CdIn2Se3,2Te0,8 yarıiletken ince filmlerinin yapısal ve taşınım özellikleri üzerine tavlama etkisinin araştırılması
Investigation of annealing effect on structural and transport properties of CdIn2Se3,2Te0,8 thin films
- Tez No: 648100
- Danışmanlar: PROF. DR. ORHAN KARABULUT
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2019
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Pamukkale Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 66
Özet
Bu çalışmada; CdIn2Se3,2Te0,8 ince filmleri termal buharlaştırma yöntemi ile cam alttaşlar üzerine büyütülmüştür. Üretilen ince filmler 300 ºC, 400 ºC ve 500 ºC sıcaklıklarında tavlanarak, yapısal, elektriksel ve optik özellikleri, XRD, SEMEDS, sıcaklığa bağlı elektriksel iletkenlik ve optik soğurma ölçümleri ile araştırılmıştır. Yapısal analizler sonucunda üretilen filmlerin tetragonal yapıda olduğu ve tavlama etkisine bağlı olarak daha düzenli bir yapıya geçtikleri gözlemlenmiştir. Filmlerin elektriksel özelliklerinin belirlenebilmesi için, sıcaklığa bağlı elektriksel iletkenlik ölçümleri kullanılmıştır. Yapılan ölçümler sonucunda, tavlamaya bağlı olarak filmlerin özdirençlerinde küçük bir düşüş gözlenmiştir. Tavlanmamış, 300 ºC, 400 ºC ve 500 ºC' de tavlanan filmlerin özdirençleri sırası ile, 3,61x103 (Ω-cm), 3,59x103 (Ω-cm), 3,57x103 (Ω-cm) ve 3,56x103 (Ω-cm) olarak ölçülmüştür. Son olarak, filmlerin yasak enerji aralıkları UV-VIS spektrometresinde 190-1100 nm aralığında incelenmiştir. Tavlamaya bağlı olarak filmlerin yasak enerji aralıklarının 2,17 eV'den 1,95 eV' ye düştüğü gözlemlenmiştir. ANAHTAR KELİMELER: İnce Film, Tavlama, CdIn2Se3,2Te0,8, Termal Buharlaştırma
Özet (Çeviri)
In this study, CdIn2Se3,2Te0,8 thin films were deposited on glass substrates by thermal evaporation method. The structural, electirical and optical properties of deposited thin films, annealed at 300 ºC, 400 ºC and 500 ºC, were investigated by, XRD, SEM-EDS, temperature dependent electrical conductivity and absorption measurements. Structural measurements indicated that films were tetragonal structure and crystallization of the films increased with annealing temperatures. Temperature dependent conductivity measurements were used to determine electrical properties of the films. It was revealed that a small decrease in resistivity was observed depending on annealing process. The electrical resistivities of 'as-deposited' and annealed at 300 ºC, 400 ºC, 500 ºC thin films have been measured 3,61x103 (Ω-cm), 3,59x103 (Ω-cm), 3,57x103 (Ω-cm) and 3,56x103 (Ω-cm) respectively. The optical band gaps of thin films were determined by UV-VIS spectroscopy in wavelength range 190-1100 nm. Band gap values were found to be decreasing from 2,17 eV to 1,95 eV with increase of annealing temperature. KEYWORDS: Thin Film, Annealing, CdIn2Se3,2Te0,8, Thermal Evaporation
Benzer Tezler
- CdIn2Se4 ince filmlerinin elektriksel ve optik özelliklerinin incelenmesi
Investigation electrical and optical properties of CdIn2Se4 thin films
İLYAS ÜNAK
Yüksek Lisans
Türkçe
2015
Fizik ve Fizik MühendisliğiPamukkale ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ORHAN KARABULUT
- Elektrokimyasal depozisyon yöntemiyle üretilen ın: CdSe ince filmlerinin yapısal, elektriksel ve optik özelliklerine Se konsantrasyonun etkisinin incelenmesi
The investigation of effect of Se concentration on the structural, electrical and optical properties of in: CdSe thin films produced by electrochemical deposition method
GÜRKAN DEĞDAŞ
Yüksek Lisans
Türkçe
2019
Fizik ve Fizik MühendisliğiBursa Uludağ ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. AHMET PEKSÖZ