Geri Dön

Extraction of the circuit parameters of the mesfet small-signal equivalent circuit

MESFET küçük sinyal eşdeğer devresinin devre elemanlarının bulunması

  1. Tez No: 82570
  2. Yazar: İSMAİL DURMUŞ
  3. Danışmanlar: PROF. DR. CANAN TOKER
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 1999
  8. Dil: İngilizce
  9. Üniversite: Orta Doğu Teknik Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 96

Özet

oz MESFET KÜÇÜK SİNYAL EŞDEĞER DEVRESİNİN DEVRE ELEMANLARININ BULUNMASI DURMUŞ, İsmail Yüksek Lisans Tezi, Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Anabilim Dalı Tez Yöneticisi : Prof. Dr. Canan TOKER Eylül 1999, 96 sayfa. TOM (Triquint's Own Model) modeli kullanılarak MESFET küçük sinyal eşdeğer devre elemanlarının elde edilmesinde yeni bir yöntem tanımlanmıştır. Bu yöntemin optimizasyon ve benzeri yöntemlere göre tercih edilmesinin sebebi optimizasyon ve benzeri yöntemlerin sonuçlarının ilk değerlere bağımlı olmasıdır. Eşdeğer devrenin Y-parametre ifadeleri analitik yöntemler ile bulunmuştur. Sistematik bir yöntem ile küçük devre elemanlarının elde edilmesi amacı ile ölçümü yapılan S-parametreleri Y- parametrelerine dönüştürülür. Kullanılan yöntem hızlı ve hassastır, elde edilen eşdeğer devre 50 GHz'e kadar ölçülen S-parametrelerine uygunluk gösterir. Bu yöntem tüm ölçüm frekanslarında kullanılabilir ve bazı düşük frekans hassasiyeti olan cihazlarda da iyi sonuç vermektedir. Anahtar Kelimeler : MESFET, TOM, küçük-sinyal eşdeğer devresi, S- parametreleri. iv

Özet (Çeviri)

ABSTRACT EXTRACTION OF THE CIRCUIT PARAMETERS OF THE MESFET SMALL-SIGNAL EQUIVALENT CIRCUIT DURMUŞ, İsmail M.S. in Electrical and Electronics Engineering Supervisor : Prof. Dr. Canan TOKER September 1999, 96 pages. A new method for determining the TOM (Triquint's Own Model) small-signal equivalent circuit parameters of MESFET (Metal-Semiconductor Field-Effect Transistor) transistors is described. This method is preferred to optimization and other similar methods because of the dependency of the results on the initial conditions. Y-parameter expressions of the equivalent circuit are obtained analytically. Measured S-parameters are converted to Y- parameters by means of which, a systematic method is developed to extract the small-signal parameters. This method is fast and accurate, and the determined equivalent circuit fits the S-parameters very well up to 50GHz. The method can be used for whole range of measurement frequencies and can even be applied to devices exhibiting problems at the low-frequencies. Keywords : MESFET, TOM, small-signal equivalent circuit, S-parameters. m

Benzer Tezler

  1. Tez No

    93241

    Extraction and scling of TOM model parameters of GaAs MESFETS

    GaAs MESFET'lerin TOM model parametrelerinin bulunması ve ölçeklendirilmesi

    ABDULLAH ÇELEBİ

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2000

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. CANAN TOKER

  2. Tez No

    143082

    Development of MOSFET models suitable for simulation of analog CMOS circuits after hot-carrier stress

    Sıcak-taşıyıcı yorulma etkileri sonrasında analog CMOS devrelerin simulasyonu için uygun MOSFET modellerin geliştirilmesi

    GÜRSEL DÜZENLİ

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2003

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. HAKAN KUNTMAN

  3. Tez No

    223439

    New Mosfet threshold voltage extraction methods and extractors

    Mosfet eşik gerilimini elde etmek için önerilen yeni yöntemler ile VTH çıktısı veren devre yapıları

    FULYA TEZEL

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2006

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF.DR. ALİ ZEKİ

  4. Tez No

    222900

    BSIM MOSFET model parametrelerinin belirlenmesine yönelik algoritmalar

    BSIM MOSFET model parameter extraction algorithms

    ŞUAYB YENER

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2007

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF.DR. H. HAKAN KUNTMAN

  5. Tez No

    559127

    Statistical cryogenic modeling methodology of MOSFET DC characteristics in BSIM3

    MOSFET DC karakteristiğinin kriyojenik koşullarda BSIM3 ile istatistiksel olarak modellenmesi

    AYKUT KABAOĞLU

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2019

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DR. ÖĞR. ÜYESİ MUSTAFA BERKE YELTEN

Geri Dön