAs (x = 0.20) samples grown by MBE crystal growth method. Conductivity, Hall mobility and carrier concentration were measured in temperature range of 15-300K and under 0.4T magnetic field. Electron transport characteristics of the samples with the values of x = 0.42, 0.43 and 0.44 were determined by the metallic model containing electron - electron interactions and weak localization effects. Also, scattering mechanisms effect the mobility of electrons that were determined. Elektron conduction properties of the sample with the value of x = 0.20 were analized by using an iterative solution of the Boltzmann equation (ISBE) with two ? band model. It was seen that there was a good agreement between the theory and the results.Key Words : MBE, InxGa1-xAs/InP, electron - electron interactions, weak localization, ISBE, scattering mechanisms
Benzer Tezler
- A theoretical analysis of GaInNAs/GaAs quantum vells for long wavelength emission
GaInNAs/GaAs uzun dalgaboylu kuantum kuyu lazerlerin teorik olarak incelemmesi
MURAT ODUNCUOĞLU
Doktora
İngilizce
2004
Fizik ve Fizik MühendisliğiGaziantep ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ.DR. BEŞİRE GÖNÜL
- Dalgaboyu genişletilmiş swır dedektör uygulaması için (100) InP alttaş üzerine büyütülen zengin indiyum içerikli InxGa1-xAs epitaksiyel katmanların karekterizasyonu
Characterization of indium rich InxGa1-xAs epitaxial layers grown on (100) InP substrate for extended wavelength swir detector application
REYHAN KEKÜL
Yüksek Lisans
Türkçe
2023
Bilim ve TeknolojiSivas Cumhuriyet ÜniversitesiNanoteknoloji Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. İSMAİL ALTUNTAŞ
- Fabrication and characterization of GaInP/InGuAs/GuAs modulation doped field effect transistors
GaInP/InGuits/GuAs modüle katkılı alan etkili transistörlerin fabrikasyonu ve karakterizasyonu
TOLGA YALÇIN
Yüksek Lisans
İngilizce
2000
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. CENGİZ BEŞİKÇİ
- GaAs/InxGa1-xAs kuantum kuyularının elektronik enerji spektrumu
GaAs/ InxGa1-xAs quantum wells electronic energy spectrum
MEHMET ALİ TOPRAK
Yüksek Lisans
Türkçe
2013
Fizik ve Fizik MühendisliğiCumhuriyet ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SEZAİ ELAGÖZ
- Örgü uyumsuz (x≠0.53, y≠0.52) InxGa1-xAs/InyAl1-yAs kuantum heteroyapılarının movpe ile büyütülmesi ve optik karakterizasyonu
Growth and optical characterization of lattice mismatch (x≠0.53, y≠0.52) InxGa1-xAs/InyAl1-yAs quantum heterostructures by movpe
İZEL PERKİTEL
Yüksek Lisans
Türkçe
2022
Bilim ve TeknolojiSivas Cumhuriyet ÜniversitesiNanoteknoloji Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. İLKAY DEMİR
PROF. DR. YÜKSEL ERGÜN