Geri Dön

Improved robustness, stability and linearity in GaN based high electron mobility transistors for 5g applications

5g uygulamaları için GaN tabanlı yüksek elektron mobiliteli transistörlerde geliştirilmiş sağlamlık, kararlılık, ve doğrusallık

  1. Tez No: 686786
  2. Yazar: OĞUZ ODABAŞI
  3. Danışmanlar: PROF. DR. EKMEL ÖZBAY, DR. BAYRAM BÜTÜN
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2021
  8. Dil: İngilizce
  9. Üniversite: İhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi
  10. Enstitü: Mühendislik ve Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 165

Özet

5G teknolojisi yüksek frekanslı ve yüksek güce sahip güç yükselticilere ihtiyaç duymaktadır. GaN tabanlı yüksek-elektron-mobiliteli transistörler (YEMT) bu ihtiyaçları karşılamak için ümit vadeden adaylardır. Neredeyse 30 yıldır üzerine çalışılmasına rağmen, bu teknolojinin liderliği ele geçirmesinin önünde kararsız performans, yüksek doğrusalsızlık ve ömür hesaplamalarındaki belirsizlikler gibi problemler mevcuttur. Bu tez çalışmasında, GaN yüksek-elektron-mobiliteli güç yükseltici teknolojisinin en önemli problemlerinden bazıları ayrıntılı bir şekilde çalışılmıştır. GaN yüksek-elektron-mobiliteli güç yükselticilerin ısınma davranışını incelemek için fiziksel temelli aygıt simülasyonları kullanılmış ve güncel yöntemlerden daha gerçekçi bir model geliştirilmiştir. Aygıtlar üretilmiş ve tarak-şekilli kapı kontağı yapısı ile 6.4 V kararlı kapı gerilim kapsamına sahip yüksek doğrusallıkta güç yükselticiler elde edilmiştir. Konvansiyonel aygıtlara kıyasla OIP3'de 6.5 dB iyileşme elde edilmiştir. Son olarak, aygıtların kararlılığı ve sağlamlığı, pasivasyon göz önüne alınarak çalışılmıştır. Yüzey biçimi, doğru akım davranışı, uzun süreli kararlılık, atımlı akım-gerilim performansı ve pozitif kapı gerilimine dayanımda önemli ilerlemeler sunulmuştur. Elde edilen bilgiler, GaN yüksek-elektron-mobiliteli transistörlerin 5G uygulamalarında yer almasına yardımcı olacaktır.

Özet (Çeviri)

5G technology requires high frequency and high power transistors. GaN-based high-electron-mobility transistors (HEMTs) are promising candidates to answer these needs. Although it is studied nearly for 30 years, there are still problems with this technology such as high non-linearity, unstable behavior and uncertainties in lifetime estimations, to take the lead. Some of the most important problems of GaN HEMT technology are studied elaborately in this thesis. Electro-thermal simulations are used to analyze the heating behavior of HEMT power devices under operation and a new more realistic model is developed. Fabrication of devices is governed and highly linear transistors with 6.4 V gate voltage span are achieved by using fin-like structures. 6.5 dB improvement in OIP3 is obtained compared to conventional devices. Finally, the stability and robustness of these devices are studied in the view of passivation. Significant improvement in surface morphology, DC operation, long-term stability, pulsed IV performance, and forward gate bias stress durability has been demonstrated. Findings will help the implementation of GaN HEMT devices into 5G applications.

Benzer Tezler

  1. Generalized aeroservoelastic stability analysis of rotorcraft

    Başlık çevirisi yok

    AYKUT TAMER

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2012

    Havacılık MühendisliğiPolitechnico di Milano (Technical University of Milan)

    Havacılık Bilimi ve Teknolojileri Ana Bilim Dalı

    PROF. PIERANGELO MASARATI

  2. Gadoterat meglumin'in bozunma ürünlerinin varlığında yüksek basınçlı sıvı kromatografisi ile analizi

    Analysis of Gadoterate meglumine in the presence of degradation products by high pressure liquidchromatography

    MERVE GÖKŞEN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2023

    Eczacılık ve FarmakolojiHacettepe Üniversitesi

    Analitik Kimya Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. İNCİLAY SÜSLÜ

  3. F16 uçağının boylamsal hareketinin dayanıklı kontrolü

    Robust control of longitudinal motion of F16 aircraft

    AHMET DOĞANCI

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2004

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Y.DOÇ.DR. TURAN SÖYLEMEZ

  4. Güç sistemlerinde hizmet engelleme saldırıları ve giriş zaman gecikmelerine karşı hibrit kontrol stratejileri ile kararlılık ve dayanıklılık artırma

    Enhancing stability and resilience with hybrid control strategies against denial-of-service attacks and input delays in power systems

    UMUTCAN YİĞİT

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2024

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiMersin Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DR. ÖĞR. ÜYESİ AHMET NACİ METE

    DR. ÖĞR. ÜYESİ SERHAT OBUZ