Effects of annealing on electrical resistivity of aluminum thin films
Başlık çevirisi mevcut değil.
- Tez No: 8201
- Danışmanlar: DOÇ. DR. A. MACİT ÖZENBAŞ
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Metalurji Mühendisliği, Metallurgical Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 1990
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Orta Doğu Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Metalurji Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 70
Özet
ALÜMİNYUM İNCE FİLMLERDE ISIL İŞLEMİN ÖZDİRENÇ ÜZERİNDEKİ ETKİLERİ ( YAROÖLU ) GÜLER, Hüsniye Mühendislik Fakültesi Metalürji Mühendisliği Bölümü, Y. Lisans Tezi Tez Yöneticisi : Assoc. Prof. Dr. A.Macit ÖZENBAS 70 Sayfa, Şubat 1990 ÖZET Bu çalışmada temizlenmiş cam altlıkların üzerine vakumda kaplanan alüminyum filmlerin elektriksel özdirençleri ve danecik büyüklükleri incelenmiştir. Kaplama işlemi sırasında vakum basıncı 2 x 10 torr ve altlık sıcaklığı 20 C olarak uygulanmıştır. Değişik tavlama sürelerinde ve 140 *C ~ 240 *C arasında değişen sıcaklıklarda elektriksel özdirenç değişimleri incelenmiştir. Danecik büyüklüklerinin oldukça küçük olması nedeniyle Tarama Elektron Mikroskobunda görüntü elde edilememiştir. Oluşan kristallerin yapıları ve danecik büyüklüğü; X-ışmları analizi ve Transmisyon Elektron Mikroskobu yardımıyla gözlemlenmiştir.Bu çalışmada bir kalıplı, bir de kalıpsız olmak üzere iki çeşit kaplama yapılmıştır. Kalıplı kaplama ile elde edilen alüminyum filmlerin kalınlıkları; 7200 Â'den 28000 Â'e kadar değişim göstermektedir. Kalıpsız kaplama ile elde edilen alüminyum filmlerin kalınlıkları ise; 7300 A'den 15000 Â'e kadar değişmektedir. Film kalınlıklarının tavlama süre ve sıcaklıklarıyla birlikte elektriksel ozdirenci etkiledikleri görülmüştür. Film kalınlığının artışı elektriksel ozdirenci düşürdüğü gibi, danecik büyüklüğünün artışına neden olmuştur. Elektriksel özdirenç ölçümü sonuçları beklenildiği gibi olmamıştır. Cam altlıkların yetersiz temizlenmesi ; film-altlık ara-yüzeyinde birtakım inorganik maddelerin varlığı ve film üzerinde oksitlenme olması elektriksel Ozdirenci etkileyen faktörlerdendir. Anahtar Sözcükler : Elektriksel özdirenç, Alüminyum ince Film. Bilim Kodu : 604.02.07 vı
Özet (Çeviri)
EFFECTS OF ANNEALING ON ELECTRICAL RESISTIVITY OF ALUMINUM THIN FILMS (YAROGLU) GÜLER, Hüsniye Faculty of Engineering Department of Metallurgical Engineering, M.S. Thesis Supervisor : Assoc. Prof. Dr. A.Macit OZENBAŞ 70 pages, February 1990 ABSTRACT In this work, electrical resistivities and grain size of the aluminum films prepared by vacuum deposition onto cleaned glass substrates were examined. The vacuum pressure during deposition and the substrate-temperatures were 2 x 10 torr and 20 *C, respectively. Electrical resistivity variation was investigated between 140 °C - 240 *C at different annealing times. Grain size of the aluminum films was very small, so nothing was seen by using Scanning Electron Microscope. The structure of the crystals and grain sizes of the films was observed by using X-ray analysis and Transmission Electron Microscope. These crystals were of face centered cubic structure. iiiIn this work two types of deposition were done. One of them is deposited with mask, the other is deposited without mask. The thicknesses of the films which were deposited with mask were varied between 7200 A and 28000 A. The thicknesses of the films which were deposited without mask were varied between 7300 A and 15000 A. The thicknesses of the films were found to be an important property as to affect the electrical resistivities, in correlation with the annealing temperatures and times. Results of the electrical resistivity measurements were unexpected. Insufficient cleaning of glass substrate, presentation of inorganic materials and powders at the film - substrate interface and oxidation of the film effect the electrical resistivity. Key Words : Electrical Resistivity, Aluminum Thin Film. Science Code : 604.02.07 IV
Benzer Tezler
- Saydam iletken oksit tabakalarda yapısal özelliklerin araştırılması
Investigation of structural properties of transparent conductive oxides
AHMET TEKO
Yüksek Lisans
Türkçe
2014
Metalurji MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiMetalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. AHMET EKERİM
- Nanocrystalline ZnO:Al thin films prepared by sol-gel dip coating technique and ZnO: Al/p-Si heterojunctions
Sol-gel daldırmalı kaplama tekniği ile üretilmiş nano yapılı ZnO:Al ince filmler ve ZnO: Al/p-Si heterokavşaklar
ÖZGE KARACASU
Yüksek Lisans
İngilizce
2010
Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiMetalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. NİLGÜN BAYDOĞAN
PROF. DR. HÜSEYİN ÇİMENOĞLU
- Capacitance-voltage and current-voltage characteristic properties of ZnO:Al/p-Si heterojunction
ZnO:Al/p-Si heterokavşakların kapasitans-voltaj ve akım-voltaj karakteristik özellikleri
YELİZ KÖSE
Yüksek Lisans
İngilizce
2015
Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiMetalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MURAT BAYDOĞAN
- Hydrothermal growth of ZnO nanowires enhanced characteristic properties
ZnO nanotellerin karakteristik özellikleri iyileştirilerek hidrotermal olarak büyütülmesi
ÜMÜŞ HALE TUĞRAL ARSLAN
Doktora
İngilizce
2020
Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiMetalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. CÜNEYT ARSLAN
PROF. DR. NİLGÜN BAYDOĞAN
- Galyum katkılı çinko-oksit ince filmlerin özelliklerine sıçratma gücünün ve kaplama sonrası uygulanan ısıl işlemin etkileri
Effect of sputtering power and post annealing process on properties of gallium-doped zinc oxide thin films
BİRSEN HANDEM ERGÜNHAN
Yüksek Lisans
Türkçe
2017
Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiMetalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. AHMET KARAASLAN