Geri Dön

Amorf silisyumun alüminyum ve altın etkileşimli kristalleştirilmesi, elektriksel ve soğurma özelliklerinin incelenmesi

Aluminum and gold induced crystallization of amorphous silicon, investigation of electrical and absorption properties

  1. Tez No: 695009
  2. Yazar: ADNAN MÜSLİM MENEVŞE
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. AKIN BACIOĞLU
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2021
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Hacettepe Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 75

Özet

Isıl buharlaştırma sistemi ile 65 nm alüminyum ve 20 nm altın kaplanmış alttaş üzerine plazma destekli kimyasal buhar biriktirme (PECVD) sisteminde 100 nm hidrojenlendirilmiş amorf silisyum (a-Si:H) büyütülerek cam / Al / a-Si:H ve cam / Au / a-Si:H yapısında örnekler üretildi. Örnekler 250 ile 430 oC sıcaklıklar arasında ve 1 ile 12 saat süreleri arasında tavlanarak metal etkileşimli kristalleşme (MIC) yöntemi ile amorf silisyum kristalleştirildi. Örneklerin yapısal analizi için Raman Spektroskopisi, optik özelliklerinin analizi için optik geçirgenlik ve optik yansıtıcılık ölçümleri ve elektriksel özellikleri için dört nokta yöntemi ile özdirenç ve Hall etkisi ölçümleri yapıldı. Yapısal analiz ile nanokristal silisyum yapılarının olduğu, optik geçirgenlik ve yansıtıcılık ölçümleri ile hesaplanan optik soğurma spektrumunda iki fazlı soğurmanın olduğu, elektriksel ölçümler ile mobilite değerlerinin 1 – 800 cm2/V∙s arasında olduğu gözlendi.

Özet (Çeviri)

Samples in structures of glass / Al / a-Si:H and glass / Au / a-Si:H were produced. The deposition of 100 nm a-Si:H layer was done in a PECVD system on glass substrates coated with 65 nm aluminum and 20 nm gold. Metal coatings on glass substrates were done in a thermal evaporation system. Crystallization of amorphous silicon was performed by metal induced crystallization (MIC) method by annealing the samples at temperatures between 250 and 430 oC and for the intervals between 1 and 12 hours. Raman spectroscopy was used for the structural analysis of the samples. Optical transmittivity and reflectivity measurements were performed for the analysis of the optical properties. Resistivity and Hall effect measurements were done with the four-point probe method for the electrical properties. The formation of nanocrystalline silicon structures was observed by structural analysis, two-phase absorption in the optical absorption spectrum calculated with optical transmittance and reflectivity measurements, and mobility values between 1 – 800 cm2/V∙s with electrical measurements.

Benzer Tezler

  1. Polycrystalline silicon thin film processing on glass substrates for photovoltaic applications

    Fotovoltaik uygulamalar için cam alttaş üzerine silisyum ince filmlerin üretimi

    MEHMET KARAMAN

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2016

    EnerjiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Mikro ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. RAŞİT TURAN

    DOÇ. DR. ÖZGE TÜZÜN ÖZMEN

  2. Alüminyum indüklenmiş kristalizasyon

    Aluminum induced crystallization

    GAMZE KILIÇERKAN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2013

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk Üniversitesi

    Nanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MEHMET ERTUĞRUL

    PROF. DR. RAŞİT TURAN

  3. Alternative surface texturing, passivation and charge selective contacts for crystalline silicon solar cells

    Kristal silisyum güneş hücreleri için alternatif yüzey dokulandırma, pasivasyon ve yük seçici kontaklar

    ELİF SARIGÜL DUMAN

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2022

    Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Mikro ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. RAŞİT TURAN

    DOÇ. DR. SELÇUK YERCİ

  4. Metal infiltre edilmiş mikro poroz karbon kompozitlerin aşınma ve sürtünme davranışının karakterizasyonu

    Başlık çevirisi yok

    GÜLTEKİN GÖLLER

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    1997

    Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Metalurji Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ADNAN TEKİN