Geri Dön

Rezonans tünelleme cihazlarının fiziği ve uygulama alanları

Resonant tunnelling phenomena and its applications

  1. Tez No: 771729
  2. Yazar: MELİKE AYAZ
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. MURAT ODUNCUOĞLU
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2012
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Kilis 7 Aralık Üniversitesi
  10. Enstitü: Lisansüstü Eğitim Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Fizik Bilim Dalı
  13. Sayfa Sayısı: 66

Özet

Kristal büyütme ve mikrofabrikasyon teknolojilerindeki hızlı gelişme son yirmi yılda yarı iletken aygıtların ve teknolojilerin çok hızlı bir şekilde gelişmesine yol açmıştır. Bunların arasında en önemlilerinden birisi de rezonans tünelleme olayı ve diyotları (RTD)dir. Bu çalışmada tünelleme olayı kuantum mekaniksel olarak incelenmiş uygulama alanı olarak GaAs/AlAs kuantum kuyu sistemi için geçme katsayısı ve akım hesaplamaları yapılmış, akım-voltaj grafikleri çizilmiştir. Akım gerilim grafiğinde negatif diferansiyel direnç bölgesinin olduğu ve akımın maksimum (tepe) ve minumum (çukur) olduğu noktalar araştırılmıştır. Rezonans tünel aygıtlarının yüksek frekanslı sinyal üretimi, yüksek hızlı anahtarlama gibi güncel uygulamaları bulunmaktadır. Bu çalışmada elde edinilen bilgiler optik iletişim teknolojisinde yeni aygıt tasarımlarında kullanılacaktır.

Özet (Çeviri)

In last two decades powerfull development in cyristal growth and microfabrication provided rapid development of semiconductor devices and technology. The most important ones among these are Resonant Tunneling Diodes (RTD). In this study, resonant tunneling phenomena was studied quantum mechanically for GaAs / AlAs quantum well case. Firstly, transmission constant and current was calculated and then, current voltage graphs (I-V) were drawn. There is Negative Differantial Resistance (NDR) region in current voltage graghs. PVCR (peak to valley ratio) and its relation to the yield of RTD was investigated. Resonant tunneling devices produce high frequency signal and high switching time. The findings of this study will be used in designing new device in optic communication technology.

Benzer Tezler

  1. Computational design and analysis of nanostructured materials for neuromorphic engineering

    Neuromorfik mühendislik için nano yapılı malzemelerin hesaplamalı tasarımı ve analizi

    AYKUT TURFANDA

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2024

    Mühendislik Bilimleriİstanbul Teknik Üniversitesi

    Nanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. HİLMİ ÜNLÜ

  2. Rezonans tünelleme cihazlarında hızlandırıcı kuantum kuyusu etkisi

    The accelerating quantum well effect in resonance tunneling device

    MUKADDES YILMAZ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2016

    Fizik ve Fizik MühendisliğiTrakya Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. ŞABAN AKTAŞ

  3. Testere dişi üçlü üçgen bariyer yapısında rezonans tünelleme olayının incelenmesi

    Investigation of resonance tunneling in sawtooth triple triangle barrier structure

    GONCA CORUH

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2023

    Fizik ve Fizik MühendisliğiRecep Tayyip Erdoğan Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. MEHMET BATI

  4. Scanning hall probe microscopy (SHPM) using quartz crystal AFM feedback

    Kuars kristali kullanılarak AKM geri beslemeli taramalı hall aygıtı mikroskopisi

    KORAY ÜRKMEN

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2005

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. AHMET ORAL

  5. Ballistic transport and tunneling in small systems

    Başlık çevirisi yok

    A.ERKAN TEKMAN

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    1990

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SALİM ÇIRACI