Magnetotransport and Tunneling in Low-Dimensional Quartic Dispersion Materials
Düşük Boyutlu Kuartik Dispersiyonlu Malzemelerde Manyetotaşınım ve Tünelleme
- Tez No: 631107
- Danışmanlar: PROF. DR. HALDUN SEVİNÇLİ, DOÇ. DR. ÖZGÜR ÇAKIR
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Elektromanyetik alanlar, Katıhal fiziği, Kuantum mekaniği, Tünelleme, Electromagnetic fields, Solid state physics, Quantum mechanics, Tunelling
- Yıl: 2021
- Dil: İngilizce
- Üniversite: İzmir Yüksek Teknoloji Enstitüsü
- Enstitü: Lisansüstü Eğitim Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Malzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Malzeme Bilimi ve Mühendisliği Bilim Dalı
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Enerji-momentum bağıntısındaki kuartik terimler Meksika şapkası şekilli (kuartik) dispersiyona sebep olur. Grup V, Grup IV-V ve Grup III-VI gibi altıgen tek katmanlılar kuartik dispersiyonlu malzemelere birer örnektir. Kuantum tünelleme, kuantum mekaniksel sistemlere özgü klasik mekanikte mümkün olmayan bir olgudur. Basit Sıkı-Bağlam (SB) modelleri kullanılarak, bu sistemlerin tünelleme davranışının dispersiyon bağıntısına bağlı olduğunu göstermek mümkündür. Bu çalışmada hedefimiz, harici bir manyetik alan kullanılarak kuartik malzemelerdeki tünelleme davranışını kontrol etmektir. Manyetik alan SB Hamiltonyenine Peierls ikamesi kullanılarak dahil edilir. Hamiltonyenleri kurmak için empirik SB yöntemleri kullanılarak gerçek malzemelerin simüle edilmesi mümkündür. Taşınım özelliklerini hesaplamak için Denge-Dışı Green Fonksiyonları (DDGF) yöntemi kullanılır. Geçitleme veya doplamaya bağlı bariyer bölgesi, saçılma bölgesinde Fermi enerjisi kaydırılarak simüle edilebilir.
Özet (Çeviri)
Quartic terms in the energy-momentum relation causes a Mexican-hat shaped (quartic) dispersion. Hexagonal monolayer structures such as Group V, group IV-V and group III-VI are examples to quartic dispersion materials. Quantum tunneling is a phenomenon exclusive to quantum mechanical systems which cannot be possible in classical mechanics. By using simple tight-binding (TB) models, it is possible to show the tunneling behavior of these systems depend on the dispersion relation. In this study, our aim is to control the tunneling behavior in quartic dispersion materials by using an external magnetic field. Magnetic field can be incorporated into TB Hamiltonians by using Peierls' substitution. Simulating real materials is possible by using empirical TB methods can be used to construct Hamiltonians. To compute transport properties, Non-Equilibrium Green Functions (NEGF) Method is used. A barrier region due to gating or doping can be simulated by shifting the Fermi energy of the scattering region.
Benzer Tezler
- Fabrication and charge transport measurements on graphene-based nanostructures in the quantum hall regime
Grafen tabanlı nano yapıların üretimi ve kuantum hall rejiminde yük taşınım ölçümleri
CENK YANIK
Doktora
İngilizce
2016
Fizik ve Fizik MühendisliğiSabancı ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. İSMET İNÖNÜ KAYA
- Magnetotransport characterization of Al-Alox-Al josephson junctions
Al-Alox-Al josephson eklemlerinin manyeto-taşınım karakterizasyonu
MEHMET KAHRAMAN
Yüksek Lisans
İngilizce
2022
Fizik ve Fizik MühendisliğiSabancı ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. İSMET İNÖNÜ KAYA
- NiMn,NiMnP+ ve CrFe alaşım ince filmlerinde elektron spin rezonans (ESR) ve direnç ölçümleri
Başlık çevirisi yok
MUSTAFA ÖZDEMİR
Doktora
Türkçe
1998
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. YILDIRHAN ÖNER
- In0,53 Ga0,47 As/In 0,52 Al0,48 As heteroeklem örneklerde mobilite ölçümleri
Mobility measurements in In 0,53 Ga0,47 As/In 0,52 Al0,48 As heterojunction samples
SAFİ ALTINÖZ
Yüksek Lisans
Türkçe
2001
Fizik ve Fizik MühendisliğiHacettepe Üniversitesiİnşaat Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. HÜSEYİN ÇELİK
PROF. DR. MEHMET CANKURTARAN
- In0,53Ga0,47As/In0,52Al0,48As heteroeklemlerin elektronik transport özellikleri ve iki-boyutlu elektronların güç kaybı mekanizmalarının Shubnikov -de Haas osilasyonları yöntemiyle araştırılması
Investigation of the electronic transport properties and power loss mechanisms of the two-dimensional electrons in In0,53Ga0,47As/In0,52Al0,48As heterojunctions by Shubnikov -de Haas oscillations technique
ENGİN TIRAŞ
Doktora
Türkçe
2002
Fizik ve Fizik MühendisliğiHacettepe ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MEHMET CANKURTARAN