ZnO tabanlı transparan ince film transistör tasarımı ve üretimi
Design and fabrication of ZnO based transparent thin film transistor
- Tez No: 420502
- Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. İLBEYİ AVCI
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Fizik ve Fizik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2016
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Ege Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 91
Özet
Bu tez çalışmasında oda sıcaklığında ZnO tabanlı transparan ince film transistörlerin (TTFT) tasarımı ve üretimi gerçekleştirilerek, bu transistörlere ait optik ve elektriksel özellikler incelenmiştir. Üretilen TTFT yapısında kanal yarıiletkeni olarak ZnO, drain-source elektrodu olarak ITO, gate elektrodu olarak AZO ve gate dielektriği olarak ise SiO2 materyalleri kullanılmıştır. Tüm yapıya ait görünür bölgedeki ortalama optik geçirgenlik değeri % 84' tür. Eşik voltajı değeri VT 1.3 V ve alan etkili mobilite (µFE) değeri 8 cm2/V.s, on/off oranı 7x103 olarak hesaplanmış ve elde edilen maksimum ID akımı ise ~125 uA olarak ölçülmüştür. Bu tez çalışmasından elde edilen teorik ve deneysel bilgiler, ileride transparan ve esnek ekranlar için üretilmesi planlanan TFT' lerin altyapısını oluşturmuştur.
Özet (Çeviri)
In this thesis, design and fabrication of room temperature ZnO based transparent thin film transistors (TTFT's) were carried out by investigating optical and electrical properties.In TTFT structure, for channel semiconductor, ZnO; for drain-source electrodes, ITO; for gate electrode AZO and for gate dielectric SiO2 materials were used. The avarage optical transparancy value for the whole structure in the visible region in %84. Threshold voltage and the field effect mobility were calculated as VT 1.3 V, 8 cm2/V.s, respectively. The on/off ratio was calculated as 7x10^3 and the maximum obtained drain current was measured as ~125uA. With the spite of the experimental and theoritical results of this thesis, we have created a significant background in order to fabricate new generation TTFT's for transparent and flexible display applications.
Benzer Tezler
- Electrical properties and device applications of atomic layer deposited ZnO and GaN thin films
Atomik katman kaplama metoduyla büyütülen ZnO ve GaN ince filmlerin elektriksel özellikleri ve aygıt uygulamaları
SAMİ BOLAT
Yüksek Lisans
İngilizce
2014
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. ALİ KEMAL OKYAY
- ZnO tabanlı katmanlı ince filmlerin hazırlanması ve karakterizasyonu
Preparation and characterization of ZnO-based layered thin films
SEVCAN ERCAN
Yüksek Lisans
Türkçe
2023
Fizik ve Fizik MühendisliğiBurdur Mehmet Akif Ersoy ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. EBRU GÜNGÖR
- ZnO tabanlı UV dedektör geliştirilmesi ve prototip üretimi
Development and production of ZnO-based UV detector prototype
NİHAN AKIN
Doktora
Türkçe
2015
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MEHMET ÇAKMAK
- CdTe/CdS güneş hücresinin yapısal, optik ve elektriksel özelliklerinin incelenmesi
Investigation of structural optical and electrical properties of CdTe/CdS solar cell
HAKKI KAPLAN
Yüksek Lisans
Türkçe
2020
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. SAİME ŞEBNEM AYDIN
- (MgO)x(ZnO)1-x ince filmlerinin üretimi ve karakterizasyonu
Deposition and characterization of (MgO)x(ZnO)1-x thin films
SİNAN TEMEL
Doktora
Türkçe
2015
Fizik ve Fizik MühendisliğiEskişehir Osmangazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. DERYA PEKER