Çoklu kuantum tel yapısında dışardan uygulanan manyetik alan ve lazer alanın elektronik özelliklere etkisi
The effect of external magnetic field and laser field on electronic specifications in multiple quantum wire structure
- Tez No: 633715
- Danışmanlar: DR. ÖĞR. ÜYESİ MUSTAFA ULAŞ
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2020
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Kırklareli Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 58
Özet
Çoklu kare kuyu tel sistemine dışarıdan uygulanan manyetik ve lazer alan etkisi altında yapının içinde bulunan bir elektronun hidrojenimsi yabancı atoma bağlanma enerjisi hesaplandı. Bağlanma enerjisinin, dışarıdan uygulanan etkilere duyarlılığı, farklı tel boyutları dikkate alınarak gösterildi. Çoklu kuantum tel yapısı olarak GaAs/AlxGa1-xAs yarıiletkenlerinin kullanıldığı kuantum tel kuyusu düşünüldü. Uygulanan manyetik alan tel eksenine paralel negatif z yönünde ve aynı şekilde, lazer alan tel eksenine paralel negatif z doğrultusunda olacak şekilde seçildi. Hesaplamalarda sonlu farklar nümerik diferansiyel denklem çözme yöntemi kullanıldı. Elektron bant enerjilerinin, uygulanan alanlara ve tel kalınlığına nasıl bağlı olduğu gösterildi. Bu tür yapıların elektronik özelliklerinin anlaşılması için deneysel çalışmalara göre daha ekonomik ve daha hızlı sonuç elde edileceği gösterildi
Özet (Çeviri)
The binding energy of an electron in the structure under the influence of magnetic and laser field applied externally to the multiple square well wire system was calculated. The sensitivity of the binding energy to externally applied effects was demonstrated by considering different wire sizes. Quantum wire well was considered, using the GaAs/AlxGa1-xAs semiconductors as a multiple quantum wire structure. The applied magnetic field was chosen to be in the negative z direction parallel to the wire axis and likewise, the laser field to be in the negative z direction parallel to the wire axis. In calculations, finite difference numerical differential equation solving method was used. How electron band energies depend on applied areas and wire thickness was shown. In order to understand the electronic properties of such structures, it has been shown that more economical and faster results will be obtained than experimental studies
Benzer Tezler
- Çoklu kuantum tel ve noktalarının elektronik özellikleri
The electronic properties of multiple quantum wires and quantum dots
ABDULLAH BİLEKKAYA
Doktora
Türkçe
2008
Fizik ve Fizik MühendisliğiTrakya ÜniversitesiFizik Bölümü
YRD. DOÇ. DR. ŞABAN AKTAŞ
- Çoklu kuantum tel yapısının dışarıdan uygulanan elektrik alan ve lazer alanın elektronik özelliklere etkisi
The effect of electric field and lazer fi̇eld on electronic specifications in multiple quantum wire structure
HAVVA UYAR
Yüksek Lisans
Türkçe
2020
Fizik ve Fizik MühendisliğiKırklareli ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ MUSTAFA ULAŞ
- InGaN/GaN çoklu kuantum kuyulu ışık saçan diyotlar
InGaN/GaN multi quantum well leds
SALİH TOLGA BAYRAK
Doktora
Türkçe
2011
Fizik ve Fizik MühendisliğiBalıkesir ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ALİ TEKE
- Size and composition modulated superlattices of silicon based nanowires
Büyüklük ve şekil modülasyonlu silisyum tabanlı nanotel süperörgüler
SEYMUR CAHANGİROV
Yüksek Lisans
İngilizce
2008
Metalurji Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiMetalurji Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SALİM ÇIRACI
- GaAs/InxGa1-xAs kuantum kuyularının elektronik enerji spektrumu
GaAs/ InxGa1-xAs quantum wells electronic energy spectrum
MEHMET ALİ TOPRAK
Yüksek Lisans
Türkçe
2013
Fizik ve Fizik MühendisliğiCumhuriyet ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SEZAİ ELAGÖZ