Geri Dön

Metal/yalıtkan/yarıiletken/metal yapılarında yüzey durumlarının tayini

Determination of surface states in metal/insulator/semiconductor/metal structures

  1. Tez No: 13042
  2. Yazar: BAYRAM ÜNAL
  3. Danışmanlar: PROF.DR. NECMİ SERİN
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 1990
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Ankara Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 57

Özet

ÖZET Yüksek Lisans Tezi METAL/YALITKAN/YAMİLETKEN/METAL YAPILARINDA YÜZEY DURUMLARININ TAYİNİ Bayram ÜNAL^ Ankara Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Fizik Mühendisliği Anabilim Dalı Danışman : Prof. Dr. Necini SERİN 1990, Sayfa :98 Jüri : Prof. Dr. Necmi SERİN Prof. Dr. Arsm AYDINURAZ Prof. Dr. Necati YALÇIN Bu çalışmada, 1.20 - cm özdirençli < 111 > yönünde kesilmiş p-tipi silisyum tek kristali kullanılarak metal/yalıtkan/yarıiletken/metal yapıları oluşturulmuş ve yüzey durumlarının etkisi araştırılmıştır. Silisyum tek kristal parçaları üzerinde ayrı ayrı SİO2, GuOjCn^O ve SnO tabakaları büyütülmüş, oksit yüzeyler üzerine 10~6 torr'luk vakumda alüminyum (Al), kristalin diğer yüzeyine bakır (Cu) metali buharlaştırılarak Al/SiOtfSi/Cu, Al/CuO/C^O/Si/Cu ve Al/SnOfSi/Cu yapıları oluşturulmuştur. Yapıların akım-gerilim (I-V) ölçmeleri oda sıcaklığında, karanlık ortamda, 0-1.5 Volt aralığında ters ve düz beslemlerde alınmıştır. Sığa-gerilim ölçmeleri 0-2 Volt aralığında 120 Hz, 1 kHz ve 10 kHz frekanslarında ölçülmüştür. Bu verilerden (Sığa-gerilim eğrilerini kullanarak) yüzey durum yoğunlukları tayin edilmiştir, ANAHTAR KELİMELER : MİS, silisyum, Fenni seviyesi, omik kontak, doğrultucu kontak, yüzey durumları, oksit, donor, akseptör /

Özet (Çeviri)

II ABSTRACT Masters Thesis determination of surface states inmetal/wsulatorVsemiconductor/metal structures Bayram ÜNAL Ankara University Graduate School of Natural and Applied Sciences Department of Physics Engineering Supervisor: Prof. Dr. Nee mi SERİN 1990, Page:58 jury: Prof. Dr. Necmi SERİN Prof. Dr. Arsın AYDINURAZ Prof.Dr. Necati YALÇIN In this work, using p-tipi silicon single crystal with the resistivity of 1.20-cm cut in the < 111 > direction we obtained the metal/insulator/semicon ductor/metal structures, and investigated their effects of surface states. SiC^,- CUO/CU2O and SnO layers have been grown on the fragments of the single silikon crystal. Also ataminium (Al) has been evaporated on the oxide layer at 10~6 ton* while the other surface of the crystal has also been evaporated by copper (Cu) metaL Thus Al/Si02/Si/Cu, Al/GuO/Gu20/Si/Cu and Al/SnO/Si/Cu structires have been occured. Current- Voltage {I- V) measurements of the sample at room temperature and dark medium have been taken for the range of 0-1.5 Volts of forward and reverse bias. Furthermore, the capacitance versus voltage measurements have been done between 0-2 Volt range and for the frequencies of 120 Hz, 1 kHz and 10 kHz. The densities of surface state have been found from this data (using capacitance-voltage characteristics) KEY WORDS : MIS, silicon,Fermi level, ohmic contact, rectifying con tact, surface states, oxide, donor, acceptor,

Benzer Tezler

  1. Tez No

    233003

    Metal/TiO2/c-Si/metal yapılarında yüzey şartlarının elektriksel belirtkenler üzerindeki etkisi

    The effects of surface states on the electrical characteristics of metal/TiO2/c-Si/metal structure

    OSMAN PAKMA

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2008

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAnkara Üniversitesi

    Fizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. NECMİ SERİN

  2. Tez No

    200980

    Au/Bi4Ti3O12/SiO2/n-Si yapıların hazırlanması, elektriksel ve dielektrik özelliklerinin frekans ve sıcaklığa bağlı incelenmesi

    The preparation of Au/Bi4Ti3O12/SiO2/n-Si structures, investigation of the electrical and dielectric properties based on frequency and temperature

    FUNDA PARLAKTÜRK

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2007

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL

  3. Tez No

    338701

    Metal-yalıtkan-yarıiletken (Al/SiO2/p-Si) yapıların elektrik ve dielektrik özelliklerinin frekans ve potansiyele bağlı incelenmesi

    The investigation of frequency and voltage dependent electrical and dielectric properties of metal-insulator-semiconductor (Al/SiO2/p-Si) structures

    ZEKAYİ SÖNMEZ

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2012

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL

  4. Tez No

    153401

    Instability studies in amorphous silicon based alloys

    Amorf silisyum tabanlı alaşımlardaki kararsızlık çalışmaları

    ORHAN ÖZDEMİR

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2004

    Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. BAYRAM KATIRCIOĞLU

  5. Tez No

    155940

    MOS yapılarda temel fiziksel parametrelerin frekans ve radyasyon miktarına bağlı incelenmesi

    The investigation of basic physical parameters depend on frequency and radition dose rate in MOS structures

    ADEM TATAROĞLU

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2004

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    Y.DOÇ.DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL

Geri Dön