Geri Dön

Silisyum ve galyum arsenit yüzeylerine tutunmuş grafitik nano yapıların elektronik özellikleri

Electronic properties of graphitic nano structures adsorbed on silicon and gallium arsenide surfaces

  1. Tez No: 374487
  2. Yazar: CEREN TAYRAN
  3. Danışmanlar: PROF. DR. MEHMET ÇAKMAK, PROF. DR. SÜLEYMAN ŞİNASİ ELLİALTIOĞLU
  4. Tez Türü: Doktora
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2014
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Gazi Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 137

Özet

Bu çalışmada, Si(111) üzerine grafen (Grafen/Si(111)), Bi sonlu GaAs üzerine grafen (Grafen/ Bi/GaAs(001)-α2(2×4)), Si(111) üzerine karbon nanotüp (KNT/Si(111)), Li, Ag, Au, Na, Ca, B, Al, Si ve Ge katkılı AB ve AA istiflenmesine sahip iki tabakalı grafen yapılarının yapısal ve elektronik özellikleri yoğunluk fonksiyoneli teorisi kapsamında ab initio hesaplamalarıyla incelendi. Elde edilen kararlı geometrilerin yapısal parametreleri, durum yoğunlukları, elektronik bant yapıları, mevcut etkileşimlerin orbital doğası araştırıldı. Özel olarak, grafenin Si(111) yüzeyi üzerinde“dalgalı”halde kalabildiği görüldü ve bu sistemin kuantum iletim karakteristikleri hesaplandı.

Özet (Çeviri)

In this study, structural and electronic properties of graphene on Si(111) (Graphene/Si(111)), graphene on Bi terminated GaAs surface (Graphene/ Bi/GaAs(001)-α2(2×4)), carbon nanotube on Si(111) (CNT/Si(111)), Li, Ag, Au, Na, Ca, B, Al, Si and Ge intercalated AB and AA stacking bilayer graphene are investigated by using ab initio density functional theory. The structural parameters, density of states, electronic band structures and orbital nature of actual interactions are studied for the obtained stable geometries. Especially, it is seen that graphene can stay on Si(111) surface as wavy and the quantum transport characters properties are calculated for this system.

Benzer Tezler

  1. S bant radar uygulamaları için iki katlı 50 watt GaN HEMT f sınıfı güç kuvvetlendiricisi tasarımı

    Design of two stage 50 watt GaN HEMT class f power amplifier for s band radar applications

    SÜHEYB ABDURRAHMAN BOZDEMİR

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2019

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. METİN YAZGI

    DOÇ. DR. OĞUZHAN KIZILBEY

  2. Kinetik taşınma teorisini kullanarak yarı iletkenlerin bazı özelliklerinin incelenmesi

    Investigation of some properties of semiconductors using kinetic transport theory

    ADEM AKKUŞ

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2021

    Fizik ve Fizik MühendisliğiTokat Gaziosmanpaşa Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. İSKENDER ASKEROĞLU

  3. Simulation of betavoltaic batteries with geant4

    Betavoltaik pillerin geant4 programı ile benzetimi

    BERRİN CANKILIÇ

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2022

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Nükleer Araştırmalar Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. İSKENDER ATİLLA REYHANCAN

  4. S-band gan high power amplifier design and implementation

    S-bant galyum nitrür yüksek güçlü yükselteç tasarımı ve uygulaması

    MUHAMMET KAVUŞTU

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2019

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. EKMEL ÖZBAY

  5. On the performance limits for crystalline silicon solar cells: A theoretical study

    Kristal silisyum güneş pillerinin performans limitleri üzerine: Teorik bir çalışma

    MOATASEM ABDO MABKHOT AL-SULTAN

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2020

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiMuğla Sıtkı Koçman Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DR. ÖĞR. ÜYESİ HAYRİYE SERRA ALTINOLUK

    DOÇ. DR. PINAR DOĞAN