Geri Dön

Production of p-NiO/n-GaAs heterojunction structures by thermal evaporation method and their characterization

p-NiO/n-GaAs heteroeklem yapıların termal buharlaştırma yöntemi ile üretimi ve karakterizasyonu

PDF İndir

  1. Tez No: 657305
  2. Yazar: DHEYAB THAER NOORI
  3. Danışmanlar: DR. ÖĞR. ÜYESİ ABDULLAH ÖZKARTAL
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Doğrultma faktörü, NiO ince filmi, p-NiO/n-GaAs, Tavlama, Termal buharlaştırma, Annealing, NiO thin film, p-NiO/n-GaAs, Rectification factor, Thermal evaporation
  7. Yıl: 2021
  8. Dil: İngilizce
  9. Üniversite: Van Yüzüncü Yıl Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 91

Özet

Bu çalışmada, 7.3 x 1015 cm-3 taşıyıcı konsantrasyonuna sahip, 100 doğrultusunda büyütülmüş, 350 µm kalınlığında, Si katkılı n-GaAs kristali kullanıldı. % 99,9 saflıktaki nikel (II) oksit nano tozunu termal buharlaştırma yöntemi ile n-GaAs kristalin üzerine kaplayarak p-NiO/n-GaAs kontakları üretildi. Üretilen kontakların elektriksel ve optiksel özellikleri araştırıldı. Üretilen p-NiO ince filmlerin optiksel ve yapısal özellikleri UV-Vis, EDX ve XRD spektrofotometre teknikleri ile incelendi. p-NiO/n-GaAs diyotların akım-voltaj (I-V) ölçümleri oda sıcaklığında, karanlıkta ve güneş simulatörü altında alındı. Üretilen numunelerin kapasite-voltaj (C-V) ölçümleri oda sıcaklığında ve karanlıkta alındı. Üretilen kontakların idealite faktörü (n), engel yüksekliği (Φb) ve seri direnç (RS) gibi karakteristik diyot parametreleri belirlendi. Bu parametreler Cheung fonksiyonları ile hesaplandı ve I-V den elde edilen sonuçlarla karşılaştırıldı. Bununla birlikte üretilen diyotlar 250 ℃ tavlandı ve termal tavlamanın diyot paramettreleri üzerine etkisi araştırıldı. Elde edilen sonuçlar literatürdeki değerlerle karşılaştırlmış ve termal tavlamanın diyot parametrelerine önemli ölçüde etkidiği görülmüştür.

Özet (Çeviri)

In this study, Si-doped n-GaAs crystal with a carrier concentration of 7.3 x 1015 cm-3, growed in the 100 direction, and 350 µm thick, was used. p-NiO/n-GaAs contacts were produced by coating 99.9% pure nickel (II) oxide nano powder onto the n-GaAs crystal by thermal evaporation method. The electrical and optical properties of the produced contacts were investigated. The optical and structural properties of the produced p-NiO thin films were examined by UV-Vis, EDX and XRD spectrophotometer techniques. Current-voltage (I-V) measurements of p-NiO/n-GaAs diodes were taken at room temperature, in the dark and under a solar simulator. The capacitance-voltage (C-V) measurements of the produced samples were taken at room temperature and in the dark. Characteristic diode parameters such as ideality factor (n), barrier height (Φb) and series resistance (RS) of the produced contacts were determined. These parameters were calculated by Cheung functions and compared with the results obtained from I-V. However, the produced diodes were annealed at 250 C and the effect of thermal annealing on diode parameters was investigated. The results obtained were compared with the values in the literature and it was seen that thermal annealing significantly affects the diode parameters.

Benzer Tezler

  1. Tez No

    482273

    Yüksek performanslı metal-yarı iletken Schottky diyotların elde edilmesi için yeni nesil nano yapılı grafen esaslı kompozit malzemelerin üretilmesi

    Production of new generation nano-constructed graphen based composite materials for obtaining high performance metal-semiconductor Schottky diode

    HALİL ÖZERLİ

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2017

    Mühendislik BilimleriKahramanmaraş Sütçü İmam Üniversitesi

    Malzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ŞÜKRÜ KARATAŞ

  2. Tez No

    557591

    Tuning the electron beam evaporation parameters for the production of hole and electron transport layers for perovskite solar cells

    Perovskit güneş hücrelerinde elektron ve boşluk taşıyıcı katmanların üretilmesi için elektron ışını buharlaştırma parametrelerinin optimizasyonu

    MUSTAFA BURAK COŞAR

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2019

    Metalurji MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. AHMET MACİT ÖZENBAŞ

  3. Tez No

    746382

    Metal oksit ince filmlerin saçtırma tekniği ile üretimi karakterizasyonu ve gaz sensörü uygulamalarının araştırılması

    Production and characterization of metal oxide thin films by sputtering technique and investigation of gas sensor applications

    FATİH ŞENASLAN

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2022

    Makine MühendisliğiAtatürk Üniversitesi

    Makine Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. AYHAN ÇELİK

  4. Tez No

    46258

    Redükleyici ergitme yöntemiyle kobaltlar ve nikelbor ön alaşımlarının DC ARK fırınlarında üretim şartlarının belirlenmesi

    Başlık çevirisi yok

    İSMAİL KARACAN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1995

    Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    PROF.DR. İSMAİL KARACAN

  5. Tez No

    531972

    Türkiyede üretilen bazı seramik ürünlerin indüktif eşlemeli plazma kütle spektrometresi (Icp-Ms) ve X-ışını floresans spektrometresi (Xrf) kullanılarak elementel analizlerinin yapılması

    Elemental analysis of some ceramics produced in Turkey by using inductively coupled plasma-mass spectrometer (Icp-Ms) and X-ray fluorescence (Xrf) spectrometer

    ÜNAL ŞAHİNCİ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2018

    Fizik ve Fizik MühendisliğiErciyes Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SEMA ÖZTÜRK YILDIRIM

Geri Dön