Metal/yalıtkan/yarıiletken/metal yapılarında yüzey durumlarının tayini
Determination of surface states in metal/insulator/semiconductor/metal structures
- Tez No: 13042
- Danışmanlar: PROF.DR. NECMİ SERİN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 1990
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Ankara Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 57
Özet
ÖZET Yüksek Lisans Tezi METAL/YALITKAN/YAMİLETKEN/METAL YAPILARINDA YÜZEY DURUMLARININ TAYİNİ Bayram ÜNAL^ Ankara Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Fizik Mühendisliği Anabilim Dalı Danışman : Prof. Dr. Necini SERİN 1990, Sayfa :98 Jüri : Prof. Dr. Necmi SERİN Prof. Dr. Arsm AYDINURAZ Prof. Dr. Necati YALÇIN Bu çalışmada, 1.20 - cm özdirençli < 111 > yönünde kesilmiş p-tipi silisyum tek kristali kullanılarak metal/yalıtkan/yarıiletken/metal yapıları oluşturulmuş ve yüzey durumlarının etkisi araştırılmıştır. Silisyum tek kristal parçaları üzerinde ayrı ayrı SİO2, GuOjCn^O ve SnO tabakaları büyütülmüş, oksit yüzeyler üzerine 10~6 torr'luk vakumda alüminyum (Al), kristalin diğer yüzeyine bakır (Cu) metali buharlaştırılarak Al/SiOtfSi/Cu, Al/CuO/C^O/Si/Cu ve Al/SnOfSi/Cu yapıları oluşturulmuştur. Yapıların akım-gerilim (I-V) ölçmeleri oda sıcaklığında, karanlık ortamda, 0-1.5 Volt aralığında ters ve düz beslemlerde alınmıştır. Sığa-gerilim ölçmeleri 0-2 Volt aralığında 120 Hz, 1 kHz ve 10 kHz frekanslarında ölçülmüştür. Bu verilerden (Sığa-gerilim eğrilerini kullanarak) yüzey durum yoğunlukları tayin edilmiştir, ANAHTAR KELİMELER : MİS, silisyum, Fenni seviyesi, omik kontak, doğrultucu kontak, yüzey durumları, oksit, donor, akseptör /
Özet (Çeviri)
II ABSTRACT Masters Thesis determination of surface states inmetal/wsulatorVsemiconductor/metal structures Bayram ÜNAL Ankara University Graduate School of Natural and Applied Sciences Department of Physics Engineering Supervisor: Prof. Dr. Nee mi SERİN 1990, Page:58 jury: Prof. Dr. Necmi SERİN Prof. Dr. Arsın AYDINURAZ Prof.Dr. Necati YALÇIN In this work, using p-tipi silicon single crystal with the resistivity of 1.20-cm cut in the < 111 > direction we obtained the metal/insulator/semicon ductor/metal structures, and investigated their effects of surface states. SiC^,- CUO/CU2O and SnO layers have been grown on the fragments of the single silikon crystal. Also ataminium (Al) has been evaporated on the oxide layer at 10~6 ton* while the other surface of the crystal has also been evaporated by copper (Cu) metaL Thus Al/Si02/Si/Cu, Al/GuO/Gu20/Si/Cu and Al/SnO/Si/Cu structires have been occured. Current- Voltage {I- V) measurements of the sample at room temperature and dark medium have been taken for the range of 0-1.5 Volts of forward and reverse bias. Furthermore, the capacitance versus voltage measurements have been done between 0-2 Volt range and for the frequencies of 120 Hz, 1 kHz and 10 kHz. The densities of surface state have been found from this data (using capacitance-voltage characteristics) KEY WORDS : MIS, silicon,Fermi level, ohmic contact, rectifying con tact, surface states, oxide, donor, acceptor,
Benzer Tezler
- Metal/TiO2/c-Si/metal yapılarında yüzey şartlarının elektriksel belirtkenler üzerindeki etkisi
The effects of surface states on the electrical characteristics of metal/TiO2/c-Si/metal structure
OSMAN PAKMA
Doktora
Türkçe
2008
Fizik ve Fizik MühendisliğiAnkara ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. NECMİ SERİN
- Au/Bi4Ti3O12/SiO2/n-Si yapıların hazırlanması, elektriksel ve dielektrik özelliklerinin frekans ve sıcaklığa bağlı incelenmesi
The preparation of Au/Bi4Ti3O12/SiO2/n-Si structures, investigation of the electrical and dielectric properties based on frequency and temperature
FUNDA PARLAKTÜRK
Doktora
Türkçe
2007
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL
- Metal-yalıtkan-yarıiletken (Al/SiO2/p-Si) yapıların elektrik ve dielektrik özelliklerinin frekans ve potansiyele bağlı incelenmesi
The investigation of frequency and voltage dependent electrical and dielectric properties of metal-insulator-semiconductor (Al/SiO2/p-Si) structures
ZEKAYİ SÖNMEZ
Doktora
Türkçe
2012
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL
- Instability studies in amorphous silicon based alloys
Amorf silisyum tabanlı alaşımlardaki kararsızlık çalışmaları
ORHAN ÖZDEMİR
Doktora
İngilizce
2004
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. BAYRAM KATIRCIOĞLU
- MOS yapılarda temel fiziksel parametrelerin frekans ve radyasyon miktarına bağlı incelenmesi
The investigation of basic physical parameters depend on frequency and radition dose rate in MOS structures
ADEM TATAROĞLU
Doktora
Türkçe
2004
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
Y.DOÇ.DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL