Silikon tabanlı pın diyotların elektriksel belirtkenlerinin incelenmesi
Investigation of electrical properties of silicon pin diodes
- Tez No: 733012
- Danışmanlar: PROF. DR. OSMAN PAKMA
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2022
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Batman Üniversitesi
- Enstitü: Lisansüstü Eğitim Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 77
Özet
Bu tez çalışmasında silikon tabanlı BPW41N (PIN) fotodiyotunun elektriksel karakterizasyonu gerçekleştirilerek, elektriksel parametreler belirlenmiş ve bu parametreler aracılığı ile baskın olan akım iletim mekanizması hakkında bilgi edilmeye çalışılmıştır. 80-300K sıcaklıkları arasında akım-gerilim (I-V) ölçümlerinden PIN foto diyotumuzun uygulanan gerilim değeri ile seri direnç etkisine bağlı olarak sapma meydana geldiği görülmüştür. Baskın akım-iletim mekanizmasına göre elektriksel belirtkenler tayin edilmiştir. Ayrıca Norde ve Cheung metodundan yararlanarak aygıtımızın seri direnci belirlenmeye çalışılmıştır. Oda sıcaklığında Norde fonksiyonu ile seri direnç ve engel yüksekliği 147 Ω ve 0,881 eV ve Cheung metodu ile de seri direnç 2,77 ve 2,076 Ω, engel yüksekliği 2,083 Ω, ve 0,654 eV olarak hesaplanmıştır. Bu farklılıklar akım-iletim mekanizması ve yöntemlere bağlı olarak yorumlanmıştır.
Özet (Çeviri)
In this thesis, the electrical characterization of the silicon-based BPW41N (PIN) photodiode was performed and its electrical parameters were determined and information about the dominant current conduction mechanism was tried to be obtained through these parameters. From the current-voltage (I-V) measurements between 80-300K temperatures, it was observed that there was a deviation due to the series resistance effect with the applied voltage value of our PIN photo diode. The electrical parameters were determined according to the dominant current conduction mechanism. In addition, the series resistance of our device was tried to be determined by using Norde and Cheung methods. At room temperature, the series resistance and barrier height were calculated as 147 Ω and 0.881 eV with the Norde function, and the series resistance was calculated as 2.77 and 2.076 Ω, the barrier height was 2.083 Ω, and 0.654 eV with the Cheung method. These differences have been interpreted depending on the current-conduction mechanism and methods.
Benzer Tezler
- Design and production of benchtop x-ray imaging system
Masaüstü x-ışını görüntüleme sisteminin dizaynı ve üretimi
MEHMET ERHAN EMİRHAN
Doktora
İngilizce
2016
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. CENAP ŞAHABETTİN ÖZBEN
- Production of light emitting pin diodes based on the plasma deposited amorphous silicon carbide films
Plazma ile büyütülmüş amorf silisyum karbür film tabanlı ışık yayınlayan pin diyotların üretilmesi
KIVANÇ SEL
Yüksek Lisans
İngilizce
2002
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. İSMAİL ATILGAN
- Nanocrystal silicon based visible light emitting pin diodes
Nanokristal silisyum tabanlı görünür ışık yayan pin diyotlar
MUSTAFA ANUTGAN
Doktora
İngilizce
2010
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiFizik Bölümü
PROF. DR. BAYRAM KATIRCIOĞLU
- High efficient PİN photodiode fabrication and evaluation for medical applications
Yüksek verimli PIN foto diyot üretilmesi ve tıbbi uygulamalar için değerlendirilmesi
EMRE DOĞANCI
Doktora
İngilizce
2024
Fizik ve Fizik MühendisliğiBolu Abant İzzet Baysal ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ERCAN YILMAZ
- Design of a radiation hardened PWM controller built on SOI
SOI tabanlı radyasyona dayanıklı PWM denetleyici tasarımı
EMRECAN KILIÇ
Yüksek Lisans
İngilizce
2018
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. HALUK KÜLAH