ZnO nanoçubuk temelli MOS yapılar üretimi ve karakterizasyonu
The ZnO nanorod based MOS structures production and characterization
- Tez No: 658068
- Danışmanlar: PROF. DR. AHMET TOLGA TAŞÇI
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2021
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Kastamonu Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Bu çalışmada ZnO nanoçubuk temelli Al/ZnONRs/ZnO/p-Si/Al metal-oksit-yarıiletken (MOS) yapıların üretimi gerçekleştirildi. Üretilen MOS yapıların elektriksel özellikleri karanlık ve farklı aydınlatma şiddetleri altında oda sıcaklığında akım-voltaj (I-V), 10 kHz frekans değerinde kapasitans-voltaj (C-V) ve iletkenlik-voltaj (G/ω-V) ölçümleri ile incelendi. Bu ölçümlerden ve C-2-V eğrilerinden kurulma voltajı (Vo), sıfır beslem potansiyel engel yüksekliği (ΦBo), tükenim tabakası genişliği (WD) idealite faktörü (n) gibi parametreler hesaplandı. I-V verilerinden artan aydınlatma şiddeti ile birlikte ΦBo değerleri azalırken n değerlerinin arttığı görüldü. MOS yapıların Rs değerleri Ohm yasası ve Cheung yöntemi ile I-V verilerinden elde edildi ve karşılaştırıldı. Rs değerlerinin artan aydınlatma şiddeti ile azaldığı gözlendi. C-V ölçümlerinden; MOS yapılar üzerindeki arayüzey durumları ve yüklerin etkisi, seri direnç etkisi, başlıca üç çalışma bölgesi olan yığılım, tüketim ve terslenim bölgeleri, grafiklerde görülen piklerin neden olduğu durumlar incelendi. Ayrıca yapıların -6 V'da optoelektriksel özellikleri incelendi. Duyarlılık ve foto-duyarlılık verileri değerlendirildi. Son olarak MOS yapıların taramalı elektron mikroskobu (SEM) ile nanoçubukların çapı ve dizilişi incelendi.
Özet (Çeviri)
In this study, ZnO nanorod based Al/ZnONRs/ZnO/p-Si/Al metal-oxide-semiconductor (MOS) structures were produced. The electrical properties of the MOS structures produced are current-voltage (I-V) at room temperature under dark and different illumination intensities, capacitance-voltage (C-V) and conductivity-voltage (G/ω-V) measurements at a frequency of 10 kHz were examined. From these measurements and C-2-V curves, parameters such as built-in voltage (Vo), zero bias potential barrier height (ΦBo), depletion layer width (WD) ideality factor (n) were calculated. It was seen from I-V data that with increasing illumination intensity, ΦBo values decreased while n values increased. Rs values of MOS structures were obtained from I-V data by Ohm's law, Cheung and Cheung method and compared. It was observed that Rs values decreased with increasing illumination intensity. From C-V measurements; Interface states on MOS structures and the effect of loads, series resistance effect, accumulation, depletion and inversion regions which are the three main regions, and the conditions caused by peaks in the graphs were examined. In addition, optoelectrical properties of structures at -6 V were examined. Responsivity and photo- sensitivity datas were evaluated. Finally, the diameter and arrangement of the nanorods of the MOS structures were examined by scanning electron microscopy (SEM).
Benzer Tezler
- Türkiye'de üretilen bazı kışlık el örgü ipliklerinin başlıca iplik ve lif özellikleri üzerinde bir araştırma
Başlık çevirisi yok
SEMA YÜCEBAŞ
Yüksek Lisans
Türkçe
1986
Tekstil ve Tekstil MühendisliğiEge ÜniversitesiTekstil Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. GÜLSEREN YAZICIOĞLU
- Farabi'de determinizm
Başlık çevirisi yok
RAHMİ KARAKUŞ
Yüksek Lisans
Türkçe
1987
Felsefeİstanbul ÜniversitesiTürk-İslam Düşüncesi Tarihi Ana Bilim Dalı
PROF. DR. NİHAT KEKLİK
- Meteorolojik verilerin ısıl değerlendirilmesi ve bilgisayarda simülasyonu
Başlık çevirisi yok
KAYA SARICALI
- Bir küresel reflektör üzerinde uyarılan yüzey akımları
Surface currents induced on a perfectly conducting spherical reflector
TANER ŞENGÖR
Doktora
Türkçe
1983
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiPROF. DR. MİTHAT İDEMEN