Hidrojenlendirilmiş amorf silisyum yapılarda kapasite gerilim yöntemiyle durum dağılımının belirtilmesi
Başlık çevirisi mevcut değil.
- Tez No: 76719
- Danışmanlar: DOÇ. DR. TÜLAY SERİN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 1998
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Ankara Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 42
Özet
I ÖZET Yüksek Lisans Tezi HİDROJENLENDİRİLMİŞ AMORF SİLİSYUM YAPILARDA KAPASİTE-GERİLİM YÖNTEMİYLE DURUM DAĞILIMININ BELİRTİLMESİ Orhan DURAN Ankara Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Fizik Mühendisliği Anabilim Dalı Danışman : Doç. Dr. Tülay SERİN 1998, Sayfa: 31 Jüri: Doç.Dr. Tülay SERİN Prof.Dr. Basri ÜNAL Prof.Dr. Selahattin ÖZDEMİR Bu çalışmada, Au/a-Si:H/a-Si:H(n-tipi)/ Cr Schottky yapılarında durum yoğunluğu dağılımı raştırılmıştır. Aralık durum yoğunlukları 0.35 - 0.50 eV enerji aralığında Michelson'un kaygan üzey kapasite yöntemiyle bulunmuştur. Tavlamanın durum yoğunluğu üzerindeki etkisini araştırmak için aynı diyotlar 100-175°C ıcaklık aralığında 2 volt ters beslem altında tavlanmışlardır. Her bir tavlama işleminden sonra durum oğunluğu bulunmuştur. Tavlamayla durum yoğunluklarında değişiklik gözlenmiştir. Bu değişiklikler opingin kusur giderici özelliği modeliyle açıklanmaya çalışılmıştır. ANAHTAR KELİMELER: Schottky diyodu,amorf silisyum, durum yoğunluğu, kaygan düzey apasite yöntemi, omik kontak, doğrultucu kontak.
Özet (Çeviri)
II ABSTRACT Master Thesis DETERMINATION OF DISTRIBUTION OF STATES IN HYDROGENATED AMORPHOUS SILICON STRUCTURES FROM CAPACITANCE - VOLTAGE CHARACTERISTICS Orhan DURAN Ankara University Graduate School of Natural and Applied Sciences Department of Physics Engineering Supervisor: Assc. Prof. Tülay SERİN 1998, Pages: 31 Jury: Assc.Prof. Tülay SERİN Prof.Dr. Basri ÜNAL Prof.Dr. Selahattin ÖZDEMİR In this study, the distribution of density of state was investigated in a Schottky structure of iu/a-Si:H/a-Si:H(n-type)/ Cr. The gap state density in the energy range of 0.35 - 0.50 eV was bund by Michelson' s drive level capacitance method. In order to determine the effect of thermal annealing on the distribution of density of state he same diodes were annealed in the temperature range, 100 - 175 °C while a 2 volts reverse bias voltage was applied to their terminals. The density of state was found after the each annealing processes. The changes occurred in the density of state due to the annealing were interpreted by the defect compensation model of doping. CEY WORDS: Schottky diode, amorphous silicon, density of state, drive -level capacitance method, ohmic contact, rectifier contact.
Benzer Tezler
- SCL akımları yöntemi ile hidrojenlendirilmiş amorf silisyum-germanyum alaşımı n-i-n sandviç yapılarda elektronik kusur dağılımlarının incelenmesi
Investigation of electronic defect distribution on amorphous silicon-germanium alloy n-i-n sandwich structure by using SCL current
ZEYNEP RUKİYE ÖZGE CAN
Yüksek Lisans
Türkçe
2011
Fizik ve Fizik MühendisliğiMuğla ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MEHMET GÜNEŞ
- Amorf silisyum ve alaşımları heteroeklemlerin elektronik ve optik özelliklerinin incelenmesi
Electronic and optical properties of heterostructures fabricated by using a-Si:H and its alloys
İLKER AY
Doktora
Türkçe
2006
Fizik ve Fizik MühendisliğiHacettepe ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. HÜSEYİN TOLUNAY
- Metal etkileşimli kristalleşme yöntemi ile polikristal silisyum ince film üretimi ve elektriksel özelliklerinin incelenmesi
Production of polycrystalline silicon thin films by metal induced crystallization method and investigating their electrical properties
GURUR SALKIM
Yüksek Lisans
Türkçe
2018
EnerjiHacettepe ÜniversitesiTemiz Tükenmez Enerjiler Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. AKIN BACIOĞLU
- a-SiOx:H ve kristal silisyumdan (c-Si) oluşan a-SiOx:H/c-Si heteroeklem güneş pillerinin fabrikasyonunu ve karakterizasyonu
The characterisation and fabrication of a-SiOx:H/c-Si heterojunction solar cells
OKAN YILMAZ
Doktora
Türkçe
2014
Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ORHAN ÖZDEMİR
DOÇ. DR. ALP OSMAN KODOLBAŞ
- AMPS-1D programı kullanılarak güneş gözelerinin bilgisayar modellemesi
Computer modeling of solar cells by using the AMPS-1D
TÜLAY OCAK
Yüksek Lisans
Türkçe
2017
Fizik ve Fizik MühendisliğiHacettepe ÜniversitesiNanoteknoloji ve Nanotıp Ana Bilim Dalı
PROF. DR. AYNUR ERAY