Geri Dön

İki boyutlu malzemelerden nanoaygıt tasarımı ve fabrikasyonu

Design and fabrication of nanodevices using two dimensional materials

  1. Tez No: 648951
  2. Yazar: MERVE ACAR
  3. Danışmanlar: PROF. DR. MEHMET ERTUĞRUL
  4. Tez Türü: Doktora
  5. Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2020
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Atatürk Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 119

Özet

Amaç: Bu çalışmada, iki boyutlu (2B) sürekli filmler üzerine yüksek performanslı elektronik aygıt üretilmesi amaçlanmıştır. Bu amaç doğrultusunda 2B malzemeler büyük alan, sürekli, homojen ve yüksek kalitede büyütülmüştür. Farklı kalınlıklarda büyütülen WS2 ve MoS2 filmlerin yanı sıra, bu 2B malzemelerden oluşturulan heteroyapıların da fiziksel ve kimyasal karakterizasyonu yapılmıştır. Ayrıca sürekli filmler ve heteroyapılar üzerine üretilen aygıtların performanslarının değerlendirilmesi ve FET'lerin ambipolar özellik gösterip göstermeme durumlarının incelenmesi amaçlanmıştır. Yöntem: 2B'li MoS2 ve WS2 sürekli filmler RFMS yöntemi kullanılarak tek bir adımda farklı kalınlıklarda büyütülmüştür. Bu filmlerin yapısal ve morfolojik analizleri için optik mikroskop, SEM, XPS, XRD, AFM, Raman ve Raman haritalama kullanılmıştır. 2B film tabanlı elektronik aygıtlar tek bir litografi adımı ile oluşturulmuştur. Bu aygıtların davranışlarının analiz edilmesi için tez kapsamında geliştirilen bir ölçüm sistemi kullanılmıştır. Bulgular: Büyütülen filmlerin yapısal, kimyasal, morfolojik ve optik analizlerinden, sürekli, geniş alan ve homojen olarak WS2 ve MoS2 filmlerin RFMS (Radyo Frekans Magnetron Saçtırtma) yöntemi ile başarılı bir şekilde büyüdüğü gösterilmiştir. Üretilen FET'lerin ambipolar özellik gösterdiği ortaya konulmuştur. Özellikle heteroeklem FET'lerde ambipolaritenin voltaj ile kontrol edilebildiği bulunmuştur. Sonuç: 2B'li malzemelerin laboratuvar çalışmalarından, endüstriyel devre seviyesindeki uygulamalara geçmesinin önündeki en büyük engel olan büyük alan ve sürekli film olarak büyüme problemine öneri olarak sunulan RFMS yöntemi ile büyük alan ve sürekli filmler elde edilmiştir. Büyütülen filmlerden, aynı alttaş üzerine kolay ve ucuz bir şekilde tek bir litografi adım ile onlarca FET, p-n eklem ve gözenekli silisyum tabanlı FET elde edilmiştir. Üretilen aygıtların elektronik endüstrisinde önemli bir potansiyele sahip olduğu sonucuna varılmıştır.

Özet (Çeviri)

Purpose: In this study, it is aimed to produce high performance electronic device on two dimensional (2D) continuous films. For this purpose, 2D materials have been grown in large area, continuous, homogeneous and high quality film. In addition to WS2 and MoS2 films grown at different thicknesses, the heterostructures formed from these 2B materials have been also physically and chemically characterized. It is also aimed to evaluate the performance of devices produced on continuous films and heterostructures and to examine if FETs show ambipolar features. Method: 2D MoS2 and WS2 continuous films have been grown in different thicknesses in a single step using the RFMS method. Optical microscope, SEM, XPS, XRD, AFM, Raman and Raman mapping have been used for structural and morphological analysis of these films. 2D film-based electronic devices have been created with a single step lithography method. A measurement system have been developed within the scope of the thesis to be used in analyzing the behavior of these devices. Findings: From the structural, chemical, morphological and optical analysis of the grown films, it has been shown that WS2 and MoS2 films have been successfully grown by RFMS (Radio Frequency Magnetron Sputtering) method on continuous, large area and homogeneous films. It has been demonstrated that the FETs produced have ambipolar properties. It has been found that ambipolarity can be controlled by voltage, especially in hetero-joint FETs Results: Large area and continuous films have been obtained with the RFMS method, which is presented as a suggestion for the solution of the problem of growing as a large area and continuous film, which is the biggest obstacle for the transition of 2D materials from laboratory studies to applications at the industrial circuit level. Tens of FETs, p-n junctions and porous silicon based FETs were obtained on the same substrate, using the grown films, easily and cheaply in a single lithography step. It is concluded that the devices produced have an important potential in the electronics industry.

Benzer Tezler

  1. Spintronic devices for wireless communication,memory, and analog applications

    Kablosuz haberleşme, hafıza, ve analog uygulamalar için spintronik aygıtlar

    MESUT ATASOYU

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2020

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. İSMAİL SERDAR ÖZOĞUZ

  2. Nanotüp çeşitleri ve uygulamaları

    Nanotube types and applications

    YAĞMUR KORUCU

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2010

    Fizik ve Fizik MühendisliğiEskişehir Osmangazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. DERYA PEKER

  3. Moda ve mimarlığın ortak kavramları üzerinden okunması

    The reading of fashion and arhitecture through common concepts

    ZEYNEP CEREN ERDİNÇ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2011

    Mimarlıkİstanbul Teknik Üniversitesi

    Mimarlık Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. NURBİN PAKER KAHVECİOĞLU

  4. Design of novel electrolytes and electrodes for supercapacitors

    Süperkapasitörler için özgün elektrolit ve elektrot tasarımı

    DENİZ KESKİN

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2023

    Metalurji MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. HÜSNÜ EMRAH ÜNALAN

    DOÇ. DR. SİMGE ÇINAR AYGÜN

  5. Optical spectroscopy of single defects in hexagonal boron nitride

    Altıgen bor nitrürdeki tek kusurların optik spektroskopisi

    AYŞENUR BİRİNCİ

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2021

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİzmir Yüksek Teknoloji Enstitüsü

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. SERKAN ATEŞ