Yarım köprü rezonanslı dönüştürücünün tasarımı ve uygulaması
Design and application of half bridge resonant converter
- Tez No: 724851
- Danışmanlar: DR. ÖĞR. ÜYESİ BURAK AKIN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2022
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Yıldız Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Elektrik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Elektrik Makinaları ve Güç Elektroniği Bilim Dalı
- Sayfa Sayısı: 96
Özet
Avrupa Birliği enerji komisyonu tarafından yayınlanan yeni mevzuat düzenlemeleri ile buzdolabı, bulaşık makinesi, çamaşır makinesi ve televizyon gibi ürünlerde enerji etiketlerinde değişikliğe gidilmiştir. Bu değişiklik ile ürünlerin genelinde ürünün enerji sınıfı seviyesi yeni ölçüm yöntemleri nedeniyle düşmüştür. Bu sebeple endüstride güç elektroniği devrelerinin verimini artırmaya yönelik çalışmalar yürütmek için yeni bir sebep doğmuştur. Enerji verimliliği ve düşük komponent sayısı açılarından alternatifleriyle karşılaştırıldığında öne çıkan yarım köprü seri rezonanslı LLC (rezonans endüktansları ve kapasitörü) dönüştürücü anahtarlamalı güç kaynağı topolojisi olarak sıklıkla tercih edilmektedir. Endüstride sıklıkla kullanılmasından ve önemli avantajlara sahip olmasından dolayı yarım köprü seri rezonanslı LLC dönüştürücü bu çalışmanın konusu dahilindedir. Yarım köprü seri rezonanslı LLC dönüştürücünün çalışma prensibi, çalışma aralıkları ve tasarım kriterleri incelenmiştir. GaN (Galyum Nitrit) transistörlerin bu dönüştürücü ile uyumu analiz edilmiş ve GaN transistörlerin bu dönüştürücüye sağlayabileceği avantajlar değerlendirilmiştir. Yeni mevzuat düzenlemeleri için daha yüksek verimli bir televizyon güç kaynağı tasarımı gerçekleştirmek amacıyla girişinde 400V çıkış gerilimine sahip bir güç faktörü düzeltme devresi olduğu varsayılan yarım köprü seri rezonanslı LLC dönüştürücü tasarımı GaN transistörler ile simülasyon ortamında gerçekleştirilmiştir, farklı çalışma koşulları için önemli dalga şekillerinin simülasyon sonuçları sunulmuştur. İkinci bir dönüştürücü simülasyon ortamında aynı devre yapısı ile sadece sürme devresi uyarlanarak MOSFET'ler ile kurulmuştur ve GaN transistörlerle kurulan dönüştürücü ile arasında yüke bağlı verim karşılaştırması yapılmıştır. Simülasyonun doğruluğunu arttırmak amacıyla GaN transistör, MOSFET'ler, sürme devresi ve kontrol devresi gibi çoğu komponent için üreticilerden sağlanan simülasyon modelleri kullanılmıştır. İki dönüştürücü için de farklı yük koşullarında sıfır gerilimde anahtarlama sağlandığı gösterilmiştir. GaN transistörler kullanılan yarım köprü rezonanslı LLC dönüştürücünün MOSFET kullanılan yarım köprü rezonanslı LLC dönüştürücüye kıyasla farklı yük koşullarında %2-%3 daha yüksek verim ile çalıştığı sonucuna varılmıştır.
Özet (Çeviri)
With the new legislative regulations published by the European Union energy commission, changes were made in the energy labels of products such as refrigerators, dishwashers, washing machines and televisions. Hence, the energy class level has decreased for most of the products due to the new measurement methods. As a result of this, a new reason has emerged to carry out studies to increase the efficiency of power electronic circuits in the industry. Compared to other alternative topologies half bridge resonant LLC (resonant inductors and capacitor) converter performs better in terms of energy efficiency and low component count and frequently preferred as a switch mode power supply topology. Half-bridge series resonant LLC converter is within the scope of this study because it is frequently used in industry and has significant advantages. Working principle, working ranges and design criteria of half-bridge series resonant LLC converter are investigated. The compatibility of GaN (Gallium nitride) transistors with this converter is analyzed and the advantages that GaN transistors could provide to this converter is evaluated. In order to design a higher efficiency television power supply for new legislative regulations, half-bridge serias resonant LLC converter design, which is assumed to have a power factor correction circuit with 400V output voltage at the input, is designed with GaN transistors in a simulation environment, simulation results of important waveforms for different operating conditions are presented. A second converter is built with MOSFETs by adapting only the drive circuit with the same circuit structure in the simulation environment, and a load-dependent efficiency comparison is made with the converter built with GaN transistors. Simulation models provided by the manufacturers are used for most of the components such as GaN transistor, MOSFETs, drive circuit and control circuit to increase accuracy of the simulation. For both converters zero voltage switching is demonstrated under different load conditions. It is concluded that the half-bridge resonant LLC converter using GaN transistors has 2%-3% higher efficiency compared to the half-bridge resonant LLC converter using MOSFETs overall in different load conditions.
Benzer Tezler
- Design and application of half-bridge LLC resonant converter using reinforcement learning control
Pekiştirmeli öğrenme kontrollü yarım köprü LLC rezonans dönüştürücü tasarımı ve uygulaması
MUHAMMET KILIÇTAŞ
Yüksek Lisans
İngilizce
2024
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiElektrik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. SALİH BARIŞ ÖZTÜRK
- Yüksek güç faktörlü yükseltici tür dönüştürücü beslemeli LLC rezonans devresi tasarımı ve uygulaması
Design and implementation of high power factor boost type converter feed LLC resonant converter
RAMAZAN ÖNDER YAŞAR
Yüksek Lisans
Türkçe
2024
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiElektrik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ ERDEM AKBOY
- Design of digitally controlled llc resonant converter
Sayısal kontrollü llc rezonans dönüştürücü tasarımı
SERKAN DOĞANGÜNEŞ
Yüksek Lisans
İngilizce
2016
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiGebze Teknik ÜniversitesiElektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ABDULKADİR BALIKÇI
- Üç seviyeli NPC ara devreli DC/DC dönüştürücünün kontrolü ve MMA kaynak makinesi uygulaması
Control of three level NPC DC/DC converter and application of MMA welding machine
MERVE SABRİYE SELİK
Yüksek Lisans
Türkçe
2017
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiMekatronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. MURAT YILMAZ
- İki yönlü üç seviyeli T-tipi LLC rezonans izole DA-DA dönüştürücünün tasarımı ve analizi
Design and analysis of bidirectional three level T-type LLC resonant isolated DC-DC converter
KEMAL KALAYCI
Doktora
Türkçe
2024
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiSakarya ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. UĞUR ARİFOĞLU
DR. ÖĞR. ÜYESİ ONUR DEMİREL