High-operating-temperature (HOT) infrared detectors based on antimonide heterostructures
Antimoni çokluyapı tabanlı yüksek sıcaklıkta çalışan (HOT)kızılötesi dedektörler
- Tez No: 750499
- Danışmanlar: PROF. DR. UĞUR SERİNCAN
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2022
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Eskişehir Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Lisansüstü Eğitim Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 101
Özet
Bu çalışmada, orta kızılötesi bölgesinde algılama yapmak amacıyla InAs/InAsSb süperörgü malzeme sisteminin kullanıldığı p-i-n ve nBn dedektör yapıları tasarlandı. Tasarlanan dedektör yapıları moleküler demet epitaksi tekniğiyle GaSb alttaş üzerine büyütüldü. Büyütme oranı, alttaş, akı modülasyonu gibi parametreler değiştirilerek kristal kalitesine olan etkileri incelendi. Üretilen dedektör yapılarının tek piksel aygıt fabrikasyonu yapılarak, karanlık akım ve spektral tepkileri incelendi. Ayrıca fotolüminesans tekniği kullanılarak soğurucu ve bariyer katmanlarındaki rekombinasyon mekanizmaları ve lokalize durumlar araştırıldı ve deneysel çalışmaların sonuçları sunulmuştur. Radyometrik yaklaşım ile farklı sahne sıcaklığında bir InAs/InAsSb dedektör için kuyu doluluk miktarı, dinamik aralık ve bit kayıpları gibi performansa etki eden parametreler incelenmiştir. Yapılan analizlerde dedektöre ait kuantum verimi, gürültüye eşdeğer sıcaklık farkı ve piksel homojensizliği hesaplamalarda göz önünde bulundurulmuştur.
Özet (Çeviri)
In this study, InAs/InAsSb based p-i-n and nBn detector structures were designed for mid-infrared region detection. The designed detector structures were grown on GaSb substrates by molecular beam epitaxy technique. By changing parameters such as growth rate, flux modulation and substrate vendor, crystal quality of the grown structures were monitored. The dark current and spectral responses of the detectors were evaluated by fabricating single pixel devices. In addition, recombination mechanisms and localized states in the absorber and barrier layers were investigated using the photoluminescence technique and the results of the experimental studies were presented. With the radiometric approach, parameters affecting system performance such as well fill, dynamic range and bit losses were investigated for an InAs/InAsSb based imager at different scene temperatures. Detector parameters such as quantum efficiency, noise equivalent temperature differences and pixel non-uniformity were considered in the analysis.
Benzer Tezler
- IR güdümlü mermilere karşı yansıtıcı ve soğurucu panel geliştirilmesi
Developing reflective and absorptive panels against IR guided missiles
SAMET ÇELİK
Yüksek Lisans
Türkçe
2024
Mühendislik BilimleriMilli Savunma ÜniversitesiGemi Makineleri Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. DOĞUŞ ÖZKAN
- High operating temperature mid-wave infrared hgcdte photodiode design
Yüksek çalışma sıcaklığında orta dalgaboyu kızılötesi hgcdte fotodiyot tasarımı
ERAY YURTSEVEN
Yüksek Lisans
İngilizce
2019
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ SERDAR KOCAMAN
- Dikim işlemi sırasında sürtünme ısısına etki eden malzeme değişkenlerinin incelenmesi
The Investigation of the effects of material characteristics on frictional heat during sewing
FATMA KALAOĞLU
- Development of a novel hybrid process for the conversion of cellulose into high-value chemicals by applying voltage in hot-compressed water
Sıcak basınçlı suda voltaj uygulayarak selülozun değerli kimyasallara dönüştürülmesi için yeni bir hibrit süreç geliştirilmesi
OKAN AKIN
Doktora
İngilizce
2017
Kimya Mühendisliğiİzmir Yüksek Teknoloji EnstitüsüKimya Mühendisliği Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. ASLI YÜKSEL ÖZŞEN
- Kızılötesi ısıtma ile kürlenen karbon fiber katkılı kompozit malzemede taguchi yöntemi kullanılarak optimum kür çevriminin belirlenmesi
Determination of the optimum cure cycle of carbon fiber reinforced composite materials using taguchi method
YAKUP OKAN ALPAY
Doktora
Türkçe
2020
Makine MühendisliğiDüzce ÜniversitesiMakine Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. İLYAS UYGUR
PROF. DR. MEHMET FIRAT