Geri Dön

Tlinse2 bileşiğinin DC iletkenlik mekanizmalarının incelenmesi

Investigation of DC conductivity mechanisms of TlInSe2 compound

  1. Tez No: 766833
  2. Yazar: GÜNAY PARLANZADA
  3. Danışmanlar: PROF. DR. NEVİN KALKAN
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2022
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: İstanbul Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Genel Fizik Bilim Dalı
  13. Sayfa Sayısı: 67

Özet

Bu tez çalışmasında, TlIII BIII C2VI (B=As, Sb, Bi, In C=S, Se, Te) tipi üçlü yarıiletkenler grubuna ait Bridgman-Stockbarger metoduyla hazırlanmış olan TlInSe2 yarıiletken malzemesi kullanıldı. Bu örneğin akım ve voltaj karakteristikleri 1-13 Volt voltaj aralığında ve 293 K - 373 K sıcaklık aralığında analiz edildi. İletim aktivasyon enerjisi, incelenen sıcaklık aralığında hesaplandı. İletim aktivasyon enerjisi, incelenen sıcaklık aralığında bir tür iletim mekanizmasının varlığını gösteren tek bir değere sahipti. Örneğin elektriksel iletkenliğinin termal olarak aktive edilen bir mekanizma tarafından kontrol edildiği bulundu. Araştırmamızda, mevcut ve baskın DC iletkenlik mekanizmalarını ve elektriksel anizotropi gösterip göstermediğini belirledik. DC çalışmaları, omik olmayan iletim tipini ortaya çıkardı. Bu örneklerdeki baskın iletim mekanizmasının uzay yükü sınırlı akımlar iletim tipi olduğu bulundu. Ayrıca aktivasyon enerjileri de farklı voltajlarda hesaplandı ve uygulanan voltajın artmasıyla aktivasyon enerjisinin azaldığı görüldü.

Özet (Çeviri)

In this thesis, semiconductor material TlInSe2 was used related with TlIII BIII C2VI (B=As, Sb, Bi, In, C=S, Se, Te) ternary type semiconductor group which were grown by the using Bridgman-Stockbarger technique. The current and voltage characteristics for these samples were analyzed with a voltage range of 1-13 Volts and a temperature range between 293 K- 373 K. The conduction activation energy has a single value indicating the existence of one type of conduction mechanism in the investigated temperature range. The electrical conductivity of the sample was found to be controlled by a thermally activated mechanism. In our research, we determined the existing and dominant DC conductivity mechanisms and whether it shows electrical anisotropy. The DC studies revealed the non-ohmic type of conduction. It was found that the dominant conduction mechanism in these samples is space charge limited current type. Activation energies were also calculated at different voltages and it was observed that the activation energy decreased with the incresase of the applied voltage.

Benzer Tezler

  1. Energy bands of TISe and TIInSe2 in tight binding model

    TISe ve TIInSe2 sıkı bağ modelinde enerji bantları

    ÖZLEM YILDIRIM

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2005

    Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ŞİNASİ ELLİALTIOĞLU

  2. TlMeX2 üçlü yarıiletkenlerin termoelektrik özelliklerinin ilk prensipler hesaplamaları ile araştırılması

    First principles calculations of thermoelectric properties of TlMeX2 ternary semiconductors

    MEHMET FATİH MİNTAŞ

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2022

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MİRHASAN SEYİTSOY

  3. Lantanyum doplu TlInS2 tabanlı yarıiletkende polarizasyon efektleri ve derin seviyeli defektlerin parametreleri

    Polarization effects and deep-level parameters of the TlInS2 based semiconductor with lantanium dopant

    ELİF ORHAN KARGIN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2018

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MİRHASAN SEYİTSOY

  4. TlInS2 tek kristallerinin fotoiletkenlik özellikleri

    On the photoconductive properties of TlInS2 single crystals

    NEVİN KALKAN

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    1994

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Üniversitesi

    Genel Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF.DR. EMİNE RIZAOĞLU