Amorf silisyumun alüminyum ve altın etkileşimli kristalleştirilmesi, elektriksel ve soğurma özelliklerinin incelenmesi
Aluminum and gold induced crystallization of amorphous silicon, investigation of electrical and absorption properties
- Tez No: 695009
- Danışmanlar: DOÇ. DR. AKIN BACIOĞLU
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2021
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Hacettepe Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 75
Özet
Isıl buharlaştırma sistemi ile 65 nm alüminyum ve 20 nm altın kaplanmış alttaş üzerine plazma destekli kimyasal buhar biriktirme (PECVD) sisteminde 100 nm hidrojenlendirilmiş amorf silisyum (a-Si:H) büyütülerek cam / Al / a-Si:H ve cam / Au / a-Si:H yapısında örnekler üretildi. Örnekler 250 ile 430 oC sıcaklıklar arasında ve 1 ile 12 saat süreleri arasında tavlanarak metal etkileşimli kristalleşme (MIC) yöntemi ile amorf silisyum kristalleştirildi. Örneklerin yapısal analizi için Raman Spektroskopisi, optik özelliklerinin analizi için optik geçirgenlik ve optik yansıtıcılık ölçümleri ve elektriksel özellikleri için dört nokta yöntemi ile özdirenç ve Hall etkisi ölçümleri yapıldı. Yapısal analiz ile nanokristal silisyum yapılarının olduğu, optik geçirgenlik ve yansıtıcılık ölçümleri ile hesaplanan optik soğurma spektrumunda iki fazlı soğurmanın olduğu, elektriksel ölçümler ile mobilite değerlerinin 1 – 800 cm2/V∙s arasında olduğu gözlendi.
Özet (Çeviri)
Samples in structures of glass / Al / a-Si:H and glass / Au / a-Si:H were produced. The deposition of 100 nm a-Si:H layer was done in a PECVD system on glass substrates coated with 65 nm aluminum and 20 nm gold. Metal coatings on glass substrates were done in a thermal evaporation system. Crystallization of amorphous silicon was performed by metal induced crystallization (MIC) method by annealing the samples at temperatures between 250 and 430 oC and for the intervals between 1 and 12 hours. Raman spectroscopy was used for the structural analysis of the samples. Optical transmittivity and reflectivity measurements were performed for the analysis of the optical properties. Resistivity and Hall effect measurements were done with the four-point probe method for the electrical properties. The formation of nanocrystalline silicon structures was observed by structural analysis, two-phase absorption in the optical absorption spectrum calculated with optical transmittance and reflectivity measurements, and mobility values between 1 – 800 cm2/V∙s with electrical measurements.
Benzer Tezler
- Polycrystalline silicon thin film processing on glass substrates for photovoltaic applications
Fotovoltaik uygulamalar için cam alttaş üzerine silisyum ince filmlerin üretimi
MEHMET KARAMAN
Doktora
İngilizce
2016
EnerjiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiMikro ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı
PROF. DR. RAŞİT TURAN
DOÇ. DR. ÖZGE TÜZÜN ÖZMEN
- Değişik soğutma hızlarında melt spinning metodu ile hızlı katılaştırılmış AI-0/0 (8,12,16) Si alaşımlarının üretimi ve fiziksel özelliklerinin incelenmesi
Başlık çevirisi yok
ORHAN UZUN
Doktora
Türkçe
1998
Eğitim ve ÖğretimGazi ÜniversitesiFizik Eğitimi Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MUSTAFA KESKİN
- Alüminyum indüklenmiş kristalizasyon
Aluminum induced crystallization
GAMZE KILIÇERKAN
Yüksek Lisans
Türkçe
2013
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiNanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MEHMET ERTUĞRUL
PROF. DR. RAŞİT TURAN
- Alternative surface texturing, passivation and charge selective contacts for crystalline silicon solar cells
Kristal silisyum güneş hücreleri için alternatif yüzey dokulandırma, pasivasyon ve yük seçici kontaklar
ELİF SARIGÜL DUMAN
Doktora
İngilizce
2022
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiMikro ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı
PROF. DR. RAŞİT TURAN
DOÇ. DR. SELÇUK YERCİ
- Metal infiltre edilmiş mikro poroz karbon kompozitlerin aşınma ve sürtünme davranışının karakterizasyonu
Başlık çevirisi yok
GÜLTEKİN GÖLLER
Doktora
Türkçe
1997
Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiMetalurji Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ADNAN TEKİN