Transparan ince film transistörlerde kullanılan kanal yarıiletkeninin özelliklerinin incelenmesi
Investigation of the properties of channel semiconductor used in the transparent thin film transistors
- Tez No: 798339
- Danışmanlar: DOÇ. DR. İLBEYİ AVCI
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2022
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Ege Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Matematiksel Fizik Bilim Dalı
- Sayfa Sayısı: 133
Özet
Bu tez çalışması kapsamında transparan ince film transistörlerde (TFT) kullanılan yeni nesil yarıiletken malzemelerden İndiyum Galyum Çinko Oksit (IGZO) ince filmlerin elektriksel ve optik özelliklerinin RF magnetron püskürtme parametrelerine (RF güç, Ar basıncı) bağlı olarak değişimi incelenmiştir. Filmlerin elektronik parametrelerinden elektron Hall mobilitesi, yük taşıyıcı konsantrasyonu ve özdirencinin TFT performansına olan etkisine bakılmıştır. Ayrıca cam üzerine kaplanan bu filmlerin optik geçirgenlikleri incelenmiştir. Bu amaçla RF magnetron sputter ile bir dizi IGZO ince film üretilmiş ve ardından bu filmlerle ince film transistörler yapılmış ve test edilmiştir. 69BBu çalışmalar süresince ince filmlerin üretim parametrelerinin optimizasyonu, çok katmanlı yapıya sahip TFT'lerin üretim süreçlerinin geliştirilmesi, test amaçlı transistörlerin tasarımı ve litografik süreçlerin optimize edilmesi işlemleri yapılmıştır. Bu çalışmalar neticesinde standart cam altlıklar üzerine tümüyle transparan yapıda, ITO/SiOx/ITO/IGZO ince film katmanlarından oluşan ve tümüyle oda sıcaklığında yapılan TFT'ler geliştirilmiş ve sonuçlar tartışılmıştır.
Özet (Çeviri)
In this PhD thesis, electrical and optical properties of next generation amorphous oxide semiconductor used in transparent thin film transistors (TFT) such as Indium Gallium Zinc Oxide (IGZO) thin film produced with RF magnetron sputtering were investigated depending on the sputtering parameters such as RF power and Ar Pressure. The effect of electrical parameters such as electron Hall mobility, charge carrier concentration and resistivity on TFT performance was analyzed. The optical transmittance analyses were also done on the films deposited onto the ordinary glass substrates. For this reason, a series of thin films samples was produced by the RF magnetron sputter and tested. 77BDuring the whole research, the parameter optimization for thin film deposition, multilayer device processing including microlithography for TFT fabrication and establishment of the test setup for electronic measurements were carried out. As a result, a full transparent and high performance IGZO TFT containing ITO/SiOx/ITO/IGZO structure was fabricated at room temperature, and the findings conducted with the device were discussed throughout the thesis inside.
Benzer Tezler
- Fabrication and testing of polymer thin film transistors for basic digital circuits
Temel sayısal devreler için polimer ince film transistörlerin üretimi ve testi
ORHAN MERT
Yüksek Lisans
İngilizce
2009
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiBoğaziçi ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. ŞENOL MUTLU
- Machine learning analysis on nanomaterials literature data and knowledge exploration
Makine öğrenimi ile nanomalzeme literatür verisinin analizi ve bilgi keşfi
CUMHUR YILDIRIM
Doktora
İngilizce
2024
Bilgisayar Mühendisliği Bilimleri-Bilgisayar ve Kontrolİstanbul Teknik ÜniversitesiNanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. NİLGÜN BAYDOĞAN
- Polimer yapı içerisinde sentezlenen ZnO nanoparçacıklarının spektroskopik ve fiziksel özelliklerinin incelenmesi
Investigating spectroscopic and physical properties of ZnO nanoparticles sythesized in polymer structure
NESRİN ÇELEBİOĞLU
Doktora
Türkçe
2016
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. YAŞAR YILMAZ
- ZnO tabanlı transparan ince film transistör tasarımı ve üretimi
Design and fabrication of ZnO based transparent thin film transistor
ÖZKUR KURAN
Yüksek Lisans
Türkçe
2016
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiEge ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. İLBEYİ AVCI
- Indium tin oxide (ITO) coating on cylindrical surfaces: electrical and structural characterization
Silindirik yüzeylere indiyum kalay oksit (ITO) kaplanması: Eelektriksel ve yapısal karakterizasyon
HALİL ARSLAN
Yüksek Lisans
İngilizce
2015
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİzmir Yüksek Teknoloji EnstitüsüFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. LÜTFİ ÖZYÜZER
YRD. DOÇ. GÜRCAN ARAL