Advanced monte carlo modeling of III-V field-effect transistors
III-V alan etkili transistörlerin monte carlo modellemesi
- Tez No: 82509
- Danışmanlar: DOÇ. DR. CENGİZ BEŞİKÇİ
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Aygıt Modellemesi, Monte Carlo, perdeleme, polar optik fonon saçılması, MODFET, MESFET. VI, Device Modeling, Monte Carlo, Screening, polar optical phonon scattering, MODFET, MESFET. IV
- Yıl: 1999
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Orta Doğu Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 74
Özet
oz III-V ALAN ETKİLİ TRANSİSTORLERİN MONTE CARLO MODELLEMESİ Bakır, Aydın Turabi Yüksek Lisans, Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Bölümü Tez Yöneticisi: Doç. Dr. Cengiz Beşikçi Ocak 1999, 74 sayfa Yarı-iletken aygıt modelleme ve simulasyon teknikleri günümüz mikroelektronik teknolojisinde önemli bir role sahiptir. Bu teknikler tasarımcıya fabrikasyon öncesinde modern aygıt ve devrelerin çalışmasını inceleme ve tasarım fikirlerini test etme imkanı verir. Bu çalışmada perdelemenin polar optik fonon saöılması üzerindeki etkileri de dikkate alınarak modüle katkılı alan etkili transistörler (MODFET) için geliştirilmiş bir ensemble Monte Carlo simulasyon programı oluşturulmuştur. GaAs iletim bandının üç vadisi, T vadisindeki kuantizasyon ve kuantum kuyusundaki en düşük 3 altbant dikkate alınmıştır. Daha yüksek enerji seviyelerinin 3 boyutlu özellikte olduğu varsayılmıştır. Gerçek konum transferi de hesaba katılmıştır. Monte Carlo programı detaylı olarak tasvir edilmiş ve simulasyon sonuçlan sunulmuştur. Alınan sonuçlara göre aygıt performansının doğru olarak belirlenebilmesi için MODFET Monte Carlo simulasyonlarmda genellikle ihmal edilen perdeleme etkilerinin hesaba katılması gerekmektedir. Perdeleme band içi polar optik fonon saçılma hızlarım düşürerek aygıt boyunca bandpopülasyonlannı önemli miktarda değiştirmektedir. Bu etkilerin ihmal edilmesinin yeterlice yüksek iki boyutlu elektron gazı yoğunluğuna sahip MODFETlerin kesim frekansının gerçekte olduğundan daha düşük olarak tahminine yol açması beklenilmektedir.
Özet (Çeviri)
ABSTRACT ADVANCED MONTE CARLO MODELING OF III-V FIELD-EFFECT TRANSISTORS Bakır, Aydın Turabi M.Sc, Department of Electrical and Electronics Engineering Supervisor: Assoc. Prof. Dr. Cengiz Beşikçi January 1999, 74 pages Semiconductor device modeling and simulation techniques have an important role in today's microelectronics technology. These techniques allow the designers examine the operation of novel devices and circuits before fabrication and check their design ideas. In this study, an improved ensemble Monte Carlo simulation program has been developed for the Modulation Doped Field-Effect Transistors (MODFETs) by including the effects of screening on polar optical phonon scattering. Three valleys of the GaAs conduction band, size quantization in the T valley and the lowest three subbands in the quantum well have been taken into account. The higher lying states have been considered to have three dimensional properties. We have also taken real space transfer into account. The Monte Carlo program is descibed in detail and the simulation results are presented. The result show that screening effects, which are generally ignored in the Monte Carlo simulations of MODFETs, should be included min the simulation in order to predict the device performance correctly. Screening significantly changes the band populations throughout the device by lowering the intra-subband polar optical phonon scattering rates. It has also been observed that ignorence of these effects is expected to result in an underestimation of the cut-off frequency of a MODFET with a reasonably high two-dimensional electron gas density.
Benzer Tezler
- Electronic processes and structure-property relationships in organic semiconductors
Organik yarıiletkenlerde elektronik süreçler ve yapı-özellik ilişkisi
GÜLSEVİM AYDIN ŞAHİN
- Reverse Monte Carlo modeling of metakaolin and metakaolin- based geopolymer
Metakaolin ve metakaolin bazlı jeopolimerlerin reverse Monte Carlo yöntemi ile modellenmesi
SERHAT ARCA
Yüksek Lisans
İngilizce
2016
Kimya MühendisliğiBoğaziçi ÜniversitesiKimya Mühendisliği Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. SEZEN SOYER UZUN
- Ge dedektörünün zamana bağlı Monte Carlo yöntemi ve genetik algoritma ile gerçekçi modellenmesi
Realistic modeling of germanium detector by using time dependent Monte Carlo method and genetic algorithm
AYHAN YÜKSEL
Doktora
Türkçe
2023
Nükleer MühendislikHacettepe ÜniversitesiNükleer Enerji Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MEHMET TOMBAKOĞLU
- A Detailed investigation of bound to quasibound quantum well infrared photodetectors: An advanced Monte Carlo study
Bağlıdan bağlımsıya kuantum kuyulu kızılötesi dedektörlerin detaylı incelenmesi: Bir Monte Carlo çalışması
EMRE ÖNCÜ
Yüksek Lisans
İngilizce
2001
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiElektrik ve Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. CENGİZ BEŞİKÇİ
- Çamaşır yıkamadan kaynaklanan mikrolif birikiminin sistem yaklaşımı ile modellenmesi
Modeling of microfiber accumulation from laundry with a system approach
ONUR TURAN
Yüksek Lisans
Türkçe
2021
Çevre MühendisliğiTekirdağ Namık Kemal ÜniversitesiÇevre Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ NESLİ AYDIN
DR. SUNA ÖZDEN ÇELİK