Fabrication and characterization of nanomaterial based thin film transistor and adaptability to display technologies
Nanomalzeme tabanlı ince film transistörün üretimi ve karakterizasyonu ve ekran teknolojilerine uyarlanabilirliği
- Tez No: 729137
- Danışmanlar: DOÇ. DR. MEHMET FARUK EBEOĞLUGİL
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2022
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Dokuz Eylül Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Nanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Nanobilim ve Nanomühendislik Bilim Dalı
- Sayfa Sayısı: 160
Özet
Bu çalışmada, ITO kaplı PET esnek ve şeffaf bir yapı oluşturmak için alttaş olarak kullanıldı. A-IGZO (amorf InGaZnO4), ilgili TFT cihazının uzun süre yüksek performansta stabil kalması için yarı iletken katman olarak tercih edilmiştir. Ayrıca, bu TFT'nin elektriksel performansını artırmak için yenilikçi bir yöntem olarak, HfO2 dielektrik katman yüzeyi SrTiO3 ile modifiye edildi. İlgili esnek şeffaf ince film transistör (TTFT) yapısının tüm katmanları, püskürtme yöntemiyle üretildi. Bu çalışmada üretilen TFT cihazları sırasıyla X-ışını kırınımı (XRD), taramalı elektron mikroskobu (SEM), atomik kuvvet mikroskobu (AFM), X-ışını fotoelektron (XPS) ve UV-VIS spektroskosi kullanılarak yapısal, morfolojik, kimyasal ve optik özellikleri açısından değerlendirilmiştir. Ayrıca ilgili TFT cihazlarının uzun dönem elektriksel performanslarının incelenmesi amacıyla ilgili aygıtlar TV panel üretim pazarına uygun güvenilirlik testlerine tabi tutulmuş ve test öncesi ve sonrası elektriksel performansları belirlenmiştir. Geliştirilen TFT cihazlarının elektromanyetik spektrumun görünür aralığındaki ortalama optik geçirgenlik değerleri yüzde 79.80 olarak belirlendi. Güvenilirlik testleri sonrasında cihazın fet mobilite değerinde ihmal edilebilir bir azalma olduğu tespit edildi. Uzun süreli stabilite testlerinden sonra fet mobilite değerinin bu kadar yüksek olması, ilgili esnek ve şeffaf TFT cihazının LCD ve OLED ekran teknolojilerinde LC (sıvı kristal) ve OLED (organik ışık yayan diyot) alt piksellerini sürmek için kullanılabileceğini göstermektedir.
Özet (Çeviri)
In this study, ITO-coated PET was used as the substrate to create a flexible and transparent structure. a-IGZO (amorphous InGaZnO4) is preferred for the semiconductor layer in order to keep the related TFT device stable at high performance for a long term. In addition, as an innovative method to increase the electrical performance of this TFT, the HfO2 dielectric layer surface has been modified with SrTiO3. All layers of the relevant flexible transparent thin film transistor (TTFT) structure were produced by the sputtering method. In this work, fabricated TFT devices were evaluated in terms of the structural, morphological, chemical and optical properties using X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscope (SEM), atomic force microscopy (AFM), X-ray photoelectron (XPS) and UV-VIS spectroscopy, respectively. In addition, in order to examine the long term electrical performance of the related TFT devices, the relevant products were put into the reliability tests for TV panel production market and their electrical performances before and after the tests were determined. The average optical transmittance values of the developed TFT devices in visible range of electromagnetic spectrum were determined as percentage of 79.80. After the reliability tests, it was determined that there was a negligible decrease in the fet mobility value of the device. The fact that the fet mobility value is so high after long-term stability tests shows that the relevant flexible and transparent TFT device can be used to drive LC (liquid crystal) and OLED (organic light emitting diode) subpixels in LCD and OLED screen technologies.
Benzer Tezler
- Organik lif tabanlı metal oksit kaplanmış biyo-sensör geliştirilmesi
Development of organic fiber based metal oxide coated bio-sensor
GÖZDE KONUK EGE
Doktora
Türkçe
2022
Mekatronik MühendisliğiMarmara ÜniversitesiMekatronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. GARİP GENÇ
DR. ÖĞR. ÜYESİ HÜSEYİN YÜCE
- Synthesis and characterization of Van der Waals heterostructures, and nanofabrication of electronic devices based on two-dimensional materials
Van der Waals heteroyapılarının sentezi, karakterizasyonu ve iki-boyutlu malzeme temelli elektronik aygıtların üretimi
MEHDI RAMEZANI
Yüksek Lisans
İngilizce
2017
Bilim ve Teknolojiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiMalzeme Bilimi ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. TALİP SERKAN KASIRGA
- Grafen ve gümüş nanomalzeme tabanlı saydam iletken elektrot üretimi, karakterizasyonu ve organik güneş hücrelerine uygulanması
Fabrication, characterization of graphene and silver nanomaterial based trasparent, conductive electrode and application of organic solar cells
BÜŞRA TUĞBA ÇAMİÇ
Doktora
Türkçe
2018
Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MUHAMMED HASAN ASLAN
DOÇ. DR. FEVZİHAN BAŞARIR
- Recent progress in nanomaterials for gene delivery applications
Gen salınımı uygulamaları için nanomateryallerdeki son ilerlemeler
ERHAN KELEŞ
Yüksek Lisans
İngilizce
2016
BiyomühendislikWashington State UniversityMühendislik ve Doğa Bilimleri Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. WENJİ DONG
- Synthesis of amphiphilic carbon quantum dots through carbonization of supramolecules
Supramoleküllerin karbonizasyonu ile amfifilik karbon kuantum noktalarının sentezi
İBRAHİM YAĞIZ COŞKUN
Yüksek Lisans
İngilizce
2021
Bilim ve Teknolojiİstanbul Teknik ÜniversitesiNanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ CANER ÜNLÜ