Geri Dön

Production of light emitting pin diodes based on the plasma deposited amorphous silicon carbide films

Plazma ile büyütülmüş amorf silisyum karbür film tabanlı ışık yayınlayan pin diyotların üretilmesi

  1. Tez No: 118985
  2. Yazar: KIVANÇ SEL
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. İSMAİL ATILGAN
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Hidrojenlenmiş amorf silisyum karbür ince filmler, PECVD, p-i-n diyotlar, LED, Elipsometre, UV-görünür bölge spektroskopisi. iv, Amorf silisyum karbür, Optoelektronik, Plazma, İnce filmler, Hydrogenated amorphous silicon carbide thin films, PECVD, p-i-n diodes, LED, UV transmission spectroscopy, Ellipsometry. iii, Amorphous silicon carbide, Optoelectronic, Plasma, Thin films
  7. Yıl: 2002
  8. Dil: İngilizce
  9. Üniversite: Orta Doğu Teknik Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

oz PLASMA İLE BÜYÜTÜLMÜŞ AMORF SİLİSYUM KARBÜR FİLM TABANLI IŞIK YAYINLAYAN PIN DİYOTLARIN ÜRETİLMESİ Sel, Kıvanç Yüksek Lisans, Fizik Bölümü Tez Yöneticisi: Assoc. Prof. Dr. İsmail Atılgan Ocak 2002, 106 sayfa Hidrojenlenmiş amorf silisyum karbürün yapı (a-SiC:H) ve optoelektronik özellikleri teorik olarak gözden geçirildi. Katkılanmamış ve p- ve n- türü katkılanmış a-Siı-xCx:H filmler çeşitli tabanlar (Kristal silisyum pullar, kuvars ve sıradan camlar) üzerine eldeki plazma destekli kimyasal buhar biriktirme (PECVD) düzeneği kullanılarak büyütülmüştür. Özdirenç, kızıl altı soğurma (FTIR), mor üstü-görünür (UV) bölge geçirgenlik spektroskopisi ve elipsometri ölçümleri, ışık yayınlayan p-i-n diyotların (LED) üretimi için uygun özdirenç, katkılama seviyesi ve optik enerji aralığı yönünden analiz edilerek, film büyütme koşullan belirlenmiştir. a-Siı.xCx:H ışık yayınlayan p-i-n diyotlar başarıyla üretildi ve akım- gerilim ölçümleriyle elektrik özellikleri analiz edildi. Işıma özellikleri düz besleme altında analiz edildi. 1 eV ve 2 eV çevresinde gözlemlenen ışıma tepecikleri Si3 ve C3 sarkık bağlan yönünden tartışıldı.

Özet (Çeviri)

ABSTRACT THE PRODUCTION OF LIGHT EMITTING PIN DIODES BASED ON THE PLASMA DEPOSITED AMORPHOUS SILICON CARBIDE FILMS Sel, Kıvanç M.S., Department of Physics Supervisor: Assoc. Prof. Dr. Ismail Atılgan January 2002, 106 pages The structural and optoelectronic characteristics of the hydrogenated amorphous silicon carbide (a-Sii_xCx:H) thin films were theoretically revised. The intrinsic, p- and n- type doped a-SiC:H were grown on various substrates (Crystal silicon wafers, quartz and ordinary glasses) by using the plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) system at hand. The analyses of these films by electrical resistivity measurements, fourier transformed infrared spectroscopy (FTIR), ultraviolet-visible (UV) transmission spectroscopy and ellipsometry were used to determine the optimum growth conditions in terms of adequate resistivity, doping levels and optical energy gap for p-i-n light emitting diode (LED) applications. The light emitting a-Sii-xCx:H p-i-n diodes were successfully fabricated and the electrical characteristics were analyzed by current-voltage measurements. The luminescence characteristics were analyzed under forward bias. The observed luminescence peaks at around 1 eV and 2 eV were discussed in terms of Sİ3 and C3 dangling bond states.

Benzer Tezler

  1. Nanocrystal silicon based visible light emitting pin diodes

    Nanokristal silisyum tabanlı görünür ışık yayan pin diyotlar

    MUSTAFA ANUTGAN

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2010

    Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Fizik Bölümü

    PROF. DR. BAYRAM KATIRCIOĞLU

  2. CSA'nın P3HT VE MEH-PPV polimerlerinin fiziksel özelliklerine etkisi

    Effect of CSA on the physical properties of P3HT and MEH-PPV polymers

    CEM ULUDAĞ

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2023

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Fizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ESRA ALVEROĞLU DURUCU

  3. Rational molecular design enables efficient organic solar cells and organic light emitting devices

    Verimli organik güneş pilleri ve organik ışık yayan cihazlar için akılcı molekülerin tasarımı

    EDA ALEMDAR YILMAZ

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2022

    KimyaOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Kimya Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ALİ ÇIRPAN

    PROF. DR. LEVENT KAMİL TOPPARE

  4. Fotokatalitik hidrojen üretimi için subftalosiyanin temelli fotokatalizörler

    Subphthalocyanine-based photocatalysts for photocatalytic hydrogen production

    AŞKIN KİLLİ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2023

    EnerjiTarsus Üniversitesi

    Enerji Sistemleri Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MİNE İNCE OCAKOĞLU

  5. Fabrication and characterization of P3HT-WO3 hybrid thin films and device applications

    P3HT-WO3 hibrit ince filmlerin üretimi, karakterizasyonu ve cihaz uygulamaları

    FATMA BEYZA YEDİKARDEŞ ER

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2024

    Kimyaİstanbul Teknik Üniversitesi

    Nanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ESRA ZAYİM

    PROF. DR. MUSTAFA ALTUN