Elektrokimyasal büyütme tekniği ile fe2o3 ince filmlerin elde edilmesi ve tavlamaya bağlı değişiminin incelenmesi
The investigation of change depent on annealing and obtaining of fe2o3 thin films by electrochemical deposition technique
- Tez No: 619769
- Danışmanlar: DR. ÖĞR. ÜYESİ KÜBRA ÇINAR DEMİR
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2020
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Atatürk Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Nanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Nanobilim ve Nanomühendislik Bilim Dalı
- Sayfa Sayısı: 106
Özet
Elektrokimyasal büyütme tekniği ile ITO kaplı cam altlıklar üzerine hematit ince filmlerinin sentezi ve büyütme sonrası tavlama sıcaklığına bağlı film yapısındaki değişimler incelenmiştir. Büyütme sonrası 500-600oC aralığındaki sıcaklıklarda tavlanmasıyla oluşan Fe2O3 ince filmlerin yapısal, optik ve morfolojik karakteristikleri XRD, Soğurma, Raman, SEM, FTIR ve AFM ölçümleriyle belirlendi. Soğurma ölçümleriyle ITO üzerine büyütülen Fe2O3 filmlerinin tavlamaya bağlı olarak değişen yasak enerji aralığı 2,0 ile 2,2 eV arasında bir değer olarak hesaplandı. Büyütülen filmlerin tavlama sonrasındaki XRD analizinde Fe2O3 filmi rombohedral kristal yapı oluşturduğu gözlemlenmiştir. Hematit ince filmlerinin farklı tavlama sıcaklıklarına bağlı olarak 209 ile 1305 cm-1 aralığında Raman pikleri gözlemlenmiştir. SEM analizinde hematit yapısına ait kristal yapıların oluştuğu belirgin bir şekilde görülmekte ve tavlama sıcaklığının artmasıyla tanecik boyutunda artışların olduğu gözlemlenmiştir. FTIR analizlerinde tavlama öncesine ait pikler 462,3-1558,3 cm-1 aralığında iken, farklı sıcaklıklarda çalışılan tavlama işleminden sonra 471,5-3660,5 cm-1 yükselmiştir. Farklı tavlama sıcaklıklarında alınan AFM görüntülerin yüzey pürüzlülük değerleri (11-46 nm aralığında) ortalama pürüzlülük değerleriyle (14-51 nm aralığında) uyumlu olduğu gözlemlenmiştir. Tavlama sıcaklığı arttıkça hematit ince film yapısında iyileşmelerin olduğu analizler sonucunda belirtilmiştir.
Özet (Çeviri)
By using electrochemical deposition technique, synthesis of hematite (Fe2O3) thin films over ITO coated glass substrate and change in film structure, which are based on annealing temperature after growth, were examined. Structural, optic, and morphologic characteristics of Fe2O3 thin films, which included by annealing following deposition in the range of 500-600 °C, were determined by means of XRD, Absorption, Raman, SEM, FTIR, and AFM measurements. Bang gap energy interval of Fe2O3 thin films, which were deposition over ITO films through absorption measurements, were calculated between 2,0 and 2,2 eV. In XRD analysis of deposition films after annealing, it was observed that Fe2O3 films composed rhombohedral crystal structures. Hematite thin films depending upon changing annealing temperatures indicate Raman peak values between 209 and 1305 cm-1.In SEM analysis, it was explicitly seen that there were crystal particles in hematite structure and increase in particles sizes due to enhancement of annealing temperature. While peak values were 462,3-1558,3 cm-1 before annealing in FTIR analysis, peak values enhancement to 471,5-3660,5 cm-1 levels after annealing process in varied temperatures. It was observed that there is a compatibility between surface roughness values (range:11-46 nm) and average roughness values (range:14-51 nm) unevenness values of AFM images in varied annealing temperatures. By means of analysis, it was determined that there is improvement in hematite thin films structure as long as increasing of annealing temperature.
Benzer Tezler
- Vites dişli çeliğinin KRTD-bor yöntemi ile borlanması
Boriding of transmission gear steel via CRTD-bor
ALAADDİN CEM OK
Yüksek Lisans
Türkçe
2018
Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiMetalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. GÜLDEM KARTAL ŞİRELİ
- Elektrokimyasal büyütme tekniği ile elde edilen ZnO tabanlı homoeklemlerin elektrolüminesansının incelenmesi
Investigation of electroluminescence of ZnO based p-n homojunctions obtained by electrochemical deposition technique
ALİ BALTAKESMEZ
Yüksek Lisans
Türkçe
2011
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SEBAHATTİN TÜZEMEN
- Elektrokimyasal olarak büyütülen Gase ve Gate filmlerinin karakterizasyonu ve In/GaSe/p-Si/Al ve Ti/GaTe/p-Si/Al schottky diyodlar üzerinde radyasyon etkileri
Characterization of electrochemically grown Gase and Gate thin films and radiation effects on In/GaSe/p-Si/Al AND Ti/GaTe/p-Si/Al schottky diodes
KÜBRA ÇINAR
Doktora
Türkçe
2012
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. CEVDET COŞKUN
- CZTS tabanlı ince filmlerin elektrokimyasal büyütme tekniği ile büyütülmesi ve karakterizasyonu
Growth characterization of CZTS based thin films grown by elektrochemical growth technique
MERVE ŞİMŞEK
Yüksek Lisans
Türkçe
2019
Fizik ve Fizik MühendisliğiGiresun ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. CEVDET COŞKUN
- RF magnetron kopartma tekniği ile büyütülen LiCoO2 ince filmlerin optik, elektrokromik ve yapısal özelliklerinin incelenmesi
The investigation of optical, electrochromic and structural properties of LiCoO2 thin films grown by RF magnetron sputtering
BUĞRAHAN ERBAR
Yüksek Lisans
Türkçe
2020
Fizik ve Fizik MühendisliğiHacettepe ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ÖZLEM DUYAR COŞKUN