Geri Dön

Ge katkılı CuInTe2 yarıiletken ince filminin yapısal, elektriksel ve optik özelliklerinin araştırılması

Investigation of structural, electrical and optical properties of Ge doped CuInTe2 thin film

PDF İndir

  1. Tez No: 668595
  2. Yazar: ÇETİN TANRIÖVER
  3. Danışmanlar: PROF. DR. ORHAN KARABULUT, PROF. DR. KORAY YILMAZ
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2021
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Pamukkale Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 55

Özet

Ge(\%1) katkılı CuInTe\textsubscript{2} yarıiletken ince filmler tek potadan termal buharlaştırma yöntemi (TBY) ve çözücü propilen glukol (PG) kullanılarak oluşturulan macun aracılığı ile basit kaplama yöntemi \emph{Dr. Blade} yöntemi kullanılarak elde edilmiştir. Her iki yöntemle elde edilen ince filmlerin yapısal ve içerik incelemeleri XRD ve EDS üniteli SEM mikroskopu ile yapılmıştır. TBY yöntemi ile elde edilen filmlerin elektriksel özellikleri \emph{Hall} etkisi ölçümleri, \emph{Dr. Blade} yöntemi ile üretilen filmlerin sıcaklığa bağlı iletkenlik ve görünür dalga boyu aralığında optik soğurma ölçümleri gerçekleştirilmiştir. TBY yöntemi ile üretilen ince filmler bakır elementinin buhar akısına katılamaması sebebi ile (Ge\textsubscript{1/3}In\textsubscript{2/3})Te\textsubscript{3} fazında kalmıştır. Tasarlanan hedef birleşik TBY yöntemi ile ulaşılamamış olsa da (100K-400K) sıcaklık aralığında \emph{Hall} etkisi ölçümleri sonucu ilgili ince filmin yarıiletken özelliği taşıdığı ve sıcaklık değişimine karşı iletkenlik tepkisinin dengeli olduğu sonucuna ulaşılmıştır. Elde edilen ince filmin sıcaklık özdirenç ölçüm sonuçları $\rho\simeq T^{n}\mathrm{e}^{-aT}$ yapısında fonksiyona, ortalama \%1 oranında katsayı (n,a) hata sapması içersinde uyum gösterdiği bulunmuştur. \emph{Dr. Blade} yöntemi ile üretilen CuInTe\textsubscript{2} ince filmleri stokiometrik oranda elde edilmiştir. Elde edilen ince filmin UV-görünür dalgaboyu soğurma ölçümleri (190-1100)nm dalgaboyu aralığında gerçekleştirilmiş ve enerji-band aralığı $E_{g}=1.115eV$ olarak bulunmuştur.

Özet (Çeviri)

Ge doped CuInTe\textsubscript{2} thin films were obtained by thermal deposition method (TDM) and simple coating method \emph{Dr. Blade} using propilen glocol (PG) as a solving agent. Thin films obtained by both methods were characterized using X-ray diffractometer, scanning electron microscope (SEM) and energy dispersive X-ray spectroscopy (EDS). Electrical characterization of thin films obtained by TDM were conducted by means of \emph{Hall} effect, whereas electrical and optical characterization of thin films obtained by \emph{Dr. Blade} method were conducted by means of temprature depended conductivity measurements and optical absorption spectroscopy in the visible light range. Thin films obtained by TDM, crystalized something like in the intermediate form as (Ge\textsubscript{1/3}In\textsubscript{2/3})Te\textsubscript{3} and Cu appered only as a trace element in the thin films after EDS analysis performed. However, even the desired target crystal could not be obtained, the resulted thin films conducted very stable electrical responce to a temprature variation in the range of 100K-400K where \emph{Hall} effect measurements were performed. The resistivity versus temprature measurement datas fit to the function of the form $\rho\simeq T^{n}\mathrm{e}^{-aT}$ with an excellent agreement to the experimental datas. Thin films obtained by \emph{Dr. Blade} method, crystalized as expected in the form CuInTe\textsubscript{2} and near-stoichiometric. Optical characterization made by UV-Visible spectroscopy in the range of (190-1100)nm wavelength and energy band gap found $E_{g}=1.115eV$

Benzer Tezler

  1. Tez No

    646115

    Fiziksel buhar biriktirme yöntemi ve doktor blade kaplama tekniği ile üretilen CuInSe2 ince filmlerin özelliklerinin araştırılması

    Investigation of properties of CuInSe2 thin films produced by physical vapor deposition method and doctor blade coating technique

    CANSU AYTUĞ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2020

    Fizik ve Fizik MühendisliğiPamukkale Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. KORAY YILMAZ

  2. Tez No

    133037

    Fullarenlerin yapısına Si ve Ge katkılanması

    Substituting Si and Ge into fullerene cage

    MÜKREMİN YILMAZ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2003

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAkdeniz Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF.DR. BÜLENT ULUĞ

  3. Tez No

    374487

    Silisyum ve galyum arsenit yüzeylerine tutunmuş grafitik nano yapıların elektronik özellikleri

    Electronic properties of graphitic nano structures adsorbed on silicon and gallium arsenide surfaces

    CEREN TAYRAN

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2014

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MEHMET ÇAKMAK

    PROF. DR. SÜLEYMAN ŞİNASİ ELLİALTIOĞLU

  4. Tez No

    478634

    Fiber bragg ızgara sensör üretiminde farklı parametrelerin sensör tepkilerine ve karakteristiğine etkilerinin incelenmesi

    Investigation of effects of different parameters on the responses and characteristics of fiber bragg grating (FBG) sensors

    ÜMİT BAYRAM

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2017

    Mühendislik BilimleriBursa Teknik Üniversitesi

    İleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. İSRAFİL KÜÇÜK

  5. Tez No

    656332

    Ga katkılı Ge tek kristallerinin czochralskı tekniği ile büyütülmesi ve pn-eklem Ge dilim geliştirilmesi

    The growth of Ga doped Ge single crystals by czochralski technique and development of pn-junction Ge wafer

    VEYSEL BARAN

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2020

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MEHMET ÇAKMAK

Geri Dön