Geri Dön

High-operating-temperature (HOT) infrared detectors based on antimonide heterostructures

Antimoni çokluyapı tabanlı yüksek sıcaklıkta çalışan (HOT)kızılötesi dedektörler

  1. Tez No: 750499
  2. Yazar: MELİH KORKMAZ
  3. Danışmanlar: PROF. DR. UĞUR SERİNCAN
  4. Tez Türü: Doktora
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2022
  8. Dil: İngilizce
  9. Üniversite: Eskişehir Teknik Üniversitesi
  10. Enstitü: Lisansüstü Eğitim Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 101

Özet

Bu çalışmada, orta kızılötesi bölgesinde algılama yapmak amacıyla InAs/InAsSb süperörgü malzeme sisteminin kullanıldığı p-i-n ve nBn dedektör yapıları tasarlandı. Tasarlanan dedektör yapıları moleküler demet epitaksi tekniğiyle GaSb alttaş üzerine büyütüldü. Büyütme oranı, alttaş, akı modülasyonu gibi parametreler değiştirilerek kristal kalitesine olan etkileri incelendi. Üretilen dedektör yapılarının tek piksel aygıt fabrikasyonu yapılarak, karanlık akım ve spektral tepkileri incelendi. Ayrıca fotolüminesans tekniği kullanılarak soğurucu ve bariyer katmanlarındaki rekombinasyon mekanizmaları ve lokalize durumlar araştırıldı ve deneysel çalışmaların sonuçları sunulmuştur. Radyometrik yaklaşım ile farklı sahne sıcaklığında bir InAs/InAsSb dedektör için kuyu doluluk miktarı, dinamik aralık ve bit kayıpları gibi performansa etki eden parametreler incelenmiştir. Yapılan analizlerde dedektöre ait kuantum verimi, gürültüye eşdeğer sıcaklık farkı ve piksel homojensizliği hesaplamalarda göz önünde bulundurulmuştur.

Özet (Çeviri)

In this study, InAs/InAsSb based p-i-n and nBn detector structures were designed for mid-infrared region detection. The designed detector structures were grown on GaSb substrates by molecular beam epitaxy technique. By changing parameters such as growth rate, flux modulation and substrate vendor, crystal quality of the grown structures were monitored. The dark current and spectral responses of the detectors were evaluated by fabricating single pixel devices. In addition, recombination mechanisms and localized states in the absorber and barrier layers were investigated using the photoluminescence technique and the results of the experimental studies were presented. With the radiometric approach, parameters affecting system performance such as well fill, dynamic range and bit losses were investigated for an InAs/InAsSb based imager at different scene temperatures. Detector parameters such as quantum efficiency, noise equivalent temperature differences and pixel non-uniformity were considered in the analysis.

Benzer Tezler

  1. IR güdümlü mermilere karşı yansıtıcı ve soğurucu panel geliştirilmesi

    Developing reflective and absorptive panels against IR guided missiles

    SAMET ÇELİK

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2024

    Mühendislik BilimleriMilli Savunma Üniversitesi

    Gemi Makineleri Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. DOĞUŞ ÖZKAN

  2. High operating temperature mid-wave infrared hgcdte photodiode design

    Yüksek çalışma sıcaklığında orta dalgaboyu kızılötesi hgcdte fotodiyot tasarımı

    ERAY YURTSEVEN

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2019

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DR. ÖĞR. ÜYESİ SERDAR KOCAMAN

  3. Dikim işlemi sırasında sürtünme ısısına etki eden malzeme değişkenlerinin incelenmesi

    The Investigation of the effects of material characteristics on frictional heat during sewing

    FATMA KALAOĞLU

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    1992

    Makine Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    PROF. MUSTAFA KÖSEOĞLU

  4. Development of a novel hybrid process for the conversion of cellulose into high-value chemicals by applying voltage in hot-compressed water

    Sıcak basınçlı suda voltaj uygulayarak selülozun değerli kimyasallara dönüştürülmesi için yeni bir hibrit süreç geliştirilmesi

    OKAN AKIN

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2017

    Kimya Mühendisliğiİzmir Yüksek Teknoloji Enstitüsü

    Kimya Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. ASLI YÜKSEL ÖZŞEN

  5. Kızılötesi ısıtma ile kürlenen karbon fiber katkılı kompozit malzemede taguchi yöntemi kullanılarak optimum kür çevriminin belirlenmesi

    Determination of the optimum cure cycle of carbon fiber reinforced composite materials using taguchi method

    YAKUP OKAN ALPAY

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2020

    Makine MühendisliğiDüzce Üniversitesi

    Makine Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. İLYAS UYGUR

    PROF. DR. MEHMET FIRAT