Al/SiO2/p-Si (MIS) tipi foto diyotların elektriksel özelliklerinin incelenmesi
The investigations of electrical properties of Al/SiO2/p-Si (MIS) type photo diodes
- Tez No: 670770
- Danışmanlar: PROF. DR. MEHMET ÖZKAYMAK
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Enerji, Energy
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2021
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Karabük Üniversitesi
- Enstitü: Lisansüstü Eğitim Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Enerji Sistemleri Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 70
Özet
Bu çalışmada, hazırlanan Al/SiO2/p-Si (MIS) tipi foto diyotların elektriksel ve foto diyot karakteristikleri oda sıcaklığında incelendi. Al/SiO2/p-Si (MIS) tipi foto diyotun akım-voltaj (I-V) ölçümleri, karanlık ve 50 mW/cm2 ışık şiddeti için -3 V ile + 3 V aralığında 50 mV' luk adımlarla, kapasitans-voltaj (C-V) ölçümleri ise -4 V ile +4 V aralığında 0.1 V' luk adımlarla 1 MHz frekansta gerçekleştirildi. I-V ölçümleri kullanılarak sıfır-beslem potansiyel engel yüksekliği (ФBo), idealite faktörü (n), ters doyum akımı (Io), seri direnç (Rs) ve kısa devre direnci (Rsh) gibi foto diyota ait temel elektriksel parametreler elde edildi. Ayrıca foto diyotun C-V ölçümleri kullanılarak da diyotun difüzyon potansiyeli (VD), Fermi enerji seviyesi (EF), tüketim tabakasının kalınlığı (WD), katkılanan alıcı atomlarının yoğunluğu (NA) ve potansiyel engel yüksekliği (B) gibi temel elektriksel parametreleri elde edildi. Ek olarak arayüzey tabakasının (SiO2) ve yapının direncinin elektriksel parametreler üzerinde etkisi araştırıldı. Elde edilen sonuçlar hazırlanan Al/SiO2/p-Si (MIS) tipi foto diyotların optoelektronik uygulamalarda optik sensör veya fotodiyot olarak kullanılabileceğini göstermiştir.
Özet (Çeviri)
In this study, electrical and photo diode characteristics of Al/SiO2/p-Si (MIS) type photo diodes were examined at room temperature. Current-voltage (I-V) and capacitance-voltage measurements of Al/SiO2/p-Si (MIS) type photo diode, respectively, were carried out in the range of -3 V to + 3 V in 50 mV steps and -4 V to +4 V in 0.1 mV steps at 1 MHz for dark and 50 mW/cm2 light intensity. The electrical parameters of photo diode such as zero-bias barrier height (Bo), ideality factor (n), reverse saturation current (Io), series resistance (Rs) and shunt resistance (Rsh) were obtained from the I-V measurements. In addition, using the C-V measurements of the photo diode, basic electrical parameters such as the diffusion potential (VD), the Fermi energy level (EF), depletion layer width (WD), carrier doping density of acceptors (NA) and the potential barrier height (B) were obtained. In addition, the effect of the interface layer (SiO2) and the resistance of the structure on electrical parameters were investigated. The obtained results showed that the prepared Al/SiO2/p-Si (MIS) type photo diodes can be used as optic sensors or photodiodes in optoelectronic applications.
Benzer Tezler
- Metal/yalıtkan/yarıiletken (MIS) yapıların farklı frekanslar altında elektriksel özelliklerinin belirlenmesi
Determination of electrical properties of metal/insulator/semiconductor (MIS) structures under different frequencies
DİLEK ŞAHİN CÜCE
Yüksek Lisans
Türkçe
2023
Fizik ve Fizik MühendisliğiGiresun ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. BEHZAD BARIŞ
- Metal-yalıtkan-yarı iletken (MIS) yapılarda elektrik ve dielektrik özelliklerinin sıcaklık ve frekansa bağlı incelenmesi
The investigation of frequency and temperature dependent electrical and dielectric properties in metal-insulator-semiconductor (MIS) structures
İBRAHİM YÜCEDAĞ
Doktora
Türkçe
2007
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiGazi ÜniversitesiEndüstriyel Teknoloji Eğitimi Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL
- Metal/oksit tabaka/silisyum yarıiletken/metal yapıların elektriksel özellikleri
Electrical properties of metal/oxide layer/silicon semiconductor/metal structures
MUHAMMED CAN ÖZDEMİR
Yüksek Lisans
Türkçe
2019
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Medeniyet ÜniversitesiNanobilim ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ABDULMECİT TURUT
- Organik ara yüzey tabakalı metal-yarıiletken (MS) yapıların oluşturulması ve frekansa bağlı elektriksel özelliklerinin incelenmesi
Formation of metal-semiconductor (MS) structures with organic interface layers and examination of frequency-dependent electrical properties
NESLİHAN DELEN
Doktora
Türkçe
2023
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. AKİF ÖZBAY
- Metal/yalıtkan/yarıiletken/metal yapılarında yüzey durumlarının tayini
Determination of surface states in metal/insulator/semiconductor/metal structures
BAYRAM ÜNAL