The effect of NiO thickness on electrical properties of the NiO/n-Si heterojunction structures
Farkli kalinliklarda sol jel yöntemi ile üretilen NiO ince filmlerinin NiO/n-Si heteroeklem yapisinin elektriksel özellikleri üzerine etkisi
- Tez No: 804540
- Danışmanlar: DOÇ. DR. ŞERİF RÜZGAR
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Fotodiyot, Tabakalı yarı iletkenler, Photodiode, Layered semiconductors
- Yıl: 2023
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Batman Üniversitesi
- Enstitü: Lisansüstü Eğitim Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Katıhal Fiziği Bilim Dalı
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Bu çalışmada NiO ince filmleri, sol jel döndürme kaplama yöntemi farklı kaplama sayılarına göre n-Si alttaşlar üzerine büyütülerek heteroeklem uygulamaları gerçekleştirilmiştir. İnce film kalınlığının heteroeklem yapıların elektriksel ve optoelektriksel özelleri üzerindeki etkisi incelenmiştir. Heteroeklem yapıların seri direnç (Rs), düzeltme oranı (RR), idealite faktörü (n) ve bariyer yüksekliği (ΦB) gibi önemli bağlantı parametreleri I-V verileri analiz edilerek hesaplandı. Üretilen heteroeklem yapıların karanlık ve farklı aydınlatma şiddetleri altında akım-gerilim (I-V) karakteristikleri incelendi. Tüm yapıların ışığa duyarlı olduğu ve doğrultma davranışı sergilediği gösterildi. Diyotların idealite değerleri 3,29-7,05 arasında değişirken, bariyer yükseklikleri 0,67-0,76 arasında ve seri direnç değerleri 270-4436 arasında değişmiştir. Üretilen cihazların elektriksel davranışları farklı frekanslarda kapasite-gerilim (C-V), iletkenlik-gerilim (G-V) ve Seri direnç (Rs-V) ölçümleri ile incelenmiştir. Artan frekansla kapasitenin, iletkenliğin ve seri direncin sırasıyla azaldığı, arttığı ve arttığı belirlendi. Bu davranış, üretilen numunelerin arayüz durumlarının varlığından kaynaklanmaktadır. Elektriksel karakterizasyon sonuçları, üretilen tüm cihazların optoelektronik alanlarda optik sensörler veya fotodiyotlar olarak çalıştırılabileceğini göstermiştir.
Özet (Çeviri)
In this study, heterojunction structures were carried out by deposition of NiO thin films on n-Si substrates according to different coating times by sol gel spin coating method. The effect of thin film thickness on electrical and optoelectrical properties of heterojunction structures was investigated. The crucial electrical parameters such as series resistance (Rs), rectification ratio (RR), ideality factor (n) and barrier height (ΦB) of heterojunction structures were calculated by analyzing I-V data. The current-voltage (I-V) characteristics of the fabricated heterojunction structures were investigated under dark and different illumination intensities. All structures were shown to be photo sensitive and exhibit a rectification behavior. While the ideality values of the diodes varied between 3.29 and 7.05, the barrier heights varied between 0.67-0.76 and the series resistance values between 270-4436.
Benzer Tezler
- B2 O3 katkısının doğrudan sinterlenen isatropik sert ferritlerin manyetik özellikleri üzerine etkisi
Effect of B2 O3 addition on the magnetic propertiesof direct sintered isotropic hard ferrites
ALMİLA AK YILDIRIM
- Alaşımlı beyaz dökme demirlerin mikroyapı analizi ve aşınma özellikleri
Microstructure analysis and wear properties of alloyed white cost irons
ÖZGÜR AKDEMİR
- Beton çeliklerin oksidasyonu ve oksit tabakasının karakterizasyonu
Başlık çevirisi yok
S.SEMİH OCAKSÖNMEZ
- Tel örgü katmanlardan oluşan gözenekli ortamda zorlanmış ısı geçişi
Başlık çevirisi yok
MUSTAFA ÖZDEMİR
- NiMn,NiMnP+ ve CrFe alaşım ince filmlerinde elektron spin rezonans (ESR) ve direnç ölçümleri
Başlık çevirisi yok
MUSTAFA ÖZDEMİR
Doktora
Türkçe
1998
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. YILDIRHAN ÖNER