Production of p-NiO/n-GaAs heterojunction structures by thermal evaporation method and their characterization
p-NiO/n-GaAs heteroeklem yapıların termal buharlaştırma yöntemi ile üretimi ve karakterizasyonu
- Tez No: 657305
- Danışmanlar: DR. ÖĞR. ÜYESİ ABDULLAH ÖZKARTAL
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Doğrultma faktörü, NiO ince filmi, p-NiO/n-GaAs, Tavlama, Termal buharlaştırma, Annealing, NiO thin film, p-NiO/n-GaAs, Rectification factor, Thermal evaporation
- Yıl: 2021
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Van Yüzüncü Yıl Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 91
Özet
Bu çalışmada, 7.3 x 1015 cm-3 taşıyıcı konsantrasyonuna sahip, 100 doğrultusunda büyütülmüş, 350 µm kalınlığında, Si katkılı n-GaAs kristali kullanıldı. % 99,9 saflıktaki nikel (II) oksit nano tozunu termal buharlaştırma yöntemi ile n-GaAs kristalin üzerine kaplayarak p-NiO/n-GaAs kontakları üretildi. Üretilen kontakların elektriksel ve optiksel özellikleri araştırıldı. Üretilen p-NiO ince filmlerin optiksel ve yapısal özellikleri UV-Vis, EDX ve XRD spektrofotometre teknikleri ile incelendi. p-NiO/n-GaAs diyotların akım-voltaj (I-V) ölçümleri oda sıcaklığında, karanlıkta ve güneş simulatörü altında alındı. Üretilen numunelerin kapasite-voltaj (C-V) ölçümleri oda sıcaklığında ve karanlıkta alındı. Üretilen kontakların idealite faktörü (n), engel yüksekliği (Φb) ve seri direnç (RS) gibi karakteristik diyot parametreleri belirlendi. Bu parametreler Cheung fonksiyonları ile hesaplandı ve I-V den elde edilen sonuçlarla karşılaştırıldı. Bununla birlikte üretilen diyotlar 250 ℃ tavlandı ve termal tavlamanın diyot paramettreleri üzerine etkisi araştırıldı. Elde edilen sonuçlar literatürdeki değerlerle karşılaştırlmış ve termal tavlamanın diyot parametrelerine önemli ölçüde etkidiği görülmüştür.
Özet (Çeviri)
In this study, Si-doped n-GaAs crystal with a carrier concentration of 7.3 x 1015 cm-3, growed in the 100 direction, and 350 µm thick, was used. p-NiO/n-GaAs contacts were produced by coating 99.9% pure nickel (II) oxide nano powder onto the n-GaAs crystal by thermal evaporation method. The electrical and optical properties of the produced contacts were investigated. The optical and structural properties of the produced p-NiO thin films were examined by UV-Vis, EDX and XRD spectrophotometer techniques. Current-voltage (I-V) measurements of p-NiO/n-GaAs diodes were taken at room temperature, in the dark and under a solar simulator. The capacitance-voltage (C-V) measurements of the produced samples were taken at room temperature and in the dark. Characteristic diode parameters such as ideality factor (n), barrier height (Φb) and series resistance (RS) of the produced contacts were determined. These parameters were calculated by Cheung functions and compared with the results obtained from I-V. However, the produced diodes were annealed at 250 C and the effect of thermal annealing on diode parameters was investigated. The results obtained were compared with the values in the literature and it was seen that thermal annealing significantly affects the diode parameters.
Benzer Tezler
- Yüksek performanslı metal-yarı iletken Schottky diyotların elde edilmesi için yeni nesil nano yapılı grafen esaslı kompozit malzemelerin üretilmesi
Production of new generation nano-constructed graphen based composite materials for obtaining high performance metal-semiconductor Schottky diode
HALİL ÖZERLİ
Doktora
Türkçe
2017
Mühendislik BilimleriKahramanmaraş Sütçü İmam ÜniversitesiMalzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ŞÜKRÜ KARATAŞ
- Tuning the electron beam evaporation parameters for the production of hole and electron transport layers for perovskite solar cells
Perovskit güneş hücrelerinde elektron ve boşluk taşıyıcı katmanların üretilmesi için elektron ışını buharlaştırma parametrelerinin optimizasyonu
MUSTAFA BURAK COŞAR
Doktora
İngilizce
2019
Metalurji MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiMetalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. AHMET MACİT ÖZENBAŞ
- Metal oksit ince filmlerin saçtırma tekniği ile üretimi karakterizasyonu ve gaz sensörü uygulamalarının araştırılması
Production and characterization of metal oxide thin films by sputtering technique and investigation of gas sensor applications
FATİH ŞENASLAN
Doktora
Türkçe
2022
Makine MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiMakine Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. AYHAN ÇELİK
- Redükleyici ergitme yöntemiyle kobaltlar ve nikelbor ön alaşımlarının DC ARK fırınlarında üretim şartlarının belirlenmesi
Başlık çevirisi yok
İSMAİL KARACAN
- Türkiyede üretilen bazı seramik ürünlerin indüktif eşlemeli plazma kütle spektrometresi (Icp-Ms) ve X-ışını floresans spektrometresi (Xrf) kullanılarak elementel analizlerinin yapılması
Elemental analysis of some ceramics produced in Turkey by using inductively coupled plasma-mass spectrometer (Icp-Ms) and X-ray fluorescence (Xrf) spectrometer
ÜNAL ŞAHİNCİ
Yüksek Lisans
Türkçe
2018
Fizik ve Fizik MühendisliğiErciyes ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SEMA ÖZTÜRK YILDIRIM