Rezonans tünelleme cihazlarının fiziği ve uygulama alanları
Resonant tunnelling phenomena and its applications
- Tez No: 771729
- Danışmanlar: DOÇ. DR. MURAT ODUNCUOĞLU
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2012
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Kilis 7 Aralık Üniversitesi
- Enstitü: Lisansüstü Eğitim Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Fizik Bilim Dalı
- Sayfa Sayısı: 66
Özet
Kristal büyütme ve mikrofabrikasyon teknolojilerindeki hızlı gelişme son yirmi yılda yarı iletken aygıtların ve teknolojilerin çok hızlı bir şekilde gelişmesine yol açmıştır. Bunların arasında en önemlilerinden birisi de rezonans tünelleme olayı ve diyotları (RTD)dir. Bu çalışmada tünelleme olayı kuantum mekaniksel olarak incelenmiş uygulama alanı olarak GaAs/AlAs kuantum kuyu sistemi için geçme katsayısı ve akım hesaplamaları yapılmış, akım-voltaj grafikleri çizilmiştir. Akım gerilim grafiğinde negatif diferansiyel direnç bölgesinin olduğu ve akımın maksimum (tepe) ve minumum (çukur) olduğu noktalar araştırılmıştır. Rezonans tünel aygıtlarının yüksek frekanslı sinyal üretimi, yüksek hızlı anahtarlama gibi güncel uygulamaları bulunmaktadır. Bu çalışmada elde edinilen bilgiler optik iletişim teknolojisinde yeni aygıt tasarımlarında kullanılacaktır.
Özet (Çeviri)
In last two decades powerfull development in cyristal growth and microfabrication provided rapid development of semiconductor devices and technology. The most important ones among these are Resonant Tunneling Diodes (RTD). In this study, resonant tunneling phenomena was studied quantum mechanically for GaAs / AlAs quantum well case. Firstly, transmission constant and current was calculated and then, current voltage graphs (I-V) were drawn. There is Negative Differantial Resistance (NDR) region in current voltage graghs. PVCR (peak to valley ratio) and its relation to the yield of RTD was investigated. Resonant tunneling devices produce high frequency signal and high switching time. The findings of this study will be used in designing new device in optic communication technology.
Benzer Tezler
- Computational design and analysis of nanostructured materials for neuromorphic engineering
Neuromorfik mühendislik için nano yapılı malzemelerin hesaplamalı tasarımı ve analizi
AYKUT TURFANDA
Doktora
İngilizce
2024
Mühendislik Bilimleriİstanbul Teknik ÜniversitesiNanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. HİLMİ ÜNLÜ
- Rezonans tünelleme cihazlarında hızlandırıcı kuantum kuyusu etkisi
The accelerating quantum well effect in resonance tunneling device
MUKADDES YILMAZ
Yüksek Lisans
Türkçe
2016
Fizik ve Fizik MühendisliğiTrakya ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ŞABAN AKTAŞ
- Testere dişi üçlü üçgen bariyer yapısında rezonans tünelleme olayının incelenmesi
Investigation of resonance tunneling in sawtooth triple triangle barrier structure
GONCA CORUH
Yüksek Lisans
Türkçe
2023
Fizik ve Fizik MühendisliğiRecep Tayyip Erdoğan ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MEHMET BATI
- Scanning hall probe microscopy (SHPM) using quartz crystal AFM feedback
Kuars kristali kullanılarak AKM geri beslemeli taramalı hall aygıtı mikroskopisi
KORAY ÜRKMEN
Yüksek Lisans
İngilizce
2005
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. AHMET ORAL
- Ballistic transport and tunneling in small systems
Başlık çevirisi yok
A.ERKAN TEKMAN
Doktora
İngilizce
1990
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SALİM ÇIRACI