Investigation of photodetector performance based on MAPBI3/RGO heterostructure
MAPBI3/RGO heteroyapılı forodedektör performansının incelenmesi
- Tez No: 782312
- Danışmanlar: DOÇ. DR. MUHAMMET TAHİR GÜNEŞER, DR. ÖĞR. ÜYESİ SATİYE KORKMAZ
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Fotodedektörler, Grafen oksit, Heteroyapılar, Perovskitler, Photodetectors, Graphene oxide, Heterostructures, Perovskite
- Yıl: 2023
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Karabük Üniversitesi
- Enstitü: Lisansüstü Eğitim Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Perovskitlerdeki dikkat çekici başarılar, optoelektronik uygulamalarda önemli bir yere sahip olan fotodetektörlerin geliştirilmesini sağlamıştır. Heteroyapılı perovskite tabanlı fotodetektörler, saf perovskite fotodetektörlerden daha yüksek performans sağlar. Mevcut çalışma, döndürerek kaplama ile üretilen bir rGO/MAPbI3 heteroyapılı fotodetektörü göstermektedir. Yapı, XRD, SEM (dikey-kesitsel), EDX ve FTIR analizleri ile karakterize edilmiştir. Karanlıkta ve farklı aydınlatma yoğunluklarında yapılan I-V ve C-V ölçümleri, akımın ve kapasitansın aydınlatma yoğunluğu ile arttığını göstermiştir. Ayrıca, frekansa bağlı ölçümler, frekans arttıkça kapasitansın azaldığını göstermiştir. Işık şiddeti arttıkça n değeri 60 mW/cm2'ye kadar çıkmıştır. ФBo değerleri, karanlık ve farklı ışık yoğunlukları için 0,45 ile 0,68 eV arasında değişmektedir. Birden yüksek n değerleri potansiyel bariyer homojensizliklerinin varlığını gösterir. Al/Gra/p-Si cihazının fotosensitivite S(%) değerleri -2 V ters polarizasyonda hesaplanmıştır. Cihazın rektifikasyon oranı (RR) 2 V'ta 162 olarak belirlenmiştir.
Özet (Çeviri)
The remarkable achievements in perovskites led to the development of photodetectors, which have a significant place in optoelectronic applications. Heterostructured perovskite-based photodetectors achieve higher performances than pure perovskite photodetectors. The current study demonstrates an rGO/MAPbI3 heterostructured photodetector produced by spin coating. The structure was characterized by XRD, SEM (vertical-sectional), EDX, and FTIR analyses. I-V and C-V measurements in the dark and under different lighting intensities showed that the current and the capacitance increase with the lighting intensity. Moreover, frequency-dependent measurements showed that the capacitance decreases as the frequency increases. As the light intensity increased, the n value increased up to 60 mW/cm2. ФBo values vary between 0.45 and 0.68 eV for dark and different light intensities. n values higher than one indicate the presence of potential barrier inhomogeneities. The photosensitivity S(%) values of the Al/Gra/p-Si device were calculated at the reverse bias of -2 V. The device's rectification ratio (RR) was 162 at 2 V.
Benzer Tezler
- Yüksek sıcaklık proseslerinin, silisyum tabanlı fotodedektör aygıt performansına etkilerinin incelenmesi
Investigation of the effects of high temperature processes on silicon based photodetector device performance
CEM ALİBEYOĞLU
Yüksek Lisans
Türkçe
2021
Fizik ve Fizik MühendisliğiHacettepe ÜniversitesiNanoteknoloji ve Nanotıp Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ABDULLAH CEYLAN
- Dielektrik ince filmlerin si fotodetektör aygıt performansına etkisinin incelenmesi
Investigation of the effect of dielectric thin films on si photodetector device performance
LEVENT ÖZKARAYEL
Yüksek Lisans
Türkçe
2022
Fizik ve Fizik MühendisliğiHacettepe ÜniversitesiNanoteknoloji ve Nanotıp Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. AKIN BACIOĞLU
- Alüminyum konsantrasyonunun aı: nio/psi fotodedektörlerin yapısal,optiksel ve elektriksel özellikleri üzerine etkisinin incelenmesi
Investigation of the effect of aluminum concentration on structural, optical and electrical properties of ai: nio/psi photodetectors
MOHAMMED SULAIMAN MUSTAFA MUSTAFA
Yüksek Lisans
Türkçe
2025
Fizik ve Fizik MühendisliğiEge ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ALPER ÇETİNEL
- BCZVB esaslı organik yarıiletken fotodedektörlerin yapısal (SEM), elektriksel, optoelektronik ve fotonik davranışlarının kapsamlı incelenmesi
A comprehensive investigation of the structural (SEM), electrical, optoelectronic, and photonic behaviors of BCZVB-Based organic semiconductor photodetectors
MEHMET YAMADAĞ
Yüksek Lisans
Türkçe
2026
Fizik ve Fizik MühendisliğiMalatya Turgut Özal ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. BAYRAM GÜNDÜZ
- Seryum katkılı çinko oksit nanoçubuk yapılı fotodedektör özelliklerinin incelenmesi
Investigation of the properties of cerium-doped zinc oxide nanorod structured photodetectors
ÖZLEM BARİN GÜÇBİLMEZ
Doktora
Türkçe
2026
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SELİM ACAR