Geri Dön

Investigation of photodetector performance based on MAPBI3/RGO heterostructure

MAPBI3/RGO heteroyapılı forodedektör performansının incelenmesi

  1. Tez No: 782312
  2. Yazar: HAWREE AZAD JAF
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. MUHAMMET TAHİR GÜNEŞER, DR. ÖĞR. ÜYESİ SATİYE KORKMAZ
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2023
  8. Dil: İngilizce
  9. Üniversite: Karabük Üniversitesi
  10. Enstitü: Lisansüstü Eğitim Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 103

Özet

Perovskitlerdeki dikkat çekici başarılar, optoelektronik uygulamalarda önemli bir yere sahip olan fotodetektörlerin geliştirilmesini sağlamıştır. Heteroyapılı perovskite tabanlı fotodetektörler, saf perovskite fotodetektörlerden daha yüksek performans sağlar. Mevcut çalışma, döndürerek kaplama ile üretilen bir rGO/MAPbI3 heteroyapılı fotodetektörü göstermektedir. Yapı, XRD, SEM (dikey-kesitsel), EDX ve FTIR analizleri ile karakterize edilmiştir. Karanlıkta ve farklı aydınlatma yoğunluklarında yapılan I-V ve C-V ölçümleri, akımın ve kapasitansın aydınlatma yoğunluğu ile arttığını göstermiştir. Ayrıca, frekansa bağlı ölçümler, frekans arttıkça kapasitansın azaldığını göstermiştir. Işık şiddeti arttıkça n değeri 60 mW/cm2'ye kadar çıkmıştır. ФBo değerleri, karanlık ve farklı ışık yoğunlukları için 0,45 ile 0,68 eV arasında değişmektedir. Birden yüksek n değerleri potansiyel bariyer homojensizliklerinin varlığını gösterir. Al/Gra/p-Si cihazının fotosensitivite S(%) değerleri -2 V ters polarizasyonda hesaplanmıştır. Cihazın rektifikasyon oranı (RR) 2 V'ta 162 olarak belirlenmiştir.

Özet (Çeviri)

The remarkable achievements in perovskites led to the development of photodetectors, which have a significant place in optoelectronic applications. Heterostructured perovskite-based photodetectors achieve higher performances than pure perovskite photodetectors. The current study demonstrates an rGO/MAPbI3 heterostructured photodetector produced by spin coating. The structure was characterized by XRD, SEM (vertical-sectional), EDX, and FTIR analyses. I-V and C-V measurements in the dark and under different lighting intensities showed that the current and the capacitance increase with the lighting intensity. Moreover, frequency-dependent measurements showed that the capacitance decreases as the frequency increases. As the light intensity increased, the n value increased up to 60 mW/cm2. ФBo values vary between 0.45 and 0.68 eV for dark and different light intensities. n values higher than one indicate the presence of potential barrier inhomogeneities. The photosensitivity S(%) values of the Al/Gra/p-Si device were calculated at the reverse bias of -2 V. The device's rectification ratio (RR) was 162 at 2 V.

Benzer Tezler

  1. İki boyutlu GaSe katkılı PVP ince film tabanlı fotodedektörlerin üretilmesi ve incelenmesi

    Fabrication and investigation of photodetectors based on two-dimensional GaSe doped PVP thin film

    TUGAY DEMİRTAŞ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2021

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiBursa Uludağ Üniversitesi

    Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. UMUT AYDEMİR

  2. Yüksek sıcaklık proseslerinin, silisyum tabanlı fotodedektör aygıt performansına etkilerinin incelenmesi

    Investigation of the effects of high temperature processes on silicon based photodetector device performance

    CEM ALİBEYOĞLU

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2021

    Fizik ve Fizik MühendisliğiHacettepe Üniversitesi

    Nanoteknoloji ve Nanotıp Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ABDULLAH CEYLAN

  3. Dielektrik ince filmlerin si fotodetektör aygıt performansına etkisinin incelenmesi

    Investigation of the effect of dielectric thin films on si photodetector device performance

    LEVENT ÖZKARAYEL

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2022

    Fizik ve Fizik MühendisliğiHacettepe Üniversitesi

    Nanoteknoloji ve Nanotıp Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. AKIN BACIOĞLU

  4. Epitaxial growth of single crystal 3C-SiC thin films and their physical properties

    3C-SiC ince filmlerin epitaksiyel olarak kaplanması ve fiziksel özellikleri

    İLAYDA MELTEM TAMAY

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2023

    Metalurji MühendisliğiMarmara Üniversitesi

    Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. KAŞİF TEKER

  5. Experimental characterization of underwater visible light communications

    Başlık çevirisi yok

    SAMET YILDIZ

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2022

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiÖzyeğin Üniversitesi

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MURAT UYSAL