SiC tabanlı çift aktif köprü çeviricilerin sebep olduğu elektromanyetik girişim analizi ve bastırılması
Analysis and suppression of electromagnetic interference caused by SiC-based dual active bridge converters
- Tez No: 809645
- Danışmanlar: DR. ÖĞR. ÜYESİ TUNA GÖKSU
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Enerji, Electrical and Electronics Engineering, Energy
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2023
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Isparta Uygulamalı Bilimler Üniversitesi
- Enstitü: Lisansüstü Eğitim Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 166
Özet
Çift aktif köprü (ÇAK) DC/DC çeviricisi devresi elektrikli araç ve mikro şebeke teknolojilerinde çokça kullanılan çift taraflı enerji iletimi yapan çeviricilerdir. Mikro şebeke sistemlerinin yaygınlığının yanı sıra elektrikli araçlar ve bu araçların üzerindeki bataryaların çeşitlerinin artması ile birlikte DAB devrelerinin de önemi artmasının yanı sıra yeterli hacmin olmadığı elektrikli araçlarda bu tip çeviricilerin yüksek güç yoğunluğunda çalışması beklenmektedir. Güç yoğunluğunu yükseltmenin en iyi yollarında birisi anahtarlama frekansını artırmaktır. Ancak bu yöntem DAB devresinin sebep olacağı elektromanyetik girişimi (EMG-EMI) artırır. Bu tez çalışmasında SiC MOSFET tabanlı DAB devresi üzerinde uygulanabilen faz kaydırma yöntemleri ve bu yöntemlerin EMI değişimlerine etkisi değerlendirilmiştir. 1000W güç çıkışlarında çalışabilen SiC tabanlı DAB devre prototipi tasarlanmış ve geliştirilmiştir. Anahtarlama frekansı kHz olarak belirlenerek kaçak endüktans değeri 25µH olarak sabit kılınmıştır. Bu noktadan sonra devre SPS yöntemi ile belirli faz kayma oranları ile çalıştırılmış ve EMI sonuçları gürültü bileşenlerine ayrılarak kaydedilmiştir. Daha sonra faz kaydırma yöntemi değiştirilerek 1189 farklı yöntem içerisinde verimliliği değişmeyen ancak daha düşük EMI sonuçları veren faz kaydırma yöntemleri keşfedilmiştir. Devrenin DPS yöntemiyle çalıştırıldığında SPS yöntemindeki gibi %90 verimlilikte çalışırken SPS yönteminden 7dBuV daha az iletimle yayılım yaptığı gösterilmiştir. Faz kaydırma yöntemleri benzetim programları ve deneysel sistemle incelenerek sonuçlar gösterilmiştir. Böylece donanımsal bir eklenti yapmadan kaynağında yazılımsal değişiklik yaparak aynı verimlilikte devrenin EMI değerlerinin bastırıldığı gösterilmiştir.
Özet (Çeviri)
Dual active bridge DC-DC converters (DAB) are one of the bidirectional converters and mainly used in electric vehicles and micro grids. With the increasing number of electric vehicles in use, and the increasing amount of batteries in these vehicles and rapidly spanning micro grids, the importance of DAB converters has increased and they are expected to be smaller in size and operate at higher power levels. The reduction in size has increased the importance of power density and efficiency, which are two significant parameters of DAB circuits. One of the methods to increase efficiency and power density is to increase the switching frequency. However, with the increase at the switching frequency, electromagnetic interference (EMI) in the DAB circuit also increases. In this study, phase shift methods that can be applied on SiC MOSFET based DAB circuit and the effect of these methods on EMI changes are evaluated. A SiC-based DAB circuit prototype that can operate at 1000W power outputs has been designed and developed. The switching frequency was determined as 1kHz and the leakage inductance value was fixed as 25µH. After this point, the circuit was operated with the SPS method with certain phase shift ratios and the EMI results were separated into noise modes and recorded. Later, by changing the phase shift method, phase shifting methods were discovered among 1189 different methods, the efficiency of which did not change but yielding lower EMI results. It has been shown that when the circuit is operated with the DPS method, it emits with 7dBuV less conducted EMI than the SPS method, while operating at 90% efficiency as in the SPS method. Phase shift methods were examined with simulation programs and experimental system, and the results were shown. Therefore, it has been shown that the EMI values of the circuit are suppressed with the same efficiency by making software changes at the source without making any hardware additions.
Benzer Tezler
- IGBT tabanlı çift yönlü çevirgece dayalı süperkapasitör enerji depolama sistemi geliştirilmesi
Implementation of an IGBT based bidirectional converter for supercapacitor energy storage systems
GÖKHAN GÖÇMEN
Yüksek Lisans
Türkçe
2021
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiHacettepe ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. IŞIK ÇADIRCI
- Geniş bant aralıklı silisyum karbür tabanlı mosfet alt-modül tasarımı
Wide bandgap silicon carbide based mosfet sub-module design
AHMET FURKAN TUNCER
Yüksek Lisans
Türkçe
2024
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiHacettepe ÜniversitesiElektrik ve Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. DİNÇER GÖKCEN
- Metro ve hafif raylı ulaşım araçları için süperkapasitör depolamalı frenleme enerjisi geri kazanımı sistemi geliştirilmesi
Development of a regenerative braking energy storage system using supercapacitors for metro and light rail vehicles
MEHMET HAKAN AKŞİT
Doktora
Türkçe
2022
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiHacettepe ÜniversitesiElektrik ve Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. IŞIK ÇADIRCI
- Au/4H n-SiC schottky diyotların sıcaklığa bağlı akım iletim mekanizmasının incelenmesi
The investigation of temperature dependence current transmission mechanism of Au/4H n-SiC schottky diodes
DİLARA ŞEME ŞİRİN
Yüksek Lisans
Türkçe
2021
Fizik ve Fizik MühendisliğiHitit ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. DİLBER ESRA YILDIZ
- High-power and low-loss SPDT switch design using gate-optimized GaN on SiC hemts for s-band 5g T/R modules
S-bant 5g T/R modülleri için yüksek güçlü ve düşük kayıplı SPDT anahtarının SiC üzerine GaN kullanarak tasarımı
VOLKAN ERTÜRK
Yüksek Lisans
İngilizce
2022
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiElektrik ve Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. EKMEL ÖZBAY