RF güç yükselticiler için sayısal kontrol tabanlı gan transistörlü zarf izleyici güç kaynağı tasarımı
Design of digitally controlled envelope tracking power supply with gan transistor for rf power amplifiers
- Tez No: 752633
- Danışmanlar: PROF. DR. COŞKU KASNAKOĞLU
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Alçaltan çevirici, GaN transistör, Güç yükselteç, Sayısal kontrol, Zarf izleyici, Buck converter, Digital control, Envelope tracking, GaN transistor, Power amplifiers
- Yıl: 2022
- Dil: Türkçe
- Üniversite: TOBB Ekonomi ve Teknoloji Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 99
Özet
Cep telefonları, kablosuz modemler, baz istasyonları ve daha birçok alanda kullanılan kablosuz haberleşme artan talep ve gelişen teknoloji ile birlikte oldukça önem kazanmıştır. Kablosuz haberleşmenin önemli bir bloğunu RF güç yükselticiler oluşturur. RF sistemlerde en çok güç tüketen birimlerin başında güç yükselteçleri gelir. Bu nedenle güç yükselteç tasarımında verim en önemli parametrelerden biridir. Klasik güç yükselteçleri verimli değildir. Güç yükselteçlerde verimliliği arttırmak için kullanılan gerilim modülasyon tekniklerinden biri de zarf izleme yöntemidir. Bu yöntemde güç yükseltecini besleyen güç kaynağı referans aldığı sinyale göre çıkış gerilimini yükseltip alçaltarak RF sistemin ihtiyacına göre çıkış gerilimi oluşturur. Bu çalışmada güç yükselteçlerde zarf izleyen anahtarlamalı güç kaynağı tasarımı anlatılmıştır. Bu güç kaynağı 9V-12V giriş geriliminde çalışan, 750 KHz anahtarlama frekansına sahip, 5 KHz'e kadar zarf izleyebilen, 1A çıkış akımı ve 5V çıkış gerilimi sağlayabilen bir tasarımdır. Bu güç kaynağı senkron alçaltan çevirici topolojiyle tasarlanmıştır. Bu çalışmada ayrıca esnek çözümler sunan sayısal kontrolcü tasarımına, yüksek hızlarda daha verimli çalışan GaN (Gallium Nitride) transistör kullanımına ve çeşitli analizlere yer verilmiştir.
Özet (Çeviri)
Wireless communication, which is used in mobile phones, modems, base stations and many other areas has gained importance with increasing demand and developing technology. RF power amplifiers are one of the most important blocks in wireless communication. Power amplifiers consume the most power in RF systems. Therefore, efficiency is one of the most important parameters in power amplifier design. Classical power amplifiers are not efficient. Envelope tracking is one of the voltage modulation techniques that is used to increase efficiency in power amplifiers. In this method, the power source feeding the power amplifier creates an output voltage according to the needs of the RF system by increasing and decreasing the output voltage. In this study, envelope tracking power supply design is explained. This supply is capable of operating with 9-12V input voltage, has 750 KHz switching frequency, follows reference signal up to 5kHz, supplies 1A output current and 5V output voltage. The power supply is a design with synchronous buck converter topology. Also this study includes digital control design providing flexible solutions, use of GaN (Gallium Nitride) transistors that work more efficiently at high speeds and various analyzes.
Benzer Tezler
- High voltage conversion efficiency charge pump based power management integrated circuit for bioimplants
Biyoimplantlar için gerilim dönüştürme verimi yüksek yük pompası tabanlı güç yönetimi tümdevresi
MELİH BİLMEZ
Yüksek Lisans
İngilizce
2019
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiElektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ TUFAN COŞKUN KARALAR
- A digitally controlled class-E amplifier for MRI
MRG cihazları için tasarlanmış sayısal kontrollü güç yükselteci
REDI PONI
Yüksek Lisans
İngilizce
2016
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ERGİN ATALAR
- CMOS class-e power amplifier modelling and design including channel resistance effects
CMOS e-sınıfı güç yükselticinin kanal direnç etkilerini içeren modellemesi ve tasarımı
İBRAHİM DEMİR
Yüksek Lisans
İngilizce
2004
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. ŞİMŞEK DEMİR
PROF. DR. CANAN TOKER
- Adaptive digital predistortion for linearization of power amplifiers
Uyarlanabilir sayısal önbozma kullanılarak güç kuvvetlendiricilerinin doğrusallaştırılması
BURAK ŞEKERLİSOY
Yüksek Lisans
İngilizce
2009
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiElektrik ve Elektronik Mühendisliği Bölümü
PROF. DR. ABDULLAH ATALAR
- Computational analyses of die-embedded microchannels for high electron mobility transistors considering thermal, hydrodynamic and structural behavior
Yüksek elektron mobiliteli transistorlara uygulanmış gömülü mikrokanal yapılarının ısıl, hidrodinamik ve yapısal davranışlarının hesaplamalı analizleri
ORÇUN YILDIZ
Yüksek Lisans
İngilizce
2023
Makine Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiMakine Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ ALAEDDİN BURAK İREZ
PROF. DR. LÜTFULLAH KUDDUSİ